`本書主要針對(duì)的是半導(dǎo)體使用客戶，并把基礎(chǔ)理論作了簡(jiǎn)單的闡述歸納總結(jié)。本手冊(cè)站在用戶的角度上，去了解IGBT、MOSFET功率模塊以及零散或集成的二極管和晶閘管(可控硅)。詳細(xì)介紹了它們的基本數(shù)
2018-09-06 16:30:02
功率半導(dǎo)體器件以功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(功率MOSFET，常簡(jiǎn)寫為功率MOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(power IC，常簡(jiǎn)寫為PIC)為主。
2020-04-07 09:00:54
位功能，可用于各種開關(guān)拓?fù)?/b>控制碳化硅（SiC）或硅MOSFET和IGBT功率晶體管。STGAP2SCM配備一個(gè)有源米勒鉗位專用引腳，為設(shè)計(jì)人員防止半橋配置晶體管意外導(dǎo)通提供一個(gè)簡(jiǎn)便的解決方案。在
2018-08-06 14:37:25
半導(dǎo)體最初計(jì)劃在云中為每個(gè)STM10器件提供32塊電路板，后續(xù)還會(huì)有更多電路板（來源：意法半導(dǎo)體）優(yōu)化代碼STM32Cube工具箱中的工具.AI包括圖形優(yōu)化器，它可以轉(zhuǎn)換微控制器的TensorFlow
2023-02-14 11:55:49
半導(dǎo)體元器件晶體管領(lǐng)域。功率半導(dǎo)體元器件的特點(diǎn)除了IGBT外，功率半導(dǎo)體元器件（晶體管領(lǐng)域）的代表產(chǎn)品還有MOSFET、BIPOLAR等，它們主要被用作半導(dǎo)體開關(guān)。根據(jù)其分別可支持的開關(guān)速度
2019-05-06 05:00:17
半導(dǎo)體元器件晶體管領(lǐng)域。功率半導(dǎo)體元器件的特點(diǎn)除了IGBT外，功率半導(dǎo)體元器件（晶體管領(lǐng)域）的代表產(chǎn)品還有MOSFET、BIPOLAR等，它們主要被用作半導(dǎo)體開關(guān)。根據(jù)其分別可支持的開關(guān)速度
2019-03-27 06:20:04
Multisim 14.2中，單結(jié)晶體管BT33怎么輸入和仿真，或者用哪個(gè)來代替，謝謝！比如上圖中的，BT33和BT169在軟件中沒有找到。請(qǐng)問一下怎么解決。感謝！
2020-03-20 22:05:43
。晶體管NPN型和PNP型結(jié)晶體管工作狀態(tài)晶體管的工作原理類似于電子開關(guān)。它可以打開和關(guān)閉電流。晶體管背后的基本思想是，它允許您通過改變流經(jīng)第二個(gè)通道的較小電流的強(qiáng)度來控制通過一個(gè)通道的電流。1）截止
2023-02-15 18:13:01
晶閘管）、IGCT（集成門極換流晶閘管）、IEGT（電子注入增強(qiáng)柵晶體管）、IPEM（集成電力電子模塊）、PEBB（電力電子積木）等。圖表2 功率半導(dǎo)體器件分類方式及代表類型（來源：電力電子技術(shù)
2019-02-26 17:04:37
本電路如下圖所示，他是一款單節(jié)晶體管性能檢測(cè)電路。被測(cè)單結(jié)晶體管VBT(如：BT33)與R3、C2組成張弛振蕩器。
2021-04-23 06:37:06
的制造商生產(chǎn)半導(dǎo)體（晶體管是該設(shè)備家族的成員），因此有數(shù)千種不同的類型。有低功率、中功率和高功率晶體管，用于高頻和低頻工作，用于非常高電流和/或高電壓工作。本文概述了什么是晶體管、不同類型的晶體管
2023-08-02 12:26:53
用于高頻電路。砷化鎵組件在高頻、高功率、高效率、低噪聲指數(shù)的電氣特性均遠(yuǎn)超過硅組件，空乏型砷化鎵場(chǎng)效晶體管(MESFET)或高電子遷移率晶體管(HEMT/PHEMT)，在3 V 電壓操作下可以有80
