100 MHZ 頻率下，1-k? 大金屬箔電阻直流電阻與其交流電阻的對比可用以下公式表示：

　　交流電阻/直流電阻 = 1.001

　　圖4： 大金屬箔電阻結構

　　金屬箔技術全面組合了高度理想的、過去達不到的電阻特性，包括低溫度系數（0 °C 至 + 60 °C 為 0.05 ppm/°C），誤差達到 ± 0.005 % （采用密封時低至 ± 0.001 %），負載壽命穩定性在 70 °C，額定加電2000小時的情況下達到 ± 0.005 % （50 ppm），電阻間一致性在 0 °C 至 + 60 °C 時為 0.1 ppm/°C，抗 ESD 高達 25 kV。

　　性能要求

　　當然并非每位設計師的電路都需要全部高性能參數。技術規格相當差的電阻同樣可以用于大量應用中，這方面的問題分為四類：

　　（1） 現有應用可以利用大金屬箔電阻的全部性能升級。

　?。?） 現有應用需要一個或多個，但并非全部“行業最佳”性能參數。

　?。?） 先進的電路只有利用精密電阻改進的技術規格才能開發。

　?。?） 有目的地提前計劃使用精密電阻滿足今后升級要求 （例如，利用電阻而不是有源器件保持電路精度，從而節省成本，否則僅僅為了略微提高性能則要顯著增加成本）。

　　例如，在第二 （2） 類情況下，一個參數必須根據所有參數的經濟性加以權衡。與采用全面優異性能的電阻相比，這樣可以節省成本，因為不需要調整電路 （及組裝相關組件的成本）。主要通過電阻而不是有源器件提高精度也可以節省成本，因為有源器件略微提高一點性能所需的成本要比電阻高的多。另一個問題是：“利用高性能電阻提高設備性能是否可以提高市場的市場占有率？”作者 Yuval Hernik， 畢業于 Technion （以色列理工學院） 電子工程系。自2008年以來，一直擔任 Vishay Precision Group 大金屬箔電阻應用工程部總監。