8Gb DDR4生產(chǎn)率提高20%以上，下半年量產(chǎn) 據(jù)筆者此前獲悉，在今年3月，三星開始大規(guī)模量產(chǎn)12GB 低功耗雙倍數(shù)率的LPDDR4X后，三星又宣布首次開發(fā)出第三代10nm級(jí)1z nm 8Gb雙倍
2019-10-22 10:41:21
4639 FinFET制程技術(shù)量產(chǎn)階段的臺(tái)積電，也傳出將投入大量研發(fā)資金確保10nm制程技術(shù)發(fā)展進(jìn)度，預(yù)期將進(jìn)一步與三星抗衡，至于Intel方面也確定將在 2016年下半年間進(jìn)入10nm制程技術(shù)量產(chǎn)。
2015-05-28 10:23:16990 Samsung 5 日宣佈正式量產(chǎn)全球首款採(cǎi)用 10nm 制程生產(chǎn)的 DDR4 DRAM 顆粒，加快半導(dǎo)體市場(chǎng)邁向更精密的 10nm 制程工藝之路，繼 2014 年首個(gè)量產(chǎn) 20nm 制程 DDR3 記憶體顆粒，成為業(yè)界領(lǐng)先。
2016-04-06 09:04:56673 10nm新工藝難產(chǎn)，Intel不得不臨時(shí)增加了第三代的14nm工藝平臺(tái)Kaby Lake，但即便如此進(jìn)展也不快，Intel甚至將其描述為“2017年平臺(tái)”（2017 Platform）。
2016-07-11 09:44:081243 據(jù)三星官網(wǎng)新聞，韓國(guó)巨頭宣布推出業(yè)界首款8GB LPDDR4 DRAM成片。此次的8GB LPDDR4內(nèi)存芯片采用16Gb顆粒，10nm級(jí)（10nm~20nm之間）工藝制造，可實(shí)現(xiàn)與20nm級(jí)4GB
2016-10-20 10:55:481662 今日早報(bào)：英特爾收購(gòu)虛擬現(xiàn)實(shí)廠商Voke；三星第三代10nm制程細(xì)節(jié)公布；中芯深圳啟動(dòng)華南首條12英寸集成電路生產(chǎn)線項(xiàng)目；萊迪思半導(dǎo)體接受中資背景Canyon Bridge收購(gòu)要約；我國(guó)可穿戴醫(yī)療
2016-11-04 09:39:032779 今年底明年初TSMC、三星的10nm工藝就會(huì)量產(chǎn)了，Intel的真·10nm處理器也會(huì)在明年下半年發(fā)布，而GlobalFoundries已經(jīng)確定跳過10nm節(jié)點(diǎn)，他們下一個(gè)高性能工藝直接殺向了7nm，也不再選擇三星授權(quán)，是自己研發(fā)的。
2016-11-08 11:57:171073 此外，三星還計(jì)劃在今年下半年批量生產(chǎn)基于第三代10nm 級(jí)(1z)工藝技術(shù)的16Gb LPDDR5產(chǎn)品，以配合6400Mb / s 芯片組的開發(fā)。這將有利于三星進(jìn)一步鞏固其在高端移動(dòng)設(shè)備、高端個(gè)人電腦和汽車應(yīng)用程序等市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。
2020-02-25 18:39:172952 45 nm、300 mm晶圓廠量產(chǎn)45 nm MPU：(1)美國(guó)俄勒岡州Fab PID廠，2007年下半年量產(chǎn)；(2)美國(guó)亞利桑那州Fab 32廠，投資30億美元，2007年末量產(chǎn)；(3)以色列Fab
2019-07-01 07:22:23
DDR內(nèi)存格式發(fā)展歷程（DDR~DDR4） 一、DDR DDR=Double Data Rate雙倍速內(nèi)存。嚴(yán)格的說DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM，人們習(xí)慣稱為DDR，部分初學(xué)者也常看到DDR
2011-02-27 16:47:17
了三代索尼BRAVIA ENGINE引擎提升畫面質(zhì)量8、日歷帶農(nóng)歷，可完美顯示除年月日以外的農(nóng)歷節(jié)氣9、撥號(hào)器設(shè)置默認(rèn)開啟T9撥號(hào)10.優(yōu)化GPS定位實(shí)現(xiàn)秒定位刷機(jī)地址：***/thread-15037-1-1.html
2013-06-27 09:51:33
