當(dāng)前，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于深度變革，化合物半導(dǎo)體成為產(chǎn)業(yè)發(fā)展新的關(guān)注點，我國應(yīng)加緊產(chǎn)業(yè)布局，搶占發(fā)展的主動權(quán)。
2016-06-27 11:09:50
1107 
在車用高功率半導(dǎo)體、光源與射頻（RF）三大應(yīng)用需求加持下，化合物半導(dǎo)體（Compound Semiconductor， CS）將有遠(yuǎn)優(yōu)于單晶半導(dǎo)體的成長速度。根據(jù)Strategy Analytice
2017-01-20 10:32:171040 定制化合物半導(dǎo)體并將其集成到外國襯底上的能力可以帶來卓越或新穎的功能，并對電子、光電子、自旋電子學(xué)、生物傳感和光伏的各個領(lǐng)域產(chǎn)生潛在影響。這篇綜述簡要描述了實現(xiàn)這種異質(zhì)集成的不同方法，重點介紹了離子
2023-08-14 17:03:50483 
傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體因自身發(fā)展侷限和摩爾定律限制，需尋找下一世代半導(dǎo)體材料，化合物半導(dǎo)體材料是新一代半導(dǎo)體發(fā)展的重要關(guān)鍵嗎？
2019-04-09 17:23:3510156 化合物半導(dǎo)體在軍事中的應(yīng)用領(lǐng)域也不少，在大功率的高速交通工具也是關(guān)鍵材料，所以被各國視為戰(zhàn)略物資，半絕緣的化合物半導(dǎo)體甚至要拿到證明才可以出口，是相當(dāng)重要的上游材料。
2020-09-02 18:53:425994 來源 華西證券編輯：智東西內(nèi)參作者：吳吉森等隨著 5G、IoT 物聯(lián)網(wǎng)時代的來臨，以砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）為代表的化合物半導(dǎo)體市場有望快速崛起。其中，Ga...
2021-08-31 06:32:26
半導(dǎo)體材料可分為單質(zhì)半導(dǎo)體及化合物半導(dǎo)體兩類，前者如硅（Si）、鍺(Ge）等所形成的半導(dǎo)體，后者為砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等化合物形成。半導(dǎo)體在過去主要經(jīng)歷了三代變化
2019-05-06 10:04:10
化合物半導(dǎo)體在通訊射頻領(lǐng)域主要用于功率放大器、射頻開關(guān)、濾波器等器件中。砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）半導(dǎo)體分別作為第二代和第三代半導(dǎo)體的代表，相比第一代半導(dǎo)體高頻性能、高溫性能優(yōu)異很多，制造成本更為高昂，可謂是半導(dǎo)體中的新貴。
2019-09-11 11:51:19
天線：MassiveMIMO和新材料將應(yīng)用5G封測：各大封測廠積極備戰(zhàn)5G芯片化合物半導(dǎo)體迎來新機遇電磁屏蔽、導(dǎo)熱材料獲得新市場空間
2020-12-30 06:01:41
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點高穩(wěn)定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點，應(yīng)用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來的第三代半導(dǎo)體
2019-06-25 07:41:00
兼首席執(zhí)行官John Croteau表示：“本協(xié)議是我們引領(lǐng)射頻工業(yè)向硅上氮化鎵技術(shù)轉(zhuǎn)化的漫長征程中的一個里程碑。截至今天，MACOM通過化合物半導(dǎo)體小廠改善并驗證了硅上氮化鎵技術(shù)的優(yōu)勢，射頻性能和可靠性
2018-02-12 15:11:38
光源。該問題的一種解決方案是硅與 III-V 族半導(dǎo)體的混合集成。在混合集成中，III-V 族半導(dǎo)體鍵合在 SOI 波導(dǎo)電路的頂部。有源光子功能（光發(fā)射、放大）由 III-V 材料執(zhí)行，而無源功能
2021-07-08 13:14:11
使用這些納米線陣列，可以實現(xiàn)寬帶光捕獲。接觸電極，如氧化銦錫 (ITO)、銀和銅，對具有不同帶隙的半導(dǎo)體納米線太陽能電池器件的影響，重點是光吸收。雖然傳統(tǒng)的導(dǎo)電氧化物材料，如氧化銦錫 (ITO