2019-07-29 07:16:49
有兩種主要類型：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（MOS-FET）。與BJT不同，F(xiàn)ET僅由一個(gè)載流子組成，因此也稱為單極晶體管。屬于壓控半導(dǎo)體器件，具有輸入電阻高、噪聲低、功耗低
2023-02-03 09:36:05
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此。現(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59
什么是單結(jié)晶體管原理(UJT-基極二極管)單結(jié)晶體管（簡(jiǎn)稱UJT）又稱基極二極管，它是一種只有一個(gè)PN結(jié)和兩個(gè)電阻接觸電極的半導(dǎo)體器件，它的基片為條狀的高阻N型硅片，兩端分別用歐姆接觸引出兩個(gè)基極
2009-04-26 15:20:02
請(qǐng)教：?jiǎn)?b class="flag-6" style="color: red">結(jié)晶體管在什么位置，有人說是UJT，但好象用不了呀？
2013-09-26 16:55:49
做了一個(gè)單結(jié)晶體管仿真（電力電子技術(shù)的初學(xué)者）。有個(gè)問題請(qǐng)教于各位高手。1：開關(guān)初始時(shí)刻是閉合的時(shí)候，點(diǎn)擊仿真，發(fā)光二極管不亮 。:2：初始時(shí)刻，開關(guān)打開，點(diǎn)擊仿真后，點(diǎn)擊開關(guān)閉合，二極管開始閃爍。按照道理來說。情境1與情境2不應(yīng)該是一樣的嗎，為什么會(huì)有差別啊。
2017-03-07 21:07:45
各位高手，小弟正在學(xué)習(xí)單結(jié)晶體管，按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真，大多數(shù)都不成功，請(qǐng)問誰有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
單結(jié)晶體管及觸發(fā)電路
2012-08-20 08:48:57
單結(jié)晶體管振蕩器的基本電路
2009-09-22 09:03:18
本帖最后由 elecfans跑堂 于 2015-9-14 17:45 編輯
單結(jié)晶體管期間在multisim11哪能找到
2015-09-14 17:38:22
單結(jié)晶體管（簡(jiǎn)稱UJT）又稱基極二極管，它是一種只有一個(gè)PN結(jié)和兩個(gè)電阻接觸電極的半導(dǎo)體器件，它的基片為條狀的高阻N型硅片，兩端分別用歐姆接觸引出兩個(gè)基極b1和b2。在硅片中間略偏b2一側(cè)用合金法制作一個(gè)P區(qū)作為發(fā)射極e。
2021-05-24 06:26:48
常用的半導(dǎo)體元件還有利用一個(gè)PN結(jié)構(gòu)成的具有負(fù)阻特性的器件一單結(jié)晶體管，請(qǐng)問這個(gè)單結(jié)晶體管是什么？能夠?qū)崿F(xiàn)負(fù)阻特性？
2024-01-21 13:25:27
單結(jié)晶體管的等效電路[hide][/hide]
2009-09-22 09:02:00
的作用相當(dāng)于一個(gè)二極管D。國產(chǎn)單結(jié)晶體管的型號(hào)有BT31、BT32、BT33、BT35等多種。其中B表示半導(dǎo)體，T表示特種管，3表示電極數(shù)，第四個(gè)數(shù)表示耗散功率（分別代表100、200、300和500mW）。 購線網(wǎng) gooxian.com專業(yè)定制各類測(cè)試線（同軸線、香蕉頭測(cè)試線，低噪線等）
