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文章簡要介紹靜電產生原理及其危害,詳細分析TDR儀器主體結構及測試過程靜電危害,針對靜電產生環節采取預防措施,并初步取得成效。
電子通訊技術飛速發展,為了提高傳輸速率和傳輸距離,計算機和通訊產業正逐步轉移到高速串行總線,在芯片-芯片、板卡-板卡與背板間實現高速互連。
這些高速串行總線的速率正從過去USB2.0、LVDS及FireWire1394的幾百Mbps,提升到當前PCI-Express G1/G2、SATA G1/G2、XAUI/2XAUI、XFI的數Gbps,甚至達10Gbps,這意味著計算機與通訊業的PCB廠商對差分走線的阻抗控制要求將越來越高,依據PCB業界的測試標準IPC-TM-650手冊要求阻抗測試采用TDR(TimeDomain Refl ectometry,時域反射測定法)技術,PCB制造商廣泛采用美國Tektronix TDR測試儀器進行阻抗測試。但是該儀器的核心關鍵部件—信號發射-取樣模塊(Sample Moudle)對靜電極其敏感,模塊遭電擊損壞只能返回廠家維修,維修周期需要一個月,維修費用3萬元左右/次,故研究靜電有效預防非常關鍵。
1 靜電基本概念及其作用
1.1 靜電定義
靜電是指相對靜止不動的電荷,當一個物體帶有一定量凈的正電荷或凈的負電荷時,可以稱其帶有靜電。靜電通常用伏特(V)表示。
1.2 靜電產生的原理
1.2.1 微觀原因
根據原子物理理論,電中性時物質處于電平衡狀態。由于不同物質原子的接觸產生電子的得失,使物質失去電平衡,產生靜電現象。
1.2.2 宏觀原因
(1)物體間摩擦生熱,激發電子轉移;(2)物體間的接觸和分離產生電子轉移;(3)電磁感應造成物體表面電荷的不平衡分布;(4)摩擦和電磁感應的綜合效應。
1.3 靜電特點
(1)靜電具有高電壓、低電量、小電流的特點。靜電是一種相對的稱謂,因為在許多情況下,靜電經過一段時間后會慢慢減少。這段時間的長度與物體的電阻有關。電阻越大,靜電越不易耗散。
(2)靜電釋放:就是積聚電荷留向大地或者正負離子的中和過程。
靜電的放電并不一定非要有接觸的動作發生,足夠的靜電也可以以空間距離放電;靜電釋放過程中單位時間內電流大小的作用分:
(1)安全釋放,采取防護的科學措施,如避雷針、防靜電材料、接地裝置;(2)電擊:靜電破壞性釋放,如電擊感、電擊穿。
1.4 日常工作中典型的靜電源(表1)
表1 日常工作中典型的靜電源

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1.5 靜電在工業生產中造成的危害
1.5.1 靜電放電(ESD)造成的危害
(1)引起電子設備的故障或誤動作,造成電磁干擾。
(2)擊穿集成電路和精密的電子元件,或者促使元件老化,降低生產成品率。
(3)高壓靜電放電造成電擊,危及人身安全。
(4)在多易燃易爆品或粉塵、油霧的生產場所極易引起爆炸和火災。
1.5.2 靜電吸引力(ESA)造成的危害:
(1)電子工業:吸附灰塵,造成集成電路和半導體元件的污染,大大降低成品率。
(2)膠片和塑料工業:使膠片或薄膜收卷不齊;膠片、CD塑盤沾染灰塵,影響品質。
(3)造紙印刷工業:紙張收卷不齊,套印不準,吸污嚴重,甚至紙張黏結,影響生產。
(4)紡織工業:造成根絲飄動、纏花斷頭、紗線糾結等危害。
(5)塑膠噴涂:塑膠產品靜電高,易吸附灰塵,噴涂后影響工件的美觀和品質。
1.6 預防靜電方法
1.6.1 靜電防護的基本原則
(1)抑制靜電荷的積聚;(2)消除已經產生的靜電荷。
1.6.2 消除靜電的基本措施
消除靜電的措施,一般可歸結為一靠“地”;二靠“器”(靜電消除器);三靠“劑”(加抗靜電劑);四靠“屏蔽”。
(1)接地。
(2)用靜電消除器。靜電消除器上產生大量的正負離子,然后通過風把這些離子吹到有靜電的地方,靜電就會吸引相反極性的離子而中和掉,聚積在產品或設備表面上的靜電因此得以中和而消除。
(3)使用靜電消除劑。可用靜電消除劑檫洗儀器和物體表面,能迅速消除物體表面的靜電。防靜電劑以油脂為原料,主要成分為季胺鹽,它的作用是使化纖、橡膠、塑料等物體的表面吸附空氣中的水分,增加導電率。
(4)靜電屏蔽。最通常的方法是用靜電屏蔽袋和防靜電周轉箱作為保護,靜電敏感元件在儲存或運輸過程中會暴露于有靜電的區域中,用靜電屏蔽的方法可削弱外界靜電對電子元件的影響。
1.6.3 控制環境濕度
當空氣的相對濕度在65%~70%以上時,物體表面往往會形成一層極微薄的水膜。水膜能溶解空氣中的CO2,使表面電阻率大大降低,靜電荷就不易積聚。如果周圍空氣的相對濕度降至40%~50%時,靜電不易逸散,就有可能形成高電位。
2 TDR儀器測試過程分析
2.1 TDR測試基本原理
2.1.1 概念
在傳輸線(如PCB走線)上輸入一個階躍訊號,當電訊號到達某個位置時,該位置上的電壓產生變化,傳輸線在此位置上對地電流回路產生阻抗。當傳輸在線出現阻抗不連續的現象時,在阻抗變化之處的階躍訊號就會產生反射現象,對反射訊號進行取樣并顯示在示波器屏幕上。
2.1.2 TDR儀器的硬件結構(圖1)