2021-07-09 10:20:13
和 102 之間變化Q cm（硅的電阻率在 0.1 到 60 Qcm 之間）。半導(dǎo)體介于絕緣體和導(dǎo)體之間，因為它們的帶隙（價帶最高能級與電導(dǎo)帶最低能級之間的能量差）相對較小。分子軌道理論指出，當(dāng)原子
2021-07-01 09:38:40
同質(zhì)性范圍的化學(xué)計量化合物，因此在評估中被視為線化合物。纖鋅礦結(jié)構(gòu)被認(rèn)為是唯一穩(wěn)定的固體形式。盡管亞穩(wěn)態(tài)閃鋅礦結(jié)構(gòu)可以在薄膜中產(chǎn)生并且在高壓下預(yù)計在 III 族氮化物中會出現(xiàn) NiAs 型改性，但并未
2021-07-07 10:28:12
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaN 半導(dǎo)體材料與器件手冊編號：JFSJ-21-059III族氮化物半導(dǎo)體的光學(xué)特性介紹III 族氮化物材料的光學(xué)特性顯然與光電應(yīng)用直接相關(guān)，但測量光學(xué)特性
2021-07-08 13:08:32
解決的問題，以開發(fā)適用于 III 族氮化物外延的 GaN 襯底的表面處理。 1. 介紹 單晶體 GaN 襯底是最有希望替代藍(lán)寶石襯底的候選者之一，藍(lán)寶石襯底常用于 III 族氮化物器件，如發(fā)光二極管 (LED
2021-07-07 10:26:01
和碳化硅，在室溫下電化學(xué)刻蝕在某些情況下是成功的。此外，光輔助濕法蝕刻產(chǎn)生類似的速率，與晶體極性無關(guān)。 介紹 寬帶隙半導(dǎo)體氮化鎵、碳化硅和氧化鋅對許多新興應(yīng)用具有吸引力。例如，AlGaN/GaN高電子
2021-10-14 11:48:31
中使用的溫度。通過這樣做，我們開發(fā)了一種將晶體表面蝕刻成 III 族氮化物的兩步工藝。通過在 H 中蝕刻形成具有對應(yīng)于各種 GaN 晶面的刻蝕 ，采用160°C 以上、180°C 以上的熔融 KOH
2021-07-07 10:24:07
也有多種元素構(gòu)成的半導(dǎo)體資料，主要的半導(dǎo)體性質(zhì)有I族與V、VI、VII族；II族與IV、V、VI、VII族；III族與V、VI族；IV族與IV、VI族;V族與VI族；VI族與VI族的分離化合物，但遭到
2020-03-26 15:40:25
1、GaAs半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍，非常適合
2019-07-29 07:16:49
氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
元素的某些金屬（硫族化合物）的晶態(tài)和非晶態(tài)的穩(wěn)定性非常好。特別是GeSbTe合金最被看好，因為它遵守一個偽二元構(gòu)成方式（在GeTe和 Sb2Te3之間），以下簡稱GST。
2019-06-26 07:11:05
芯片和cpu制造流程芯片芯片屬于半導(dǎo)體，半導(dǎo)體是介于導(dǎo)體和絕緣體之間的一類物質(zhì)。元素周期表中的硅、鍺、硒的單質(zhì)都屬于半導(dǎo)體。除了這些單質(zhì)，通過摻雜生成的一些化合物，也屬于半導(dǎo)體的范疇。這些化合物在
2021-07-29 08:32:53
目前國內(nèi)外有很多研究在有機化合物作為鋰離子電池正極材料方面進(jìn)行了大量卓有成效的工作，特別是在含氧有機共軛化合物方面，一些電化學(xué)活性高的含氧官能團及其分子結(jié)構(gòu)對有機正極化合物的設(shè)計具有重要的指導(dǎo)
2015-11-17 17:12:07
帶隙基準(zhǔn)電壓源工作原理是什么？一種低溫漂輸出可調(diào)帶隙基準(zhǔn)電壓源的設(shè)計
2021-05-08 06:38:57
一、化合物半導(dǎo)體應(yīng)用前景廣闊，市場規(guī)模持續(xù)擴大 化合物半導(dǎo)體是由兩種及以上元素構(gòu)成的半導(dǎo)體材料，目前最常用的材料有GaAs、GaN以及SiC等，作為第二代和第三代半導(dǎo)體的主要代表，因其在高功率
2019-06-13 04:20:24
穩(wěn)定的化合物，具有強的原子鍵、高的熱導(dǎo)率、在Ⅲ-Ⅴ族化合物中電離度是最高的、化學(xué)穩(wěn)定性好，使得GaN 器件比Si 和GaAs 有更強抗輻照能力，同時GaN又是高熔點材料，熱傳導(dǎo)率高，GaN功率器件通常