2018-01-09 11:39:27
單結(jié)晶體管觸發(fā)電路的移相范圍是多少，大家知道嗎？求解答。
2015-04-15 23:34:14
單結(jié)晶體管觸發(fā)電路具有哪些特點(diǎn)？自動(dòng)控制系統(tǒng)中基本環(huán)節(jié)的有哪些？多諧振蕩器是一種常用的產(chǎn)生什么的電路？
2021-09-18 08:36:29
，是另一種固態(tài)三端設(shè)備，可用于柵極脈沖、定時(shí)電路和觸發(fā)發(fā)生器，用于交流功率控制型應(yīng)用中開關(guān)和控制晶閘管和 triac。像二極管一樣，單結(jié)晶體管是由單獨(dú)的 p 型和 n 型半導(dǎo)體材料構(gòu)成的，在器件的主導(dǎo) n
2022-04-26 14:43:33
單結(jié)晶體管隨著電容的充電放電是如何形成自激振蕩脈沖的？
2023-04-26 15:07:51
就和圖上這樣，單相橋式全控整流電路用兩個(gè)單結(jié)晶體管電路分別對(duì)兩組晶閘管進(jìn)行觸發(fā)可以嗎？謝謝。
2018-12-21 12:11:04
雙極結(jié)晶體管電路輸入振幅變大為什么會(huì)導(dǎo)致失真呢？是什么原因呢？
2023-04-21 16:13:13
電機(jī)驅(qū)動(dòng)市場(chǎng)特別是家電市場(chǎng)對(duì)系統(tǒng)的能效、尺寸和穩(wěn)健性的要求越來越高。 為滿足市場(chǎng)需求，意法半導(dǎo)體針對(duì)不同的工況提供多種功率開關(guān)技術(shù)，例如， IGBT和最新的超結(jié)功率MOSFET。 本文在實(shí)際
2018-11-20 10:52:44
如何用Multisim10進(jìn)行數(shù)據(jù)采集？如何用LabVIEW顯示單結(jié)晶體管伏安特性？
2021-04-09 06:13:03
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此。現(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 06:13:27
圖5-1中所示的單結(jié)晶體管時(shí)間繼電器屬于斷電延時(shí)型繼電器，是一種在斷電后能延時(shí)工作的時(shí)間繼電器。該時(shí)間繼電器可代替普通機(jī)械式斷電延時(shí)繼電器。圖5-1 單結(jié)晶體管時(shí)間繼電器電路該時(shí)間繼電器電路由穩(wěn)壓
2023-02-06 16:21:59
低價(jià)銷售成品PCB（單相橋式半控整流電路及單結(jié)晶體管觸發(fā)電路）每塊40元，不包含元器件，有意者從速
2012-12-09 12:11:45
和頻率電子應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)更高的效率而制造的。ST’s vipergan50高電壓轉(zhuǎn)換器我們首先要宣布的是來自意法半導(dǎo)體的消息。最近，它推出了 VIPERGAN50，一種基于 GaN 晶體管的功率轉(zhuǎn)換器，為
2022-06-15 11:43:25
程控單結(jié)晶體管，簡(jiǎn)稱PUT，是PNPN四層三端器件。其結(jié)構(gòu)、電路符號(hào)、等效電路和基本電路如下圖所示。 PUT的門極G（控制柵極）引自靠近陽極的N區(qū)，結(jié)構(gòu)上像一種N柵可控硅。(a)PUT的結(jié)構(gòu)；(b
2018-01-22 15:23:21
程控單結(jié)晶體管(PUT)具有敏發(fā)炅敏度高、速度快、功耗低和動(dòng)態(tài)電阻小等優(yōu)點(diǎn)，因此廣泛應(yīng)用于各種脈沖電路和晶閘管控制系統(tǒng)。PUT張弛振蕩電路上圖是PUT的基本張弛振蕩電路。它和普通單結(jié)晶體管張弛
