科銳首席執(zhí)行官Gregg Lowe表示：“英飛凌具有很好的美譽(yù)度，是我們長(zhǎng)期且優(yōu)質(zhì)的商業(yè)伙伴。這項(xiàng)協(xié)議的簽署，體現(xiàn)了科銳SiC碳化硅晶圓片技術(shù)的高品質(zhì)和我們的產(chǎn)能擴(kuò)充，同時(shí)將加速SiC碳化硅基方案更為廣泛的采用，這對(duì)于實(shí)現(xiàn)更快、更小、更輕、更強(qiáng)大的電子系統(tǒng)至關(guān)重要。”
2018-04-04 09:00:59
7450 德國(guó)英飛凌科技（Infineon Technologies AG）開(kāi)發(fā)出了適用于光伏發(fā)電用逆變器等的耐壓為1200V的SiC型FET（JFET）“CoolSiC產(chǎn)品群”，并在2012年5月8日～10日于德國(guó)舉行的電源技術(shù)展會(huì)“PCIM Europ
2012-05-17 08:54:481711 美高森美公司(Microsemi Corporation) 推出采用碳化硅(SiC)材料和技術(shù)的全新1200 V肖特基二極管系列
2012-11-22 14:09:061242 基本半導(dǎo)體1200V 碳化硅MOSFET采用平面柵碳化硅工藝，結(jié)合元胞鎮(zhèn)流電阻設(shè)計(jì)，開(kāi)發(fā)出了短路耐受時(shí)間長(zhǎng)，導(dǎo)通電阻小，閾值電壓穩(wěn)定的1200V系列性能卓越的碳化硅MOSFET。
2019-01-17 15:40:039313 
點(diǎn)擊“東芝半導(dǎo)體”，馬上加入我們哦！ 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布， 推出采用有助于降低開(kāi)關(guān)損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅（SiC）MOSFET---
2023-09-04 15:13:401134 
有了全面的提升。 ? 性能全方面提升 ? 英飛凌在2017年正式推出了第一代溝槽柵SiC MOSFET，即CoolSiC MOSFET G1。在CoolSiC MOSFET G1中，英飛凌采用溝槽
2024-03-19 18:13:181485 
采用了CoolMOS? C7和TRENCHSTOP? 5 IGBT技術(shù)的半導(dǎo)體器件，以及采用D2PAK 7引腳表面貼裝封裝的1200V CoolSiC? MOSFET（IMBG120R350M1H
2022-08-09 15:17:41
逆變器等中高功率領(lǐng)域，可顯著的減少電路的損耗，提高電路的工作頻率。 關(guān)斷波形圖（650V/10A產(chǎn)品） 650V/1200V碳化硅肖特基二極管選型
2020-09-24 16:22:14
每個(gè)橋臂需要4個(gè)MOSFET以及各自的驅(qū)動(dòng)，增加了系統(tǒng)復(fù)雜度，再比如每個(gè)橋臂需要各自的鉗位二極管，增加了系統(tǒng)成本。 本文中，將介紹我們8KW LLC變換器的設(shè)計(jì)方案。使用Cree的1200V 碳化硅
2018-10-17 16:55:50
Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二極管特性 封裝外形?最大結(jié)溫為 175°C?高浪涌電流容量?零反向恢復(fù)電流?零正向恢復(fù)電壓?高頻工作?開(kāi)關(guān)特性不受溫度
2020-03-13 13:42:49
。尤其在高壓工作環(huán)境下，依然體現(xiàn)優(yōu)異的電氣特性，其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性，也大幅度提高電氣設(shè)備的整體效率。 產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能逆變器、車(chē)載電源、新能源汽車(chē)電機(jī)控制器、UPS、充電樁、功率電源等領(lǐng)域。 1200V碳化硅MOSFET系列選型
2020-09-24 16:23:17
Qorvo與上海移遠(yuǎn)通信推出全球首款采用Phase 6解決方案的M2M/IoT模組
2021-03-11 07:14:58
PN結(jié)器件優(yōu)越的指標(biāo)是正向?qū)妷旱停哂械偷膶?dǎo)通損耗。 但硅肖特基二極管也有兩個(gè)缺點(diǎn)，一是反向耐壓VR較低，一般只有100V左右;二是反向漏電流IR較大。 二、碳化硅半導(dǎo)體材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03
碳化硅MOSFET開(kāi)關(guān)頻率到100Hz為什么波形還變差了
2015-06-01 15:38:39