三星電子近日在國(guó)際學(xué)會(huì)“IEDM 2015”上就20nm工藝的DRAM開發(fā)發(fā)表了演講。演講中稱，三星此次試制出了20nm工藝的DRAM，并表示可以“采用同樣的方法，達(dá)到10nm工藝”。 國(guó)際電子器件
2015-12-14 13:45:01
三星宣布將開發(fā)手持式裝置用的ＲＦＩＤ（ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）讀取芯片，能讓使用者透過手機(jī)得知產(chǎn)品和服務(wù)信息，但三星并未透露產(chǎn)品何時(shí)上市。 三星指出，ＲＦＩＤ
2019-07-04 07:26:16
硅材料的研究也非常透徹。基于硅材料上器件的設(shè)計(jì)和開發(fā)也經(jīng)過了許多代的結(jié)構(gòu)和工藝優(yōu)化和更新，正在逐漸接近硅材料的極限，基于硅材料的器件性能提高的潛力愈來愈小。以氮化鎵、碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體具備優(yōu)異
2017-05-15 17:09:48
KSZ8873RLL-EVAL，KSZ8873RLL評(píng)估板是第三代完全集成的3端口開關(guān)。 KSZ8873RLL的兩個(gè)PHY單元支持10BASE-T和100BASE-TX。 KSZ8873RLL支持
2020-05-15 08:48:50
UTC-1212SE
第三代無線通信模塊
產(chǎn)品描述
【產(chǎn)品特點(diǎn):】配我們公司專門的高增益8.5cm棒狀天線，開闊地距離可以達(dá)到700-1000米！
(1) 配置我們
2010-12-02 20:31:50
３Ｇ定義 ３Ｇ是英文３rd Generation的縮寫，至第三代移動(dòng)通信技術(shù)。相對(duì)于第一代模擬制式手機(jī)（１Ｇ）和第二代GSM、TDMA等數(shù)字手機(jī)（２Ｇ）來說，第三代手機(jī)是指將無線通信與國(guó)際互聯(lián)網(wǎng)等
2019-07-01 07:19:52
的速率 提高是有限的。為此，許多效率更高的調(diào)制方案紛紛出臺(tái)，例如在TDMA/136+中，多時(shí)隙操作和新的調(diào)制方案8PSK（基于30kHz的載波帶寬）的結(jié) 合將使數(shù)據(jù)率提高大約4倍。第三代無線通信
2009-11-13 21:32:08
）第三代紅外攝像機(jī)技術(shù)散熱性能好、發(fā)光點(diǎn)大、亮度高等特點(diǎn)大大提高了紅外燈的使用效率，并且采用獨(dú)特的COB封裝技術(shù)能有效地將紅外燈5年內(nèi)的光衰減控制在10%以內(nèi)，比陣列式的使用壽命延長(zhǎng)5年。在使用壽命上
2011-02-19 09:35:33
是激光紅外與傳統(tǒng)紅外的4-5倍，散熱性能良好，質(zhì)量等級(jí)高，將廣泛應(yīng)用安放民用市場(chǎng)與工程項(xiàng)目市場(chǎng)。IR-III與激光紅外差別距離：帕特羅（PATRO）第三代紅外攝像機(jī)產(chǎn)品照射距離30～100米，適合中短
2011-02-19 09:38:46
消息轉(zhuǎn)換成語(yǔ)音播報(bào)，保證了安全駕駛，增強(qiáng)了在線互動(dòng)體驗(yàn)。凌度DT298第三代聯(lián)網(wǎng)記錄儀采用的是循環(huán)錄像，車主完全不用擔(dān)心內(nèi)存不夠用，在正常情況下，舊的視頻資料在設(shè)定時(shí)間之后會(huì)被新視頻覆蓋掉。如果有非常重要
2019-01-08 15:44:58
LED:節(jié)能環(huán)保的第三代照明技術(shù)1、半導(dǎo)體照明 LED：變革照明的第三代革命1.1LED 代替白熾燈—任重而道遠(yuǎn)自 20 世紀(jì) 60 年代世界第一個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光二極管誕生以來，LED 照明因具 有
2011-09-28 00:12:44
`第一代沒有留下痕跡。第二代之前在論壇展示過：https://bbs.elecfans.com/jishu_282495_1_1.html現(xiàn)在第三代誕生：`
2013-08-10 15:35:19
臺(tái)積電與三星的10nm工藝。智能手機(jī)的普及，大大地改變了現(xiàn)代人們的生活方式，言猶在耳的那句廣告詞——“科技始終來自于人性”依舊適用，人們對(duì)于智能手機(jī)的要求一直是朝向更好、更快以及更省電的目標(biāo)。就像
2018-06-14 14:25:19
