另外，關(guān)于難以制造p型半導(dǎo)體這一點(diǎn)，使用β-Ga2O3來制作功率元件時(shí)，可以將其用作N型半導(dǎo)體，因此也不是什么問題。而且，通過摻雜Sn及Si等施主雜質(zhì)，可在電子濃度為1016～1019cm-3的大范圍內(nèi)對(duì)N型傳導(dǎo)特性進(jìn)行控制（圖2）。
圖2：N型傳導(dǎo)特性的控制范圍大
使用β-Ga2O3時(shí)，可在大范圍內(nèi)控制N型傳導(dǎo)性。實(shí)際上，通過摻雜施主雜質(zhì)，可在1016～1019cm-3范圍內(nèi)調(diào)整電子密度。