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(1)SGT-MOS與常規DMOS結構
屏蔽柵側壁氧化層厚度：0.7um
屏蔽柵底部氧化層厚度：0.5um
屏蔽柵隔離氧化層厚度：0.3um
屏蔽柵寬度：0.4um
屏蔽柵縱向長度：3.4um
#####################################################
（2）SGT-MOS與常規DMOS雪崩耐量對比
L=1E-3,H=1/0.03
DMOS:
SGT-MOS:
ID對比：
晶格溫度對比：
VD對比：
VG對比：
SGT-MOS與DMOS雪崩耐量對比
- MOS管(64178)
- 雪崩二極管(12605)
- DMOS(14615)
- 雪崩光電管(5816)
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低壓MOS在無人機上的應用
無人機在無刷電機MOS管上的應用，推薦瑞森半導體低壓MOS-SGT系列，具有極低導通電阻，低損耗，高雪崩耐量，高效率，滿足不同方案需求的選型。
2024-03-21 10:47:5357
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30V超低內阻mos管系列，鋰電池專用mos管方案
較低的導通電阻、優越的開關性能及很高的雪崩擊穿耐量。 30v大電流mos管SVG030R7NL5：采用PDFN-8-5X6封裝，漏源電壓VDS=30V，
2022-08-30 13:54:16
工商網監
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