三星ic，大量求購(gòu)三星ic，帝歐還長(zhǎng)期回收ssd固態(tài)硬盤，回收服務(wù)器內(nèi)存條，回收硬盤，回收cpu,回收芯片，回收傳感器，收購(gòu)連接器，收購(gòu)鉭電容，回收sd卡，收購(gòu)tf卡。回收工廠庫(kù)存ic，大量收購(gòu)工廠庫(kù)存
2021-05-28 19:17:34
專業(yè)收購(gòu)三星ddr帝歐電子高價(jià)回收三星ddr，長(zhǎng)期求購(gòu)三星ddr，帶板的也收，大量收購(gòu)！！！帝歐趙生***QQ1816233102/879821252郵箱dealic@163.com。求購(gòu)三星（K9
2021-04-06 18:09:48
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2021-10-26 19:13:52
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2020-12-01 17:34:19
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2021-09-03 19:23:00
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2021-04-28 18:52:33
據(jù)業(yè)內(nèi)權(quán)威人士透露，我國(guó)計(jì)劃把大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，寫入“十四五”規(guī)劃，計(jì)劃在2021-2025年期間，在教育、科研、開發(fā)、融資、應(yīng)用等等各個(gè)方面，大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，...
2021-07-27 07:58:41
將達(dá)到3200MT/s，于2012年推出市場(chǎng)，到2013年時(shí)運(yùn)行電壓將改進(jìn)至1V。然而到了2011年1月，三星電子宣布完成DDR4 DRAM模塊的制造和測(cè)試，采用30nm級(jí)工藝，數(shù)據(jù)傳輸率為
2022-10-26 16:37:40
什么是第三代移動(dòng)通信答復(fù)：第三代移動(dòng)通信系統(tǒng)IMT2000，是國(guó)際電信聯(lián)盟（ITU）在1985年提出的，當(dāng)時(shí)稱為陸地移動(dòng)系統(tǒng)（FPLMTS）。1996年正式更名為IMT2000。與現(xiàn)有的第二代移動(dòng)
2009-06-13 22:49:39
隨著第三代移動(dòng)通信技術(shù)的興起，UMTS網(wǎng)絡(luò)的建立將帶來一場(chǎng)深刻的革命，這對(duì)網(wǎng)絡(luò)規(guī)劃也提出了更高的要求。在德國(guó)轟動(dòng)一時(shí)的UMTS執(zhí)照拍賣，引起了公眾對(duì)這一新技術(shù)的極大興趣。第三代移動(dòng)通信網(wǎng)絡(luò)的建設(shè)正方
2019-08-15 07:08:29
IR-III技術(shù)定義(IR-III Technology Definition)IR-III技術(shù)即紅外夜視第三代技術(shù)，根植于上世紀(jì)60年代美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室發(fā)明的紅外夜視技術(shù)，屬于一種主動(dòng)式紅外
2011-02-19 09:34:33
日前，我國(guó)第三代導(dǎo)航衛(wèi)星——北斗三號(hào)的首批組網(wǎng)衛(wèi)星（2顆）以“一箭雙星”的發(fā)射方式順利升空，它標(biāo)志著我國(guó)正式開始建造“北斗”全球衛(wèi)星導(dǎo)航系統(tǒng)。那么，北斗三號(hào)與前兩代“北斗”導(dǎo)航衛(wèi)星，即北斗一號(hào)、北斗二號(hào)有什么不同？它都采用了哪些新技術(shù)？2017年下半年 中國(guó)計(jì)劃發(fā)射4顆北斗三號(hào)全球組網(wǎng)衛(wèi)星
2019-08-16 07:11:41
的寬度，也被稱為柵長(zhǎng)。柵長(zhǎng)越短，則可以在相同尺寸的硅片上集成更多的晶體管。目前，業(yè)內(nèi)最重要的代工企業(yè)臺(tái)積電、三星和GF（格羅方德），在半導(dǎo)體工藝的發(fā)展上越來越迅猛，10nm制程才剛剛應(yīng)用一年半，7n...