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗(yàn)(SCT)表現(xiàn)。具體而言，該實(shí)驗(yàn)的重點(diǎn)是在不同條件下進(jìn)行專(zhuān)門(mén)的實(shí)驗(yàn)室測(cè)量，并借助一個(gè)穩(wěn)健的有限元法物理模型來(lái)證實(shí)和比較測(cè)量值，對(duì)短路行為的動(dòng)態(tài)變化進(jìn)行深度評(píng)估。
2019-08-02 08:44:07
具有明顯的優(yōu)勢(shì)。UnitedSiC的1200V和650V器件除了導(dǎo)通電阻低，還利用了低內(nèi)感和熱阻的SiC性能。 1200V和650V第三代器件的導(dǎo)通電阻值比較 Anup Bhalla說(shuō)，碳化硅的優(yōu)點(diǎn)
2023-02-27 14:28:47
應(yīng)用領(lǐng)域。更多規(guī)格參數(shù)及封裝產(chǎn)品請(qǐng)咨詢(xún)我司人員！附件是海飛樂(lè)技術(shù)碳化硅二極管選型表，歡迎大家選購(gòu)！碳化硅（SiC）半導(dǎo)體材料是自第一代元素半導(dǎo)體材料（Si、Ge）和第二代化合物半導(dǎo)體材料（GaAs
2019-10-24 14:21:23
，封裝也是影響產(chǎn)品可靠性的重要因素。基本半導(dǎo)體碳化硅分立器件采用AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行測(cè)試。目前碳化硅二級(jí)管產(chǎn)品已通過(guò)AEC-Q101測(cè)試，工業(yè)級(jí)1200V碳化硅MOSFET也在進(jìn)行AEC-Q101
2023-02-28 16:59:26
200V，但是碳化硅肖特基二極管能擁有較短恢復(fù)時(shí)間實(shí)踐，同時(shí)在正向電壓也減少，耐壓也大大超過(guò)200V，典型的電壓有650V、1200V等，另外在反向恢復(fù)造成的損耗方面碳化硅肖特基二極管也有很大優(yōu)勢(shì)。在
2020-06-28 17:30:27
和發(fā)電機(jī)繞組以及磁線圈中的高關(guān)斷電壓。 棒材和管材EAK碳化硅壓敏電阻 這些EAK非線性電阻壓敏電阻由碳化硅制成，具有高功率耗散和高能量吸收。該系列采用棒材和管材制造，外徑范圍為 6 至 30
2024-03-08 08:37:49
進(jìn)一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來(lái)聊聊碳化硅器件的特點(diǎn)
2021-03-16 08:00:04
。抗氧化性也是所有非氧化物陶瓷中好的。是極其優(yōu)秀的陶瓷材料。碳化硅（SiC）的市場(chǎng)前景隨著信息科技的飛速發(fā)展，我國(guó)對(duì)半導(dǎo)體需求越來(lái)越多，我國(guó)已經(jīng)成為全球最大的半導(dǎo)體消費(fèi)國(guó)，半導(dǎo)體消費(fèi)量占全球消費(fèi)量的比重
2021-01-12 11:48:45
大量采用持續(xù)穩(wěn)定的線路板；在引擎室中，由于高溫環(huán)境和LED 燈源的散熱要求，現(xiàn)有的以樹(shù)脂、金屬為基材的電路板不符合使用要求，需要散熱性能更好碳化硅電路板，例如斯利通碳化硅基板；在高頻傳輸與無(wú)線雷達(dá)偵測(cè)
2020-12-16 11:31:13
在設(shè)計(jì)功率轉(zhuǎn)換器時(shí)，碳化硅（SiC）等寬帶隙（WBG）技術(shù)現(xiàn)在是組件選擇過(guò)程中的現(xiàn)實(shí)選擇。 在設(shè)計(jì)功率轉(zhuǎn)換器時(shí)，碳化硅（SiC）等寬帶隙（WBG）技術(shù)現(xiàn)在是組件選擇過(guò)程中的現(xiàn)實(shí)選擇。650V
2023-02-23 17:11:32
碳化硅的顏色，純凈者無(wú)色透明，含雜質(zhì)(碳、硅等)時(shí)呈藍(lán)、天藍(lán)、深藍(lán)，淺綠等色，少數(shù)呈黃、黑等色。加溫至700℃時(shí)不褪色。金剛光澤。比重,具極高的折射率, 和高的雙折射，在紫外光下發(fā)黃、橙黃色光，無(wú)
2019-07-04 04:20:22
和 DC-AC 變流器等。集成式快速開(kāi)關(guān) 50A IGBT 的關(guān)斷性能優(yōu)于純硅解決方案，可與 MOSFET 媲美。較之常規(guī)的碳化硅 MOSFET，這款即插即用型解決方案可縮短產(chǎn)品上市時(shí)間，能以更低成本實(shí)現(xiàn) 95
2021-03-29 11:00:47
硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗稱(chēng)金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不過(guò)，自1893 年以來(lái)，粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料，為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會(huì)受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
碳化硅肖特基二極管主要特點(diǎn)及產(chǎn)品系列 基本半導(dǎo)體B1D系列碳化硅肖特基二極管主要技術(shù)參數(shù)如下： 650V、1200V系列B1D碳化硅肖特基二極管電流范圍從2-40A，封裝涵蓋TO-220，TO-252，TO-263，TO-247及其家族群封裝，產(chǎn)品列表見(jiàn)下：原作者：基本半導(dǎo)體
2023-02-28 16:55:45
。 基本半導(dǎo)體自主研發(fā)推出了650V、1200V、1700V系列標(biāo)準(zhǔn)封裝碳化硅肖特基二極管及1200V碳化硅MOSFET產(chǎn)品，具有極高的工作效率，性能優(yōu)越達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，可廣泛應(yīng)用于新能源充電樁、光伏逆變器
2023-02-28 16:34:16
已經(jīng)成為全球最大的半導(dǎo)體消費(fèi)國(guó)，半導(dǎo)體消費(fèi)量占全球消費(fèi)量的比重超過(guò)40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。根據(jù)中國(guó)
2021-03-25 14:09:37
、車(chē)載電源、太陽(yáng)能逆變器、充電樁、UPS、PFC 電源等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用。附上1200V同系列碳化硅MOSFET B1M160120HC B1M080120HC B1M080120HK B1M032120HC B1M018120HC 參數(shù)選型表：
2021-11-10 09:10:42
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動(dòng)芯片有幾款,型號(hào)是什么
2020-03-05 09:30:32
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
TGF2023-2-10碳化硅晶體管產(chǎn)品介紹TGF2023-2-10報(bào)價(jià)TGF2023-2-10代理TGF2023-2-10咨詢(xún)熱線TGF2023-2-10現(xiàn)貨,王先生*** 深圳市首質(zhì)誠(chéng)
2018-06-12 10:22:42
對(duì)比 我們采用雙脈沖的方法來(lái)比較一下基本半導(dǎo)體1200V 80mΩ 的碳化硅MOSFET的兩種封裝B1M080120HC（TO-247-3）和B1M080120HK（TO-247-4）在相同條件下
2023-02-27 16:14:19
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-06-18 08:32:43
封裝還是TO-247-4引腳封裝。 圖5. 在800V、15A和150°C時(shí)，不同1200V碳化硅MOSFET技術(shù)能實(shí)現(xiàn)的最小導(dǎo)通開(kāi)關(guān)損耗。被測(cè)器件的標(biāo)稱(chēng)通態(tài)電阻為60-80mΩ，在柵極電壓18
2023-02-27 13:53:56
近年來(lái)，因?yàn)樾履茉雌?chē)、光伏及儲(chǔ)能、各種電源應(yīng)用等下游市場(chǎng)的驅(qū)動(dòng)，碳化硅功率器件取得了長(zhǎng)足發(fā)展。更快的開(kāi)關(guān)速度，更好的溫度特性使得系統(tǒng)損耗大幅降低，效率提升，體積減小，從而實(shí)現(xiàn)變換器的高效高功率密度
2022-03-29 10:58:06
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
大功率適配器為了減小對(duì)電網(wǎng)的干擾，都會(huì)采用PFC電路、使用氮化鎵的充電器，基本也離不開(kāi)碳化硅二極管，第三代半導(dǎo)體材料幾乎都是同時(shí)出現(xiàn)，強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手避免短板。創(chuàng)能動(dòng)力推出的碳化硅二極管
2023-02-22 15:27:51
和 500A，帶或不帶碳化硅肖特基續(xù)流 1200V 二極管。 另一個(gè)例子是MiniSKiiP，這是一種無(wú)底板電源模塊，使用賽米控的SPRiNG系統(tǒng)將電源和輔助端子連接到PCB。彈簧位置由外殼設(shè)計(jì)固定