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示波器;高頻模塊,由階躍脈沖發生器和采樣電路兩部分組成;測試探頭。
2.1.3 TDR靜電保護裝置(圖2)
測試過程信號的通、斷通過切換繼電器進行開啟和關閉與探頭的通斷,圖2 J1、J2為手動和自動測試模式切換開關;不測試時高頻模塊信號(IN)通道同外部(J1或J2)斷開連接,外部(J1或J2)信號接上對地50Ω節點,外部帶入的靜電安全釋放。

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2.2 信號數據采集結構介紹
一般數字儀器都會用到前端,將輸入信號數字化,通常有兩種方法:
(1)信號先經過“衰減器”衰減,再到“取樣電路”取樣(圖3-A)。
優點:“取樣電路”的高頻二極管有“衰減器”的保護,不易受到過大電壓的傷害;缺點:頻寬受約束。
(2)沒有衰減器直接輸入信號(圖3-B) 。
優點:頻寬高;缺點:取樣電路就很容易受到過大電壓的傷害。
Tektronix TDS/CSA8000 的取樣頭(Sample Moudle)80E04,頻寬高達 20 GHz,輸入阻抗為50 mm,顯然該款TDR數據采集采用圖3-B結構。

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2.3 靜電對取樣頭的損害分析
2.3.1 一般靜電可區分成4等級(表2),各等級會有不同的靜電防范要求。
表 2 一般靜電區分表

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2.3.2 電子敏感組件對靜電的忍耐程度(表3)
表3 電子敏感組件對靜電的忍耐程度

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2.3.3 靜電對μm組件單位面積的功率計算
(1)以一個人體的電容160 pf為例,按其儲存約15 000 V的靜電計算,當它對一個0.1 μm2接口(Junction)組件放電時,組件接受的功率為式(1)。

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(2)在 0.1μm2(1×10-7)接口(junction)組件上,單位面積承受的功率為式(2)。

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一般 Silicon(半導體硅)會在 2000 ℃熔化,如果有這么大的能量加入到組件的 junction(接口),必然使接口受到傷害,而失去了 Schotty diode(宵特計二極管)的功能,使之不能正常取樣。
2.4 TDR模塊靜電損壞的特點
(1)完好狀態波形(圖4);(2)損壞后波形(圖5);(3)受損模塊將會造成5 Ω的測量誤差。

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3 TDR儀器測試過程靜電源分析
根據人、機、料、法、環多維度尋找靜電源,其中PCB與PCB之間用PE(Polyethylene)膜分隔疊板放置,以下為產品流程直接相關因素進行靜電測試,數據收集如下:
(1)對阻抗測試相關的過程進行靜電測試(表 4):
表4 對阻抗測試相關的過程進行靜電測試表

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從表4可見,靜電在生產環節產生并且電壓大小與生產設備有關。
(2)阻抗室內待測板靜電狀況(表 5)
表5 阻抗室內待測板靜電狀況

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從表5可見,阻抗室內待測板(疊放)里層與外層靜電有差異,靜電釋放難易程度與板結構相關;另外暫時存放已測試過板的塑料臺是測試的危險區域。
4 靜電(ESD)的防治措施及效果
在工作環境中的物體可區分為:導體與非導體。 靜電放電可以有接觸和無接觸時發生。故ESD防治措施主要四大方面進行。
(1)導體ESD防治措施。
導體避免靜電,是必需接一條導體材料將靜電導到標有Ground的地方。
這些導體材料包括:防靜電桌毯(Table Mats)、防靜電地毯(Floor Mats)、防靜電手環(WristStrap)、防靜電袋(Protect Bag)、防靜電椅蓋(StoolCover)、防靜電保護手袖(Protectors Sleever)、防靜電鞋帶(Shoe Grounding Straps)等。標準靜電防范材料中最重要的3個工具為:防靜電桌毯(TableMats)、防靜電手環(Wrist Strap)、防靜電地毯(Floor Mats),并且必須確保: 防靜電桌毯(TableMats)接地; 防靜電手環(Wrist Strap)接地; 防靜電地毯(Floor Mats)接地。
(2)非導體ESD防治措施。避免非導體靜電損害的問題在于,不穿產生靜電的衣物,不使用產生靜電的物品。例如,避免、減少使用塑料制品,聚乙烯泡泡物品,讓這些物品遠離工作臺;選擇使用離子吹風機(Ionized Blower)。
(3)靜電防范可依不同等級采用不同的防范要求。由于你無法預期靜電產生的大小,最好將防范措施做得超過規定的要求。但是除了必須滿足組件的不同 Class要求外,設備應依不同的“環境”而采取更嚴格的要求。
(4)周期性檢查各種靜電防制材料和系統進行必要的檢查。對各類相關人員與操作人員實施一定的、例行的和周期性的不間斷的專業訓練。
(5)針對TDR測試環節靜電產生及其釋放過程采取措施取樣模塊電擊損壞頻次5月份后明顯減少(圖6)。

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5 結論
經過系統的分析和預防措施的實施,靜電損壞取樣模塊的事故有明顯的減少,規范人員正確操作防護措施和正確操作使用儀器,TDR儀器靜電安全威脅還是可以避免的。
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