根據(jù)前述的CMOS門電路的結(jié)構(gòu)和工作原理，同樣可以用BiCMOS技術(shù)實現(xiàn)或非門和與非門。如果要實現(xiàn)或非邏輯關(guān)系，輸入信號用來驅(qū)動并聯(lián)的N溝道MOSFET，而P溝道MOSFET則彼此串聯(lián)。正如下圖所示的
2輸入端或非門。

　　當A和B均為低電平時，則兩個MOSFET M_PA和M_PB均導通，T₁導通而M_NA和M_NB均截止，輸出L為高電平。與此同時，M₁通過M_PA和M_pB被V_DD所激勵，從而為T₂的基區(qū)存儲電荷提供一條釋放通路。
　　另一方面，當兩輸入端A和B中之一為高電平時 ，則M_pA和M_pB的通路被斷開，并且M_NA或M_NB導通，將使輸出端為低電平。同時，M_1A或M_1B為T₁的基極存儲電荷提供一條釋放道路。因此 ，只要有一個輸入端接高電平，輸出即為低電平。