基于Si半導(dǎo)體，從物理性質(zhì)→pn結(jié)→pin結(jié)→BJT(晶體管)→SCR(晶閘管)→MOSFET→IGBT的概述，以載流子的工作機理貫穿，重新聊聊作為“二合一”加強版的IGBT以及前身半導(dǎo)體器件的整個路徑。
“一千個人眼里有一千個哈姆雷特”，任何一個事物從不同的方向深入都會有不同的見解，更何況IGBT這么一個橫向縱向都涉及得太多太多的器件。我們不止一次地聊它，當(dāng)然，今天也肯定不會是最后一次。
從p型和n型半導(dǎo)體，到最基礎(chǔ)的pn結(jié)，到pnp/npn的BJT，到pnpn的晶閘管，再到單極性器件MOSFET，再到最終的IGBT，一步步折中優(yōu)化，使IGBT成為當(dāng)今功率半導(dǎo)體的翹楚。
審核編輯：劉清