2019-04-13 22:28:48
的核心單元都和半導(dǎo)體有著極為密切的關(guān)連。常見的半導(dǎo)體材料有硅、鍺、砷化鎵等，而硅更是各種半導(dǎo)體材料中，在商業(yè)應(yīng)用上最具有影響力的一種。 半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類
2016-11-27 22:34:51
半導(dǎo)體材料是一類具有半導(dǎo)體性能（導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內(nèi)）、可用來制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。按種類可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類
2019-06-27 06:18:41
SnAgCu無鉛焊料中Sn的含量較高，焊接溫度也比較高，導(dǎo)致了焊點中Cu的溶解速度和界面金屬間化合物的生長速度遠(yuǎn)高于SnPb系焊料。相關(guān)研究表明，焊點與金屬接點間的金屬間化合物的形態(tài)和長大對焊點
2020-02-25 16:02:25
III-V族化合物,III-V族化合物是什么意思
III-V族化合物半導(dǎo)體;III-V group elements compound semiconductor 分子式：CAS號：
2010-03-04 12:16:163788 什么是化合物半導(dǎo)體集成電路
是將晶體管、二極管等有源元件和電阻器、電容器等無源元件，按照一定的電路互連，“集成”在一塊
2010-03-04 16:09:153201 化合物半導(dǎo)體多接合型太陽能電池將實現(xiàn)批量生產(chǎn)
美國威訊聯(lián)合半導(dǎo)體（RF Micro Devices,RFMD）利用該公司的GaAs類化合物半導(dǎo)體150mm生
2010-03-18 08:51:16847 本文詳細(xì)介紹了單層金波導(dǎo)表面等離子激元增強非晶態(tài)硅氮化合物發(fā)光效率。
2017-10-27 11:42:59
3 化合物半導(dǎo)體是 5G 通信不可替代的核心技術(shù)。美歐日等發(fā)達(dá)國家通過產(chǎn)業(yè)和技術(shù)扶持計劃，培育了眾多龍頭企業(yè)，已占領(lǐng)化合物半導(dǎo)體技術(shù)和市場高地。同時美國以危害國家安全為由，對我國實行技術(shù)封鎖，頻頻阻撓
2018-01-13 11:56:123163 氮化物寬禁帶半導(dǎo)體在微波功率器件和電力電子器件方面已經(jīng)展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用前景，而AlGaN溝道HEMT器件是一種適宜更高電壓應(yīng)用的新型氮化物電力電子器件。但是，材料結(jié)晶質(zhì)量差和電學(xué)性能低，是限制
2018-07-26 09:09:00751 
半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體;化合物半導(dǎo)體包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物（ 硫化鎘、硫化鋅等）、氧化物
2018-03-08 09:36:33119660 化合物半導(dǎo)體因其在射頻電子和電力電子方面的優(yōu)良性能，以及在5G通信和新能源汽車等新興市場的應(yīng)用價值，被認(rèn)為是半導(dǎo)體行業(yè)的重要發(fā)展方向。在國內(nèi)發(fā)展集成電路的背景下，化合物半導(dǎo)體受到地方政府和產(chǎn)業(yè)資本的熱捧。投資“熱潮”之下，需要重新思考我國發(fā)展化合物半導(dǎo)體的機遇、挑戰(zhàn)和路徑。
2018-10-05 15:29:0017658 化合物半導(dǎo)體相比硅半導(dǎo)體具有高頻率和大功率等優(yōu)異性能，是未來5G通信不可替代的核心技術(shù)。
2018-11-01 17:11:008095 化合物半導(dǎo)體是由兩種及以上元素構(gòu)成的半導(dǎo)體材料，目前最常用的材料有GaAs、GaN以及SiC等，作為第二代和第三代半導(dǎo)體的主要代表，因其在高功率、高頻率等方面特有的優(yōu)勢，在信息通信、光電應(yīng)用以及新能源汽車等產(chǎn)業(yè)中有著不可替代的地位。