2018-01-23 11:47:39
意法半導(dǎo)體官方的庫怎么搞？求解答
2021-12-15 07:31:43
請(qǐng)問單結(jié)晶體管BT33可以和場(chǎng)效應(yīng)管BT33互換嗎？
2023-03-22 11:09:11
單結(jié)晶體管又叫雙基極二極管，它的符號(hào)和外形見附圖。來源：上上電子網(wǎng)——W W W .dianzi333.com 判斷單結(jié)晶體管發(fā)射極E的方法是：把萬用表置于R*100擋或R*1K擋，黑表筆接假設(shè)
2013-05-27 15:23:44
RC與單結(jié)晶體管振蕩器通常的器件都是正阻特性的，即端電壓增加，電流也增加。但單結(jié)晶體管及一些其它器件則具有負(fù)阻特性，即端電壓增加，電流反而下降。負(fù)阻特性在振蕩
2009-09-22 09:33:50
0 單結(jié)晶體管（雙基極二極管）原理單結(jié)晶體管B1和B2的判斷方法是：把萬用表置于R*100擋或R*1K擋，用黑表筆接發(fā)射極，紅表筆分別接另外兩極，兩次測(cè)量中，電阻大的
2010-01-13 16:19:4873 單結(jié)晶體管原
2006-04-16 23:34:16
12568 
單結(jié)晶體管
2006-04-16 23:35:192226 
單結(jié)晶體管原理
2006-06-30 13:15:30792 （1）單結(jié)晶體管觸發(fā)電路如圖3-5所示
圖3-5 單結(jié)晶體管觸發(fā)電路原理
2008-09-25 21:53:1441383 
12V單結(jié)晶體管充電電路圖
2009-01-10 11:59:46812 
單結(jié)晶體管單穏觸發(fā)器電路圖
2009-04-06 08:38:31797 
單結(jié)晶體管脈沖發(fā)生器電路圖
2009-04-07 09:26:16692 
單結(jié)晶體管順序定時(shí)器電路圖
2009-04-14 09:15:482216 
12V單結(jié)晶體管充電電路
2009-04-17 11:23:01532 
單結(jié)晶體管(雙基極二極管)的工作原理
單結(jié)晶體管又叫雙基極二極管，它的符號(hào)和外形見附圖。
2009-04-26 11:50:264342 
單結(jié)晶體管原理(UJT-基極二極管)
單結(jié)晶體管（簡(jiǎn)稱UJT）又稱基極二極管，它是一種只有一個(gè)PN結(jié)和兩個(gè)電阻接觸電極的半導(dǎo)體器件，它的基
2009-04-26 15:11:162663 
單結(jié)晶體管基本電路圖
2009-05-08 14:01:32965 
單結(jié)晶體管的結(jié)構(gòu)
晶閘管的觸發(fā)電路有很多，其中比較常見的有單結(jié)晶體管觸發(fā)電路。單結(jié)晶體管又稱雙基極二極管，有一個(gè)發(fā)射極
2009-06-20 22:38:542273 
單結(jié)晶體管的結(jié)構(gòu)、符號(hào)和等效電路
晶閘管的觸發(fā)電路有很多，其中比較常見的有單結(jié)晶體管觸發(fā)電路。單結(jié)晶
2009-06-20 22:39:2013185 單結(jié)晶體管的檢測(cè)
2.2.1 發(fā)射極E 的判別把萬用表置于R伊100贅擋或R伊1k贅擋，黑表筆接假設(shè)的發(fā)射極，紅表筆接另外兩極，當(dāng)
2009-06-20 22:41:315344 
單結(jié)晶體管（雙基極二極管）原理
單結(jié)晶體管又叫雙基極二極管，它的符號(hào)和外形見附圖。
2009-07-16 22:55:53782 單結(jié)晶體管原理
單結(jié)晶體管（簡(jiǎn)稱UJT）又稱基極二極管，它是一種只有一個(gè)PN結(jié)和兩個(gè)電阻接觸電極的半導(dǎo)體器件，它的基片為條狀的高阻N型硅片，兩端分別