2023-02-20 16:29:54
并聯(lián)二極管的特性參數(shù)對(duì)比 如圖13所示，混合碳化硅分立器件的反向恢復(fù)時(shí)間Trr，反向恢復(fù)電流Irr和反向恢復(fù)損耗Err明顯降低。 05 總結(jié) 基本半導(dǎo)體主要推出了650V 50A和650V
2023-02-28 16:48:24
員要求的更低的寄生參數(shù)滿足開(kāi)關(guān)電源（SMPS）的設(shè)計(jì)要求。650V碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管器件在推出之后，可以補(bǔ)充之前只有1200V碳化硅場(chǎng)效應(yīng)器件設(shè)計(jì)需求，碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管（SiC MOSFET）由于能夠?qū)崿F(xiàn)硅
2023-03-14 14:05:02
本方案利用新一代1000V、65毫歐4腳TO247封裝碳化硅(SiC)MOSFET(C3M0065100K)實(shí)現(xiàn)了高頻LLC諧振全橋隔離變換器，如圖所示。由于碳化硅的高阻斷電壓, 快速開(kāi)關(guān)及低損耗等
2016-08-05 14:32:43
采用溝槽型、低導(dǎo)通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列 產(chǎn)品型號(hào) BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽車(chē)級(jí)全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35
和 1200V SiC 功率芯片集成在同一塊 DBC 板上，使半橋模塊面積僅為 TO-247 單管大小，極大地減小了驅(qū)動(dòng)回路和功率回路的寄生電感參數(shù)。阿肯色大學(xué)則針對(duì)碳化硅芯片開(kāi)發(fā)了相關(guān)的 SiC CMOS 驅(qū)動(dòng)
2023-02-22 16:06:08
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問(wèn)題，解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問(wèn)題，如果你有類(lèi)似的困惑，歡迎前來(lái)探討，鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢(shì)它有高導(dǎo)熱，高剛度，高耐磨，低膨脹，低密度，低成本，適合各種產(chǎn)品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問(wèn)題及時(shí)交流，謝謝各位！
2016-10-19 10:45:41
、16A、20A、30A、40A等規(guī)格，TO220、TO247、TO263等封裝； ■ 三相一般采用VIENNA結(jié)構(gòu)，建議使用1200V 10A、15A、20A、30A、40A等規(guī)格，TO220
2023-02-27 14:35:13
工作頻率；(3) 由于拓?fù)浜?jiǎn)化，采用硅600V MOSFET的方案在每個(gè)開(kāi)通時(shí)刻有兩顆MOSFET同時(shí)導(dǎo)通，所以實(shí)際等效導(dǎo)通損耗會(huì)比采用全橋拓?fù)涞?b class="flag-6" style="color: red">1200V碳化硅MOSFET要大；(4) 低寄生電容
2016-08-25 14:39:53
范圍-5V~-15V，客戶根據(jù)需求選擇合適值，常用值有-8V、-10V、-15V； · 優(yōu)先穩(wěn)定正電壓，保證開(kāi)通穩(wěn)定。 2）碳化硅MOSFET：不同廠家碳化硅MOSFET對(duì)開(kāi)關(guān)電壓要求不盡相同
2023-02-27 16:03:36
。在今年 7 月的 PCIM（電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)）虛擬展位上，展示了采用CoolSiC?汽車(chē) MOSFET 技術(shù)的 EasyPACK?模塊，即 1200V/8mΩ(150A)的半橋模塊
2021-03-27 19:40:16
，同時(shí)在正向電壓也減少，耐壓也大大超過(guò)200V，典型的電壓有650V、1200V等，另外在反向恢復(fù)造成的損耗方面碳化硅肖特基二極管也有很大優(yōu)勢(shì)。在開(kāi)關(guān)電源輸出整流部分如果用碳化硅肖特基二極管可以用實(shí)現(xiàn)