2018-11-20 11:01:5617364 氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是一種氮（V）和鎵（III）的III-V族化合物，直接帶隙（Direct Bandgap）（直接躍遷型）的半導(dǎo)體材料，具有帶隙寬（室溫
2018-12-04 13:39:2611774 近幾年集成電路產(chǎn)業(yè)深刻變革催化著化合物半導(dǎo)體市場的發(fā)展，而其中以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等寬禁帶化合物為代表的第三代半導(dǎo)體材料更是引人矚目，攪動著全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)浪潮。
2018-12-18 10:06:533781 傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體因自身發(fā)展局限和摩爾定律限制，需尋找下一世代半導(dǎo)體材料，而化合物半導(dǎo)體材料的高電子遷移率、直接能隙與寬能帶等特性，恰好符合未來半導(dǎo)體發(fā)展所需，終端產(chǎn)品趨勢將由5G通訊、車用電子與光通訊領(lǐng)域等應(yīng)用主導(dǎo)。
2019-03-22 16:26:393979 
功率及化合物半導(dǎo)體對人類社會和科技發(fā)展影響越來越巨大，其應(yīng)用涵蓋了照明、激光、成像、移動通訊、消費電子、綠色能源、現(xiàn)代交通等方方面面。
2019-04-07 00:02:005209 化合物半導(dǎo)體中心（Compound Semiconductor Centre,簡稱CSC）成立于2015年，是由英國IQE公司和加的夫大學(xué)共同成立的合作機構(gòu)，任務(wù)是加速化合物半導(dǎo)體材料和器件研發(fā)的商業(yè)化，實現(xiàn)對英國在該重要使能技術(shù)領(lǐng)域所投資金的有形經(jīng)濟回報。
2019-04-11 17:37:575045 
半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。
2019-04-29 11:08:0710886 光纖通信、手機的無線通信系統(tǒng)、用于三維識別的VSECL泛光源、自動駕駛的毫米波雷達(dá)、5G基站的射頻模塊……新應(yīng)用場景的涌現(xiàn)，是化合物半導(dǎo)體大規(guī)模應(yīng)用的催化劑。
2019-10-12 14:47:383030 據(jù)中國化工報報道，由大慶溢泰半導(dǎo)體材料有限公司（以下簡稱“溢泰半導(dǎo)體”）投資建設(shè)的國內(nèi)首個化合物半導(dǎo)體新材料產(chǎn)業(yè)園區(qū)一期項目預(yù)計1月底全部建成達(dá)產(chǎn)。
2020-01-15 15:34:554734 據(jù)韓國消息報道，韓國科學(xué)技術(shù)研究院（KIST）于日前宣布，一個KIST團隊已經(jīng)成功開發(fā)出一種新的化合物，可以取代氮化鎵來生產(chǎn)藍(lán)光LED。
2020-03-09 16:49:223672 北電新材的經(jīng)營范圍，包括化合物半導(dǎo)體材料生產(chǎn)、化合物半導(dǎo)體集成電路制造、電子元器件制造；功能材料及其元器件的開發(fā)、銷售；功能器件用襯底的生產(chǎn)；人造寶石的制造及銷售；集成電路設(shè)計等。2020年上半年營業(yè)收入304.37萬元，凈利潤虧損1766.97萬元。
2020-08-19 15:44:403529 它們的速度也更快，這就是為什么數(shù)據(jù)密集型5G電信網(wǎng)絡(luò)和衛(wèi)星通信需要它們。化合物半導(dǎo)體可以發(fā)射和檢測光。磷化銦就是一個很好的例子，他們成功開拓了醫(yī)學(xué)成像和診斷，光纖通信和量子計算領(lǐng)域的應(yīng)用。
2020-11-06 15:25:053048 隨著晶圓代工業(yè)的火爆，其細(xì)分領(lǐng)域——化合物半導(dǎo)體代工——也是水漲船高，相關(guān)廠商近期的業(yè)績都很亮眼。而且，相對于廣義上的數(shù)字和模擬芯片代工廠，化合物半導(dǎo)體晶圓代工廠商的數(shù)量較少，這就使它們在代工產(chǎn)能普遍稀缺的當(dāng)下，價值愈加突出。
2020-12-03 15:20:453387 據(jù)南昌市人民政府網(wǎng)報道，康佳集團擬在南昌經(jīng)開區(qū)引進(jìn)第三代化合物半導(dǎo)體項目等，項目分兩期建設(shè)，一期投資50億元，主要建設(shè)第三代化合物半導(dǎo)體項目及其相關(guān)配套產(chǎn)業(yè)，同步建設(shè)半導(dǎo)體研究院，將打造成集研發(fā)、設(shè)計、制造為一體的高科技項目。