2009-07-16 22:59:06885 單結(jié)晶體管（雙基極二極管）原理
單結(jié)晶體管又叫雙基極二極管，它的符號(hào)
2009-07-25 11:34:361676
單結(jié)晶體管（雙基極二極管）
2009-07-25 14:43:43607
單結(jié)晶體管的符號(hào)及等效電路圖
2009-07-31 17:35:555952 
如何測(cè)量單結(jié)晶體管的分壓比
2009-08-12 11:44:511770 
如何速測(cè)單結(jié)晶體管
2009-08-12 11:47:15872 
單結(jié)晶體管工作
2009-11-07 09:17:39718
單結(jié)晶體管
2009-11-07 09:26:01723 程控單結(jié)晶體管(PUT)應(yīng)用及原理
程控單結(jié)晶體管PUT（Programmable Uniguction Tr-ansistor），又稱可編程
2010-02-06 09:37:173946 
雙基極二極管/單結(jié)晶體管是什么意思
單結(jié)晶體管又叫雙基極二極管，是具有一個(gè)PN結(jié)的三端負(fù)阻器件。
2010-02-27 15:54:092107 單結(jié)晶體管的結(jié)構(gòu)和等效電路
單結(jié)晶體管的外形圖如圖1所示。在一個(gè)低摻雜的N型硅棒上利用擴(kuò)散工藝形成一個(gè)高摻雜P區(qū)，在P區(qū)與N區(qū)接觸面形成PN結(jié)，就構(gòu)成單結(jié)晶
2010-02-27 15:56:102418 單結(jié)晶體管的特性/主要參數(shù)
單結(jié)晶體管的特性
從圖1可以看出，兩基極b1與b2之間的電阻稱為基極電阻：rbb=rb1+rb2式中：rb1----第一基極與發(fā)射結(jié)之間的
2010-02-27 15:58:191788 單結(jié)晶體管原理是什么?
單結(jié)晶體管（簡(jiǎn)稱UJT）又稱雙基極二極管，它是一種只有一個(gè)PN結(jié)和兩個(gè)電阻接觸電極的半導(dǎo)體器件，它
2010-02-27 16:00:55575 單結(jié)晶體管各管腳的判別方法/性能好壞的判斷
單結(jié)晶體管各管腳的判別方法
判斷單結(jié)晶體管發(fā)射極E
2010-02-27 16:03:305820 單結(jié)晶體管的應(yīng)用
單結(jié)晶體管具有大的脈沖電流能力而且電路簡(jiǎn)單，因此在各種開關(guān)應(yīng)用中，在構(gòu)成定時(shí)電路或觸發(fā)SCR等方面獲得了廣泛應(yīng)用。它的開關(guān)特性具有很高
2010-02-27 16:04:101862 單結(jié)晶體管（雙基極二極管）結(jié)構(gòu)原理簡(jiǎn)介
單結(jié)晶體管又叫雙基極二極管，它的符號(hào)和外形見附圖。
2010-03-03 11:33:031566 單結(jié)晶體管開關(guān)電路原理圖
2010-03-29 15:50:582055 
單結(jié)晶體管構(gòu)成弛張振蕩電路
單結(jié)晶體管構(gòu)成的弛張振蕩電路如圖2-55（a）所示。設(shè)電容器的初始電壓為0。接通電源后電源通過電阻R
2010-05-11 11:27:346053 
單結(jié)晶體管構(gòu)成晶閘管觸發(fā)電路
用單結(jié)晶體管構(gòu)成的晶閘管觸發(fā)電路如圖1 所示，觸發(fā)電路的有關(guān)電壓波形如圖2 所示。與單結(jié)晶體管
2010-05-11 11:34:275379 
單結(jié)晶體管又叫雙基極二極管，判斷單結(jié)晶體管發(fā)射極E的方法是：把萬用表置于R*100擋或R*1K擋