2021-07-29 07:19:33
：dealic@163.com回收三星DDR，回收海力士DDR，回收南亞DDR，回收爾必達(dá)DDR，回收美光DDR，回收DDR2，回收DDR3（新舊/拆機(jī)/帶板均可）帝歐還回收帶板DDR，收購(gòu)帶板DDR，回收拆機(jī)DDR，收購(gòu)
2021-07-15 19:36:21
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2021-12-27 19:25:08
早有計(jì)劃。 2017年，三星與NXP達(dá)成代工合同，從這一年起，NXP的IoT SoC i.MX系列將通過三星28nm FD-SOI工藝批量生產(chǎn)，并計(jì)劃2018年將三星的eMRAM嵌入式存儲(chǔ)器技術(shù)將用于下一代
2023-03-21 15:03:00
市場(chǎng)占有率(Gartner市場(chǎng)調(diào)研)2016上半年的占有率是三星第一、蘋果第二、華為第三;而2016下半年市場(chǎng)變化很大，看小編整理的材料：華為作為后起之秀，最近風(fēng)頭很勁，大有沖刺問鼎之勢(shì)14年華為發(fā)布
2016-12-30 17:29:35
年收購(gòu)電子芯片，收購(gòu)電子IC，收購(gòu)DDR ,收購(gòu)集成電路芯片，收購(gòu)內(nèi)存芯片，大量回收SDRAM、DRAM、SRAM、DDR內(nèi)存芯片系列，三星，現(xiàn)代，閃迪，金士頓，鎂光，東芝，南亞，爾必達(dá)，華邦等各原裝品牌。帝
2021-08-20 19:11:25
基于第三代移動(dòng)通信系統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)的ALC控制方案的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
2021-01-13 06:07:38
家族中的新成員。 相較于前兩代二極管，基本半導(dǎo)體第三代碳化硅肖特基二極管在沿用6英寸晶圓工藝基礎(chǔ)上，實(shí)現(xiàn)了更高的電流密度、更小的元胞尺寸、更低的正向?qū)▔航怠！ 』景雽?dǎo)體第三代碳化硅肖特基二極管繼承
2023-02-28 17:13:35
三星ic，大量求購(gòu)三星ic，帝歐還長(zhǎng)期回收ssd固態(tài)硬盤，回收服務(wù)器內(nèi)存條，回收硬盤，回收cpu,回收芯片，回收傳感器，收購(gòu)連接器，收購(gòu)鉭電容，回收sd卡，收購(gòu)tf卡。回收工廠庫(kù)存ic，大量收購(gòu)工廠庫(kù)存
2020-12-14 16:00:38
淺析第三代移動(dòng)通信功率控制技術(shù)
2021-06-07 07:07:17
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2021-01-30 17:36:35
年首款DDR4從韓國(guó)三星誕生，隨后海力士迅速跟進(jìn)研制生產(chǎn)；2012年5月8日，美光官方正式宣布該公司首款DDR4內(nèi)存開發(fā)生產(chǎn)出成品，并已經(jīng)開始提供樣品給主要客戶進(jìn)行測(cè)試，預(yù)計(jì)2013年開始量產(chǎn)
2012-12-30 18:45:31
本文討論了移動(dòng)通信向第三代(3G)標(biāo)準(zhǔn)的演化與發(fā)展，給出了范圍廣泛的3G發(fā)射機(jī)關(guān)鍵技術(shù)與規(guī)范要求的概述。文章提供了頻分復(fù)用(FDD)寬帶碼分多址(WCDMA)系統(tǒng)發(fā)射機(jī)的設(shè)計(jì)和測(cè)得的性能數(shù)據(jù)，以Maxim現(xiàn)有的發(fā)射機(jī)IC進(jìn)行展示和說明。
2019-06-14 07:23:38
