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基于交變柵壓調制的Ga2O3光電探測器
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基于零維材料的光電探測器原子結構
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12款半靈敏度角為±35°的新型高速表面貼裝光探測器
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光電探測器的主要噪聲源及其成因
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剩余電流探測器
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內調制光電探測器光生電壓的模型分析
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光電探測器是一種能夠將光輻射轉換成電量的一個器件，它利用這個特性可以進行顯示及控制的功能。光探測器可以代替人眼，而且由于具有光譜響應范圍寬的特點，光探測器亦是人眼
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5241光電探測器的校準問題介紹
對光電探測器或者積分球/探測器系統（如2520INT型積分球）進行校準意味著：對于在具體波長給定的光輸入功率，確定探測器系統預期產生的光電流。這稱作探測器系統的響應度，并由TA/W（安培/瓦）單位
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3418煙霧探測器如何選型 離子式和光電型的區別
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8407紅外光電探測器的原理_紅外光電探測器的分類
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11957光電探測器是什么_光電探測器有哪幾類
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32956光電探測器的應用廣泛，它的基本原理是什么
現如今，光電探測器已經應用到各個領域。通過與LED或激光二極管結合，光電探測器可用于電路隔離器、入侵報警以及激光雷達等系統，因此光電探測器的應用領域和范圍都將隨著時間的推移而不斷擴大，本期的內容
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光電探測器的帶寬是什么_光電探測器誤報原因
光電探測器的帶寬就是指探測器能在哪個頻段范圍內正常工作，也就是可以探測哪些頻率的信號。需要用一個寬帶的信號源，比如高溫黑體，再借助傅里葉變換頻譜儀來測量。
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微波等領域，展現出了巨大的發展潛力；而Ga2O3材料的禁帶寬度高達~4.9 eV，臨界電場高達~8 MV/cm（是Si的2.7倍，SiC和GaN的2倍，Baliga優值分別是SiC和GaN的10
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InGaAs/InP光電探測器
要摘InGaAs光電探測器被廣泛地應用于光纖通訊領域，由于其特有的優點，國外已應用于空間遙感領域.本文簡要介紹了InGaAs/InP的物理特性、PIN光電探測器結構和主要性能指標，討論了研制InGaAs/InP空間遙感用光電探測器的意義.
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1815Ni摻雜β-Ga2O3單晶的光、電特性研究
作為超寬禁帶半導體材料之一，Ga2O3禁帶寬度高達4.8 eV，理論擊穿場強為8 MV/cm，是繼GaN和SiC之后的下一代超寬禁帶半導體材料
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氧化鎵（Ga2O3）因其超寬的帶隙和高臨界擊穿電場，可滿足當前器件大功率和微型化的發展需求，已成為新一代電力電子和光電器件的熱門材料。目前日盲紫外光電探測是Ga2O3的一個重要應用，而提高其光電探測
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