2011-02-15 11:22:323162 
單結(jié)晶體管又叫雙基極二極管，它的符號(hào)和外形見附圖。判斷單結(jié)晶體管發(fā)射極E的方法是：把萬用表置于R*100擋或R*1K擋，黑表筆接假設(shè)的發(fā)射極
2012-04-01 16:40:3113117 
電子專業(yè)單片機(jī)相關(guān)知識(shí)學(xué)習(xí)教材資料——程控單結(jié)晶體管
2016-08-22 16:18:030 電子專業(yè)單片機(jī)相關(guān)知識(shí)學(xué)習(xí)教材資料——單結(jié)晶體管的管腳判別
2016-08-22 16:18:030 單結(jié)晶體管的管腳判別,Detection of transistors
關(guān)鍵字：?jiǎn)?b class="flag-6" style="color: red">結(jié)晶體管的管腳判別
單結(jié)晶體管又叫雙基極二極管
2018-09-20 18:24:441509 判斷單結(jié)晶體管發(fā)射極E的方法是將萬用表置于R * 100或R * 1K，黑色表連接假想發(fā)射器，紅色表連接其他兩個(gè)極，當(dāng)有兩個(gè)時(shí)，低電阻，黑電表連接。單結(jié)晶體管的發(fā)射極。
2019-09-22 09:33:5617157 
程控單結(jié)晶體管PUT（Programmable Uniguction Tr-ansistor），又稱可編程單結(jié)晶體管或可調(diào)單結(jié)晶體管，程控單結(jié)晶體管實(shí)質(zhì)上是一個(gè)N極門控晶閘管的功能，但因它與
2020-07-13 17:09:2816 單結(jié)晶體管是半導(dǎo)體器件，又稱基極二極管，雖然有三個(gè)管腳，但它只有一個(gè)發(fā)射極和兩個(gè)基極，所以把它叫做雙基極二極管。 ? 單結(jié)晶體管工作原理： 在電路中讓基極b2和基極b1電位較正，單結(jié)晶體管處于截止
2021-08-12 14:39:149922 2021年10月26日，中國——STPOWER MDmeshK6 新系列超級(jí)結(jié)晶體管改進(jìn)多個(gè)關(guān)鍵參數(shù)，最大限度減少系統(tǒng)功率損耗，特別適合基于反激式拓?fù)?/b>的照明應(yīng)用，例如， LED 驅(qū)動(dòng)器、HID
2021-10-28 10:41:251491 單結(jié)晶體管調(diào)速電路1原理圖下載
2022-02-09 13:50:085 單結(jié)晶體管是一種特殊的電子元件，可以用來實(shí)現(xiàn)弛張振蕩，圖1給出的是一個(gè)典型電路。電路利用了單結(jié)晶體管的負(fù)阻特性，其工作原理如下：電容C在接通電源時(shí)經(jīng)R1充電，其電壓逐漸上升，達(dá)到單結(jié)晶體管的導(dǎo)通電
2022-11-11 09:03:401342 單結(jié)晶體管只有一個(gè)PN結(jié)和兩個(gè)電阻接觸電極的半導(dǎo)體器件，它的基片為條狀的高阻N型硅片，兩端分別用歐姆接觸引出兩個(gè)基極b1和b2，在硅片中間略偏b2一側(cè)用合金法制作一個(gè)P區(qū)作為發(fā)射極e。單結(jié)晶體管廣泛應(yīng)用在振蕩、延時(shí)和觸發(fā)等電路中，最常見的電路就是馳張振蕩器電路。
2023-02-11 17:30:191775 
，P型半導(dǎo)體引出的電極為發(fā)射極e；N型半導(dǎo)體的兩端引出兩個(gè)電極，分別為基極 b 1 b_1 b1和基極 b 2 b_2 b2。單結(jié)晶體
管因有兩個(gè)基極，故也稱為雙基極晶體管。
2023-03-06 15:35:581
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