DDR4。帝歐趙生***QQ1816233102/764029970郵箱dealic@163.com。回收三星DDR，回收海力士DDR，回收南亞DDR，回收爾必達(dá)DDR，回收美光DDR，回收DDR
2021-03-17 17:59:10
導(dǎo)讀：蘋果第三代AirPods預(yù)計(jì)會(huì)在今年年底前上市。 4月24日，據(jù)產(chǎn)業(yè)鏈最新消息，蘋果正在準(zhǔn)備第三代AirPods，預(yù)計(jì)會(huì)在今年年底前上市，而今年3月份蘋果剛剛發(fā)布了AirPods的第二代
2019-04-27 09:28:37
開始生產(chǎn)。此舉也創(chuàng)下二次擊敗勁敵三星、獨(dú)吃蘋果處理器大單的新記錄，2017年?duì)I收持續(xù)增長(zhǎng)基本沒什么問題。剛剛失去蘋果訂單的三星，日前宣布Note6將用上基于10nm工藝的6GB LPDDR4內(nèi)存，并將于今年下半年上市。這樣一來，臺(tái)積電和三星以及蘋果的性能之爭(zhēng)，就轉(zhuǎn)移到Note 6和iPhone 7身上。`
2016-07-21 17:07:54
年下半年才會(huì)推出，較預(yù)期晚至少半年以上。 英特爾不僅在第二季度財(cái)報(bào)中下調(diào)了全年業(yè)績(jī)預(yù)期，而且在財(cái)報(bào)會(huì)議后的分析師電話會(huì)議上，英特爾 CEO 柯再奇確認(rèn)，其采用下一代制造工藝 10nm
2016-01-25 09:38:11
分享小弟用第三代太陽(yáng)能的心得。
最近看了很多資料對(duì)第三代太陽(yáng)能的介紹，諸多的評(píng)論都說到他的優(yōu)勢(shì)，小弟于是購(gòu)買了這種叫第三代的太陽(yáng)能－砷化鎵太陽(yáng)能模塊。想說，現(xiàn)在硅晶的一堆
2010-11-27 09:53:27
dealic@163.com。長(zhǎng)期收購(gòu)三星芯片，高價(jià)收購(gòu)手機(jī)三星芯片。保證價(jià)格好，歡迎您有貨來電咨詢，幫您快速處理庫(kù)存。帝歐還長(zhǎng)期回收ssd固態(tài)硬盤，回收服務(wù)器內(nèi)存條，回收硬盤，回收cpu,回收芯片，回收傳感器，收購(gòu)連接器
2021-07-06 19:32:41
三星ddr3 ：DDR3/64*16/K4B1G1646G-BCKODDR3/128*16/K4B2G1646Q-BCKODDR3/128*16/K4B2G1646Q-BYKODDR3/128*16
2021-09-23 19:20:15
Intel Xeon?鉑金處理器（第三代）Intel? Xeon?鉑金處理器（第三代）是安全、敏捷、數(shù)據(jù)中心的基礎(chǔ)。這些處理器具有內(nèi)置AI加速、先進(jìn)的安全技術(shù)和出色的多插槽處理性能，設(shè)計(jì)用于任務(wù)關(guān)鍵
2024-02-27 11:57:15
Intel Xeon?金牌處理器（第三代）Intel? Xeon?金牌處理器（第三代）支持高內(nèi)存速度和增加內(nèi)存容量。Intel? Xeon?金牌處理器具有更高性能、先進(jìn)的安全技術(shù)以及內(nèi)置工作負(fù)載加速
2024-02-27 11:57:49
Intel Xeon?可擴(kuò)展處理器（第三代）Intel?Xeon?可擴(kuò)展處理器（第三代）針對(duì)云、企業(yè)、HPC、網(wǎng)絡(luò)、安全和IoT工作負(fù)載進(jìn)行了優(yōu)化，具有8到40個(gè)強(qiáng)大的內(nèi)核和頻率范圍、功能和功率級(jí)別
2024-02-27 11:58:54
三星首家量產(chǎn)40nm級(jí)工藝4Gb DDR3綠色內(nèi)存芯片
三星電子宣布，該公司已經(jīng)在業(yè)內(nèi)第一家使用40nm級(jí)別工藝批量生產(chǎn)低功耗的4Gb DDR3內(nèi)存芯片。
這種內(nèi)存芯片支