2020-12-11 14:04:573939 西安高新區(qū)二季度重點項目集中開工儀式舉行，會上集中開工項目共計51個，總投資約1165億元，項目涉及先進(jìn)制造業(yè)、服務(wù)業(yè)、新材料新能源、電子信息等領(lǐng)域。 其中，化合物半導(dǎo)體延片研發(fā)生產(chǎn)項目、比亞迪西安
2021-06-21 10:16:502944 第三族氮化物已成為短波長發(fā)射器、高溫微波晶體管、光電探測器和場發(fā)射尖端的通用半導(dǎo)體。這些材料的加工非常重要，因為它們具有異常高的鍵能。綜述了近年來針對這些材料發(fā)展起來的濕法刻蝕方法。提出了通過
2022-02-23 16:20:242208 
半導(dǎo)體行業(yè)尤其是光電化合物半導(dǎo)體行業(yè)近年來國際市場專利糾紛不斷，國內(nèi)企業(yè)持有完備的高價值專利資產(chǎn)將有利于我國快速獲得光電化合物半導(dǎo)體行業(yè)的國際話語權(quán)。
2022-03-11 11:54:20626 
氮化鋁(AlN)是一種六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)的共價鍵化合物，晶格參數(shù)為a=3.114，c=4.986。純氮化鋁呈藍(lán)白色，通常為灰色或灰白色，是典型的III-Ⅴ族寬禁帶半導(dǎo)體材料。
2022-03-23 14:27:462290 第一代半導(dǎo)體材料主要是以硅和鍺為代表的IV族材料，而第二代和第三代半導(dǎo)體材料主要是化合物半導(dǎo)體（Compound Semiconductor）材料，其中砷化鎵(GaAs)和磷化銦（InP）是第二代半導(dǎo)體材料中的代表，氮化鎵（GaN)和碳化硅(SiC）是第三代半導(dǎo)體材料中的代表。
2022-09-16 09:56:08790 常見的半導(dǎo)體材料有硅（si）、鍺（ge），化合物半導(dǎo)體，如砷化鎵（gaas）等;摻雜或制成其它化合物半導(dǎo)體材料，如硼（b）、磷（p）、錮（in）和銻（sb）等。其中硅是最常用的一種半導(dǎo)體材料。
2022-09-22 15:40:084538 氮化鎵（GaN）是第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，禁帶寬度為3.4eV，對應(yīng)截至波長365nm，對可見光無響應(yīng)，克服了硅基紫外傳感器對可見光有強烈響應(yīng)，且紫外靈敏度低的缺點，是制備紫外線傳感器的理想材料。III族氮化物化合物半導(dǎo)體具有帶隙可調(diào)的優(yōu)點，響應(yīng)波段范圍可覆蓋可見-紫外波段。
2023-01-12 10:37:36589 氮化鎵前景怎么樣 氮化鎵產(chǎn)業(yè)概述 1、產(chǎn)業(yè)地位 隨著半導(dǎo)體化合物持續(xù)發(fā)展，相較第一代硅基半導(dǎo)體和第二代砷化鎵等半導(dǎo)體，第三代半導(dǎo)體具有高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、高電子遷移率、高工作溫度等優(yōu)點。以SiC
2023-02-03 14:31:18693 氮化鎵是一種無機物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙的半導(dǎo)體。
2023-02-03 18:18:465898 
氮化鎵是一種無機物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
2023-02-03 18:21:212564 氮化鎵具有大禁帶寬度、高電子飽和速率、高擊穿電場、較高熱導(dǎo)率、耐腐蝕以及抗輻射性能等優(yōu)點，從而可以采用氮化鎵制作半導(dǎo)體材料，而得到氮化鎵半導(dǎo)體器件。 目前第三代半導(dǎo)體材料主要有三族化合物半導(dǎo)體材料
2023-02-05 15:01:485078 氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，其具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點，寬禁帶半導(dǎo)體是高溫、高頻、抗輻射及大功率器件的適合材料。與第一代和第二代半導(dǎo)體材料相比，第三代
