一、模電知識復(fù)習(xí)
由于晶閘管在電力電子中討論的場景一般為高壓大電流場景,因此三極管放大區(qū)的相關(guān)描述在此略去不表,僅介紹截止區(qū)與飽和區(qū)狀態(tài)。
npn三極管的工作狀態(tài):
當(dāng)UC>UB,UE>UB時,三極管處于截止?fàn)顟B(tài),ICE≈0(同樣由于電力電子討論場景的緣故,PN結(jié)的導(dǎo)通電壓在此忽略不計)
當(dāng)UB>UC>UE時,三極管處于導(dǎo)通狀態(tài)。
pnp三極管的工作狀態(tài):
當(dāng)UB>UE,UB>UC時三極管處于截止?fàn)顟B(tài)。
當(dāng)UE>UB>UC時,三極管處于導(dǎo)通狀態(tài)。
二、晶閘管的構(gòu)造與等效電路
1.晶閘管的符號與構(gòu)造
晶閘管,又稱可控硅,是半控型器件。晶閘管共有三個端子,分別為陽極(Anode),門極(Gate)和陰極(Cathode),內(nèi)部結(jié)構(gòu)與電路等效示意圖也如圖中所示。
2.晶閘管工作原理的分析
參照單向晶閘管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖與等效電路圖可以看出,晶閘管實際上等效于一個pnp三極管與一個npn三極管將集電極與基極互聯(lián)形成的元件。基于此,我們可以對元件的工作狀態(tài)進行大致的分析:
1)當(dāng)UA
可以看到,此時無論怎么變換G極電壓,影響的只有等效電路圖中下方的npn三極管,上方的pnp三極管始終處于截止?fàn)顟B(tài),因而在擊穿元件前電流不可能通過,可以看出晶閘管具有反向截止功能。
2)當(dāng)UA>UK,UG<=UK時
通過分析可以看到,下方npn三極管仍處于關(guān)斷狀態(tài),此時僅有少部分漏電流通過器件,在正向電壓達到正向轉(zhuǎn)折電壓之前電流一直很小,晶閘管未開通。
3)當(dāng)UA>UK,UG>UK時
由于門極有觸發(fā)電流(注意此電流必須大于晶閘管擎住電流IL),下方的npn三極管首先打開,由于兩三極管將基極與集電極互聯(lián),三極管從發(fā)射極到集電極的電流也是另一個三極管從基極流入或流出的電流;通過三極管的工作特性可以知道,當(dāng)源極電流增大且未到達飽和區(qū)時,從發(fā)射極流向集電極的電流會以一定比例增大,由此再增大了基極電流,形成了一個正反饋的關(guān)系。此時如果在一定程度內(nèi)降低UG也無法關(guān)斷晶閘管,因此晶閘管為半控型器件。
3.晶閘管的關(guān)閉方式
晶閘管的關(guān)閉方式從本質(zhì)上來說就是要破壞兩個三極管之間的正反饋關(guān)系與三極管的導(dǎo)通條件,這兩個條件必須同時滿足方可關(guān)閉晶閘管,在這里討論兩個關(guān)斷晶閘管的方法:
1)移除陽極與陰極之間的電壓
移除電壓之后,pnp三極管的導(dǎo)通狀態(tài)被破壞,且陽極與陰極之間的電流也一并被移除,達成了上述的兩個條件,晶閘管被關(guān)斷。
2)在門極與陰極之間施加反向電壓與反向電流
需要注意的是,必須同時施加反向電壓與反向電流。反向電壓用來破壞npn三極管的導(dǎo)通狀態(tài),反向電流則是為了破壞兩個三極管之間的正反饋狀態(tài),實現(xiàn)對晶閘管的關(guān)斷。
4.晶閘管的特性
1)伏安特性
正向特性:
可以看到,當(dāng)電壓小于正向轉(zhuǎn)折電壓時,晶閘管內(nèi)流過的漏電流很小,小于維持電流IH,晶閘管不導(dǎo)通。當(dāng)正向電壓大于正向轉(zhuǎn)折電壓時,會產(chǎn)生類似于雪崩擊穿的效果,此時漏電流增大,通過我們前面的分析可以知道晶閘管可能會進入正反饋狀態(tài),晶閘管會進入導(dǎo)通狀態(tài)。此時如果沒有門電流,且陽極電流在維持電流以下,晶閘管會恢復(fù)到正向阻斷狀態(tài)。
反向特性:
當(dāng)反向電壓未達到反向擊穿電壓時,僅有極少的漏電流通過晶閘管,高于擊穿電壓后器件被擊穿損壞。
2)開關(guān)特性
開通特性:
當(dāng)陽極電流小于擎住電流時,晶閘管未開通,仍維持在較大水平(td階段);當(dāng)陽極電流上升至穩(wěn)態(tài)值的90%左右時,陽極與陰極之間的電壓達到穩(wěn)態(tài)值。
關(guān)斷特性:
在關(guān)斷時,首先應(yīng)減小陽極電流,與二極管的關(guān)斷過程類似,此時在P區(qū)與N區(qū)中仍存在電荷,因而電荷的運動產(chǎn)生了反向電流,在這個過程中電壓繼續(xù)下降,由于外電路電感作用電壓會出現(xiàn)一個波谷。從電壓開始變化到電壓恢復(fù)至施加的反向電壓這段時間成為反向阻斷恢復(fù)時間,從反向阻斷恢復(fù)時間到晶閘管恢復(fù)正向阻斷能力的時間稱為正向阻斷恢復(fù)時間,反向阻斷恢復(fù)時間與正向阻斷恢復(fù)時間之和為關(guān)斷時間,約為幾百微秒(開通時間的百倍左右)。
如果在晶閘管正向阻斷恢復(fù)時間內(nèi)對晶閘管再次施加正向電壓,晶閘管會再次導(dǎo)通,不受門電極控制。
5.晶閘管的電流關(guān)系
由三極管原理及KCL定律可得:
由上式可導(dǎo)出:
由于博主也是正在學(xué)習(xí)這一塊的內(nèi)容,講的有錯漏的地方歡迎大家討論斧正,我們一同進步。
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