2010-02-26 11:33:42779 特爾的10nm工藝可是要完全領(lǐng)先臺(tái)積電和三星的10nm工藝。
2017-01-09 11:46:04728 據(jù)韓媒報(bào)道，高通已經(jīng)與三星攜手，合作開發(fā)下一代手機(jī)處理器。繼去年10月份三星率先量產(chǎn)第一代10nm LPE（low-power early）工藝處理器后，日前已經(jīng)完成第二代10nm LPP
2017-04-25 10:39:02764 據(jù)報(bào)道，三星第二代10nm級(jí)別的1y-nm 8Gb DDR4顆粒已經(jīng)正式投產(chǎn)了，8Gb DDR4顆粒采取了先進(jìn)的專用電路設(shè)計(jì)技術(shù)，比初代10nm級(jí)別（1x-nm）的高30%，并且高頻內(nèi)存要以3600MHz起步。
2017-12-21 11:42:512785 目前在售的紫光DDR4內(nèi)存并沒有使用國(guó)產(chǎn)顆粒，而是SK Hynix顆粒，是韓國(guó)公司的顆粒，也就是說現(xiàn)在的國(guó)內(nèi)DDR4內(nèi)存依然是掛羊頭賣狗肉，跟市場(chǎng)上其他內(nèi)存條沒有什么區(qū)別，國(guó)產(chǎn)的只是PCB之類的。不過店家也很坦誠(chéng)，說紫光顆粒的DDR4內(nèi)存下半年問世。
2018-03-05 09:36:013022 中芯國(guó)際聯(lián)席CEO梁孟松透露，中芯國(guó)際將在2018年下半年量產(chǎn)28nm HKC+工藝，2019年上半年開始試產(chǎn)14nm FinFET工藝，并藉此進(jìn)入AI芯片領(lǐng)域。
2018-05-14 14:52:005009 12月20日，三星宣布已開始量產(chǎn)第二代10nm級(jí)8Gb DDR4 DRAM，并持續(xù)擴(kuò)大整體10nm級(jí)DRAM的生產(chǎn)，有助于滿足全球不斷飆升的DRAM芯片需求，繼續(xù)加強(qiáng)三星市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。
2018-07-31 14:55:25723 三星宣布推出基于10nm級(jí)（指10~18nm）的DDR4 SO-DIMM內(nèi)存模組，用于高性能筆記本產(chǎn)品。新的內(nèi)存模組容量達(dá)到32GB單條，頻率2666MHz，結(jié)構(gòu)上是由16個(gè)16Gb DDR4
2018-08-06 16:38:014789 在Samsung Tech Day上，三星宣布7LPP工藝進(jìn)入量產(chǎn)，并表示基于EUV光刻技術(shù)的7LPP工藝對(duì)比現(xiàn)有的10nm FinFET工藝，可以提高20%性能、降低50%功耗、提升40%面積能效。
2018-10-22 10:05:403490 三星電子今天宣布，開始量產(chǎn)業(yè)界首款、采用第二代10nm工藝（1y-nm）級(jí)別的DRAM芯片。
2018-12-11 09:40:55763 近日，芯片巨頭Intel終于宣布其10nm芯片有望在2019年下半年開始出貨。
2018-12-16 10:07:181295 從去年下半年開始，不斷有消息稱，中芯國(guó)際將在2019年上半年大規(guī)模量產(chǎn)14nm工藝，雖然相比世界最先進(jìn)水平還有一定差距，但追趕勢(shì)頭已經(jīng)非常快了。
2019-02-28 09:41:232616 3月21日，三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場(chǎng)景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個(gè)月。
2019-03-21 16:43:083251 據(jù)消息，作為先進(jìn)存儲(chǔ)器技術(shù)的全球領(lǐng)導(dǎo)者，三星電子今（21）日宣布第三代10納米級(jí)（1z-nm）8GB超高性能和高功效的DRAM（Dynamic Random Access Memory