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設(shè)備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒(méi)有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過(guò)程中總是會(huì)在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
2016年5月10日，德國(guó)慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出革命性的碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)，使產(chǎn)品設(shè)計(jì)可以在功率密度和性能上達(dá)到前所未有的水平。英飛凌的CoolSiC? MOSFET具備更大靈活性，可提高效率和頻率。
2016-05-10 18:14:091164 中國(guó)，北京，2017年5月25日訊 -Littelfuse， Inc.，作為全球電路保護(hù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)，今天宣布推出首款GEN2系列1200V碳化硅（SiC）肖特基二極管，以配合2017年歐洲電力轉(zhuǎn)換與智能運(yùn)動(dòng)（PCIM）展的開(kāi)幕。
2017-05-26 14:43:591111 2017年6月30日，德國(guó)慕尼黑和紐倫堡訊—效率更高、功率密度更大、尺寸更小且系統(tǒng)成本更低：這是基于碳化硅（SiC）的晶體管的主要優(yōu)勢(shì)。英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）開(kāi)始批量生產(chǎn)EASY 1B——英飛凌在2016年P(guān)CIM上推出的首款全碳化硅模塊。
2017-07-03 10:13:261770 Semiconductor Inc.今天新推出兩款1200V碳化硅(SiC) n通道增強(qiáng)型MOSFET，為其日益擴(kuò)展的第一代電源半導(dǎo)體器件組合注入新鮮血液。Littelfuse與Monolith在2015年結(jié)成戰(zhàn)略
2018-03-18 09:19:003708 全球電路保護(hù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)Littelfuse， Inc.與從事碳化硅技術(shù)開(kāi)發(fā)的德州公司Monolith Semiconductor Inc.今天新推出兩款1200V碳化硅（SiC） n通道增強(qiáng)型
2018-03-19 09:55:275947 具體來(lái)說(shuō)，在新能源發(fā)電系統(tǒng)中，采用碳化硅技術(shù)能夠達(dá)到的更高的效率意味著其能夠更早地替代傳統(tǒng)的石化燃料發(fā)電。英飛凌為光伏串組串逆變器的升壓和逆變部分提供量身定制的模塊系列，可以提升的逆變器效率和性能。在充電樁應(yīng)用中，英飛凌的全碳化硅解決方案大幅提升功率密度，從而使充電設(shè)備變得更加輕巧便捷。
2018-05-04 09:05:019155 據(jù)外媒報(bào)道，在今年的紐倫堡PCIM歐洲展會(huì)上，英飛凌（Infineon）推出了首款車(chē)用碳化硅產(chǎn)品，肖特基（Schottky）二極管，并為其新創(chuàng)了一個(gè)品牌名CoolSiC。
2018-09-21 14:36:504540 的重要補(bǔ)充，也是Littelfuse公司已發(fā)布的1200V碳化硅MOSFET和肖特基二極管的強(qiáng)有力補(bǔ)充。最終用戶將受益于更加緊湊節(jié)能的系統(tǒng)以及潛在更低的總體擁有成本。
2018-10-23 11:34:375600 第三代半導(dǎo)體材料碳化硅的發(fā)展在功率器件市場(chǎng)成為絕對(duì)的焦點(diǎn)。全球功率器件龍頭廠商英飛凌持續(xù)投入碳化硅器件的研發(fā)生產(chǎn)，并打入多個(gè)應(yīng)用市場(chǎng)。日前，在英飛凌科技舉辦的媒體見(jiàn)面會(huì)上，該公司大中華區(qū)工業(yè)功率控制事業(yè)部副總裁于代輝和工業(yè)功率控制事業(yè)部總監(jiān)馬國(guó)偉博士介紹了英飛凌碳化硅SiC市場(chǎng)的最新進(jìn)展。
2019-07-02 16:33:216460 ）今日宣布推出最新通過(guò)認(rèn)證的700和1200V碳化硅（SiC）肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）功率器件，為電動(dòng)汽車(chē)（EV）系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員提供了符合嚴(yán)苛汽車(chē)質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)的解決方案，同時(shí)支持豐富的電壓、電流和封裝選項(xiàng)。
