導(dǎo)通電阻僅為SiC的1/10
β-Ga2O3由于巴利加優(yōu)值較高，因此理論上來說，在制造相同耐壓的單極功率元件時(shí)，元件的導(dǎo)通電阻比采用SiC及GaN低很多（圖3）。降低導(dǎo)通電阻有利于減少電源電路在導(dǎo)通時(shí)的電力損失。
圖3：導(dǎo)通電阻比SiC及GaN小
在相同耐壓下比較時(shí)，β-Ga2O3制造的單極元件，其導(dǎo)通電阻理論上可降至使用SiC時(shí)的1/10、使用GaN時(shí)的1/3。圖中的直線與巴加利優(yōu)值的倒數(shù)相等。直線位置越接近右下方，制成的功率元件性能就越出色。
使用β-Ga2O3的功率元件不僅能夠降低導(dǎo)通時(shí)的損失，而且還可降低開關(guān)時(shí)的損失。因?yàn)閺睦碚撋险f，在耐壓1kV以上的高耐壓用途方面，可以使用單極元件。
比如，設(shè)有利用保護(hù)膜來減輕電場(chǎng)向柵極集中的“場(chǎng)板”的單極晶體管（MOSFET），其耐壓可達(dá)到3k～4kV。
而使用Si的話在耐壓為1kV時(shí)就必須使用雙極元件，即便使用耐壓公認(rèn)較高的SiC，在耐壓為4kV時(shí)也必須使用雙極元件。雙極元件以電子和空穴為載流子，因此與只以電子為載流子的單極元件相比，在導(dǎo)通及截止的開關(guān)動(dòng)作時(shí)，溝道內(nèi)的載流子的產(chǎn)生和消失會(huì)耗費(fèi)時(shí)間，損失容易變大。
比如Si，在耐壓1kV以上的用途方面通常是晶體管使用IGBT，二極管使用PIN二極管。
SiC的話，耐壓4kV以下用途時(shí)晶體管可使用MOSFET等單極元件，二極管可使用肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）等單極元件。但在耐壓4kV以上時(shí)導(dǎo)通電阻超過10mΩcm2，單極元件不具備實(shí)用性。因此必須使用雙極元件。