2019-03-21 17:30:541444 三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場(chǎng)景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個(gè)月。
2019-03-24 11:36:163659 柏燕民表示，中興的5G芯片已經(jīng)發(fā)展到了第三代產(chǎn)品，基于7納米工藝，相關(guān)產(chǎn)品將在下半發(fā)布
2019-06-28 10:27:403390 除了臺(tái)積電，三星如今在工藝方面也是十分激進(jìn)：7nm 7LPP去年十月投產(chǎn)之后，按照官方最新給出的時(shí)間表，6nm 6LPP將在今年下半年如期投入量產(chǎn)，5nm 5LPE今年內(nèi)完成流片、明年上半年量產(chǎn)，4nm 4LPE也會(huì)在年內(nèi)設(shè)計(jì)完畢。
2019-08-02 15:45:432671 日前美光公司宣布量產(chǎn)了1Znm工藝的16Gb DDR4內(nèi)存，這是第三代10nm級(jí)內(nèi)存工藝，這次量產(chǎn)也讓美光成為業(yè)界第一個(gè)量產(chǎn)1Znm工藝的公司，這一次進(jìn)度比以往的標(biāo)桿三星公司還要快。
2019-08-26 12:43:003359 三星電子有限公司（Samsung Electronics）在其官網(wǎng)上發(fā)布消息，該公司正式宣布，首次開發(fā)了第三代 10nm 制程工藝（1z-nm）8GB 超高性能和高功效的 DRAM（Dynamic Random Access Memory，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）。
2019-09-27 17:23:291003 10月21日，SK海力士宣布開發(fā)適用第三代1Z納米的16Gb（Gigabits）DDR4（Double Data Rate 4） DRAM。
2019-10-21 16:10:362869 高通昨晚發(fā)布了第三代5G基帶芯片——驍龍X50，使用的是5nm工藝。高通對(duì)5nm工藝的代工廠來源守口如瓶，不過外媒報(bào)道稱驍龍X60首發(fā)了三星的5nm工藝。
2020-02-19 15:09:362874 根據(jù)外媒WCCFTECH的報(bào)道，爆料消息稱英偉達(dá)的下一代GPU架構(gòu)將基于三星10nm制程，而不是之前報(bào)道的臺(tái)積電7nm工藝，據(jù)稱使用的10nm制程更接近于三星提供的8LPP技術(shù)，另外新的Tegra芯片也將使用相同的制程。
2020-03-12 16:28:462670 EUV，依靠現(xiàn)有的DUV（深紫外光刻）是玩不轉(zhuǎn)的。 有意思的是，三星最近竟然將EUV與相對(duì)上古的10nm工藝結(jié)合，用于量產(chǎn)旗下首批16Gb容量的LPDDR5內(nèi)存芯片。 據(jù)悉，三星的新一代內(nèi)存芯片是基于第三代10nm級(jí)（1z）工藝打造，請(qǐng)注意16Gb容量的后綴，是Gb而不是GB，16Gb對(duì)應(yīng)的其實(shí)是
2020-09-01 14:00:292234 最新的報(bào)道顯示，臺(tái)積電正在按計(jì)劃推進(jìn)3nm工藝在2022年下半年大規(guī)模量產(chǎn)，消息人士透露，臺(tái)積電為這一工藝在2022年下半年設(shè)定的月產(chǎn)能是5.5萬片晶圓。 隨著量產(chǎn)時(shí)間的延長(zhǎng)，3nm工藝的產(chǎn)能也將提升，外媒在報(bào)道中就表示，3nm工藝月產(chǎn)能在2023年將提升至每月10萬片晶