2020-10-29 15:24:342317 英飛凌推出采用全新D2PAK-7L封裝的1200V CoolSiC MOSFET，導(dǎo)通電阻從30m?到350m?，可助力不同功率的工業(yè)電源、充電器及伺服驅(qū)動(dòng)器（不同的電流額定值）實(shí)現(xiàn)最高效率。 了解
2020-11-03 14:09:492695 ）今日宣布推出最新通過(guò)認(rèn)證的700和1200V碳化硅（SiC）肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）功率器件，為電動(dòng)汽車(chē)（EV）系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員提供了符合嚴(yán)苛汽車(chē)質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)的解決方案，同時(shí)支持豐富的電壓、電流和封裝選項(xiàng)。 Microchip新推出的器件通過(guò)了AEC-Q101認(rèn)證，對(duì)于需要在提高系統(tǒng)效率的同時(shí)保持高質(zhì)
2020-11-05 10:20:351686 英飛凌科技股份公司（FSE:IFX/OTCQX:IFNNY）推出了1200V碳化硅（SiC）集成功率模塊（IPM），并在今年大規(guī)模推出了SiC解決方案。CIPOS Maxi IPM IM828系列
2021-01-08 11:34:513427 ）和氮化鎵（GaN）等第三代半導(dǎo)體材料正憑借其優(yōu)越的性能和巨大的市場(chǎng)潛力，成為全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的焦點(diǎn)。借此契機(jī)，東芝推出了新款1200V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW070J120B”。 01特征屬性分析 TW070J120B采用第2代內(nèi)置碳化硅SBD芯片設(shè)計(jì)，TO-3P(N)封裝，具有高
2021-06-04 18:21:233224 
該IPM封裝為DIP 36x23D。這使得它成為最小的1200V IPM封裝，在同類(lèi)產(chǎn)品中具有最高的功率密度和最佳性能。
2021-06-30 11:03:561530 ?東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）已推出兩款碳化硅(SiC) MOSFET雙模塊：額定電壓為1200V、額定漏極電流為600A的“MG600Q2YMS3”；額定電壓為1700V、額定
2022-02-01 20:22:024606 2022年5月11日 –移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國(guó)防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?（納斯達(dá)克代碼：QRVO）今日宣布推出新一代1200V碳化硅（SiC）場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）系列，這些產(chǎn)品在導(dǎo)通電阻方面具備業(yè)界出眾的性能表征。
2022-05-12 11:22:571483 
移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國(guó)防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?（納斯達(dá)克代碼：QRVO）今天宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 系列，該系
2022-05-25 10:46:531004 新一代碳化硅模塊采用增強(qiáng)型CoolSiC? MOSFET（M1H），首發(fā)型號(hào)為EasyPACK?和EasyDUAL?封裝。
2022-06-14 09:47:191258 ，碳化硅二極管封裝小型化成為趨勢(shì)。那么各個(gè)碳化硅二極管廠家推出了更小的封裝DFN5X6,DFN8X8,超薄型封裝。主要用于高功率密度電源和PD快充這樣子的應(yīng)用中。
2023-02-21 13:38:161795 
英飛凌和Schweizer Electronic AG正在合作，將英飛凌的1200V CoolSiC?芯片嵌入印刷電路板(PCB)，以提高基于碳化硅的芯片效率。
2023-05-05 10:31:31518 
提高。封裝采用.XT互連技術(shù)，最新的CoolSiCMOSFET具有一流的熱耗散性能。產(chǎn)品規(guī)格：1200V,7mΩ、14mΩ和20mΩTO247封裝CoolSiC12
2022-04-20 09:56:20594 