2020-11-25 13:52:561646 隨著Tiger Lake處理器的量產(chǎn)，Intel的10nm工藝已經(jīng)解決了產(chǎn)能、性能等問題，現(xiàn)在使用的是10nm SuperFin（以下簡(jiǎn)稱10nm SF）工藝，下半年則會(huì)有更新的增強(qiáng)版10nm SF工藝，12代酷睿會(huì)首發(fā)。
2021-01-14 09:48:283121 
隨著Tiger Lake處理器的量產(chǎn)，Intel的10nm工藝已經(jīng)解決了產(chǎn)能、性能等問題，現(xiàn)在使用的是10nm SuperFin（以下簡(jiǎn)稱10nm SF）工藝，下半年則會(huì)有更新的增強(qiáng)版10nm SF工藝，12代酷睿會(huì)首發(fā)。
2021-01-14 10:26:572224 1月15日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，根據(jù)臺(tái)積電公布的計(jì)劃，他們的3nm工藝，計(jì)劃在今年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，2022年下半年大規(guī)模量產(chǎn)。
2021-01-17 11:32:122840 在1月15日舉行的法人說明會(huì)上，臺(tái)積電透露了公司3nm工藝的研發(fā)情況。在今年下半年，臺(tái)積電3nm工藝將進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，并在2022年下半年開始批量生產(chǎn)。
2021-01-24 11:06:062146 英特爾全新設(shè)計(jì)和打造的12代酷睿處理器將會(huì)在今年下半年和大家正式見面，不出意外的話仍然是低壓筆記本率先使用，與目前的11代酷睿處理器相比，全新的12代酷睿處理器將會(huì)搭載改良版的10nm SuperFin工藝，同時(shí)支持DDR5內(nèi)存，并且搭載最新的LGA 1700接口與600芯片組。
2021-02-02 11:23:532955 臺(tái)積電董事長(zhǎng)劉德音近日受邀于2021年國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議（ISSCC 2021）開場(chǎng)線上專題演說時(shí)指出，臺(tái)積電3nm制程依計(jì)劃推進(jìn)，甚至比預(yù)期還超前了一些。3nm及未來主要制程節(jié)點(diǎn)將如期推出并進(jìn)入生產(chǎn)。臺(tái)積電3nm制程預(yù)計(jì)今年下半年試產(chǎn)，明年下半年進(jìn)入量產(chǎn)。
2021-02-21 10:49:292345 。 中興通訊呂錢浩指出，2020年9月上市的中興A20不僅是全球首款商用屏下攝像手機(jī)，采用的是到現(xiàn)在依然全球獨(dú)步的第三代屏下攝像技術(shù)！ 包含第三代CUD（Camera Under Display）屏下攝像、屏幕發(fā)聲、屏下光感、屏下指紋等業(yè)界領(lǐng)先或首創(chuàng)技術(shù)。今年下半年后甚至
2021-02-22 09:03:171827 2020年下半年，5nm芯片剛剛成為手機(jī)處理器市場(chǎng)主流時(shí)，臺(tái)積電和三星就已經(jīng)開始針對(duì)3nm工藝展開角逐。
2021-03-05 15:57:092168 三星公司計(jì)劃在下半年再次削減DRAM制程的產(chǎn)能，而今年以來這一減產(chǎn)主要針對(duì)DDR4。業(yè)界普遍預(yù)期，三星的目標(biāo)是在今年年底之前將庫(kù)存水平降至合理水平。這一減產(chǎn)舉措可能會(huì)導(dǎo)致DDR4市場(chǎng)價(jià)格上漲，而目前
2023-09-15 17:42:08996
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