和沉淀，幫助新材料在新應(yīng)用中快速成長(zhǎng)。迄今為止英飛凌CoolSiC商用已有20余年，未來(lái)CoolSiC碳化硅器件除了光伏和儲(chǔ)能、充電設(shè)施以及各類(lèi)電源應(yīng)用以外，還會(huì)
2023-05-19 10:27:03592 
逆變器中600V-1200V 碳化硅MOSFET未來(lái)十年的復(fù)合年增長(zhǎng)率為27%。
2023-07-17 11:33:24278 
英飛凌推出了采用轉(zhuǎn)模封裝的1200V碳化硅（SiC）集成功率模塊（IPM），CIPOS? Maxi IPM IM828-XCC，這是業(yè)界在這一電壓級(jí)別上的第一款產(chǎn)品。
2023-09-19 14:45:56932 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發(fā)布兩款采用 3 引腳 TO-247 封裝的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分別為 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:50413 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布其CoolSiC1200V和2000VMOSFET模塊系列新添全新工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝產(chǎn)品。其采用新推出的增強(qiáng)型M1H碳化硅
2023-12-02 08:14:01310 MOS管在直流充電樁上的應(yīng)用，推薦瑞森半導(dǎo)650V/1200V碳化硅MOS系列，600V/650V超結(jié)MOS系列
2023-12-08 11:50:15235 
11月14日，英飛凌科技的62mmCoolSiCMOSFET2000VM1H碳化硅半橋模塊憑借其卓越的性能，榮獲2023年度行家極光獎(jiǎng)最具影響力產(chǎn)品獎(jiǎng)，再次展現(xiàn)了英飛凌在碳化硅領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新能力
2023-12-21 08:14:09304 全球知名的連接和電源解決方案供應(yīng)商Qorvo近日發(fā)布了四款采用緊湊型E1B封裝的1200V碳化硅（SiC）模塊。這些模塊包括兩款半橋配置和兩款全橋配置，其導(dǎo)通電阻RDS(on)最低可達(dá)9.4mΩ。
2024-03-03 16:02:35332 全球知名的連接和電源解決方案供應(yīng)商Qorvo近日宣布，推出四款采用E1B封裝的1200V碳化硅（SiC）模塊。這些模塊包括兩款半橋配置和兩款全橋配置，其導(dǎo)通電阻RDS(on)最低可達(dá)9.4mΩ。這一創(chuàng)新產(chǎn)品系列專(zhuān)為電動(dòng)汽車(chē)充電站、儲(chǔ)能系統(tǒng)、工業(yè)電源和太陽(yáng)能應(yīng)用而設(shè)計(jì)。
2024-03-06 11:43:19282 碳化硅（SiC）技術(shù)一直是推動(dòng)高效能源轉(zhuǎn)換和降低碳排放的關(guān)鍵，英飛凌最近推出的CoolSiC MOSFET第2代（G2）技術(shù)，也是要在這個(gè)領(lǐng)域提高了MOSFET的性能指標(biāo)，擴(kuò)大還在光伏、儲(chǔ)能、電動(dòng)汽車(chē)充電等領(lǐng)域的市場(chǎng)份額。
2024-03-12 09:33:26239 
在電力電子領(lǐng)域持續(xù)創(chuàng)新的英飛凌科技股份公司近日宣布，其已成功推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)——CoolSiC? MOSFET Generation 2。這一創(chuàng)新技術(shù)的推出，標(biāo)志著功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換領(lǐng)域迎來(lái)了新的里程碑，為行業(yè)的低碳化進(jìn)程注入了強(qiáng)大動(dòng)力。
2024-03-12 09:43:29125 英飛凌科技股份公司推出的新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)，無(wú)疑為功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換領(lǐng)域帶來(lái)了革命性的進(jìn)步。與上一代產(chǎn)品相比，全新的CoolSiC? MOSFET 650V和1200V
2024-03-20 10:32:36131
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