2023-02-12 11:07:49599 GaN是一種無機物質(zhì)，其化學(xué)式為GaN，是氮和鎵的化合物，是自1990年以來常用于發(fā)光二極管的直接帶隙半導(dǎo)體。該化合物在結(jié)構(gòu)上類似于金雞石，具有高硬度。氮化鎵具有3.4電子伏特的寬能隙，可用
2023-02-15 15:31:561482 半導(dǎo)體。例如，砷化鎵(GaAs)是二元III-V化合物，它是第三列的鎵(Ga)和第五列的砷(As)的組合。三元化
合物可以由三個不同列的元素形成，例如，碲化汞銦(HgIn 2 Te 4)，一種II-III-VI化合物。它們也可以由兩列中的元素形成，例如砷化鋁鎵
(Al xGa 1- xAs)，這是
2023-02-27 14:46:243 半導(dǎo)體迄今為止共經(jīng)歷了三個發(fā)展階段：第一代半導(dǎo)體以硅（Si）、鍺（Ge）為代表；第二代半導(dǎo)體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物為代表；第三代半導(dǎo)體是以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN
2023-05-05 17:46:226179 
西安電子科技大學(xué)教授、副校長郝躍中國科學(xué)院微電子研究所劉新宇一、引言化合物半導(dǎo)體具有飽和速度高、能帶易剪裁、帶隙寬等特性，在超高頻、大功率、高效率等方面表現(xiàn)出優(yōu)越的性能，因此，化合物半導(dǎo)體電子器件
2022-01-04 16:32:221123 
基于具有規(guī)則六邊形孔的納米圖案化氮化鋁AlN/藍(lán)寶石模板，藍(lán)寶石氮化預(yù)處理和解理面的有序橫向生長，保證了離散的氮化鋁AlN柱，以均勻的面外和面內(nèi)取向結(jié)合，有效地抑制了凝聚過程中穿透位錯threading dislocations的再生。
2023-06-25 16:26:11359 
報道強調(diào)，隨著全球消費電子、電動汽車領(lǐng)域的技術(shù)升級和需求成長，功率半導(dǎo)體的價格一直在上漲。因此，市場希望于碳化硅、氮化鎵這樣的化合物材料所制造功率半導(dǎo)體，達(dá)到比傳統(tǒng)單晶硅基半導(dǎo)體更高的電源轉(zhuǎn)換效率、更高的功率密度，此外耐用性會更佳，進(jìn)一步迎合汽車應(yīng)用的等惡劣作業(yè)環(huán)境。
2023-07-13 16:18:25443 
以氮化鎵（GaN）為代表的一系列具有纖鋅礦結(jié)構(gòu)的氮化物半導(dǎo)體是直接帶隙半導(dǎo)體材料，其組成的二元混晶或三元混晶在室溫下禁帶寬度從0.7 eV到6.28 eV連續(xù)可調(diào)，是制備藍(lán)綠光波段光電器件的優(yōu)選材料。
2023-08-04 11:47:57742 
氮化鎵襯底是一種用于制造氮化鎵（GaN）基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件的基板材料。GaN是一種III-V族化合物半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的電子特性和高頻特性，適用于高功率、高頻率和高溫應(yīng)用。
使用氮化鎵襯底可以在上面
2023-08-22 15:17:312376 我們?nèi)A林科納討論了在InP、GaAs、GaN、AlN和ZnO等化合物半導(dǎo)體中氫和/或氦注入引起的表面起泡和層分裂。起泡現(xiàn)象取決于許多參數(shù)，例如半導(dǎo)體材料、離子注量、離子能量和注入溫度。給出了化合物
2023-09-04 17:09:31317 
氮化鎵是一種無機物質(zhì)，化學(xué)式為GaN，是氮和鎵的化合物，是一種具有直接帶隙的半導(dǎo)體。自1990年起常用于發(fā)光二極管。這種化合物的結(jié)構(gòu)與纖鋅礦相似，硬度非常高。氮化鎵具有3.4電子伏特的寬能隙，可用
2023-09-13 16:41:45860 2021年化合物半導(dǎo)體行業(yè)深度報告
2023-01-13 09:05:469 氮化鎵（GaN）被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代 GaAs、InP 化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料，今天金譽半導(dǎo)體帶大家來簡單了解一下，這個材料有什么厲害的地方。
2023-11-03 10:59:12663 
由于其獨特的材料特性，III族氮化物半導(dǎo)體廣泛應(yīng)用于電力、高頻電子和固態(tài)照明等領(lǐng)域。加熱的四甲基氫氧化銨(TMAH)和KOH3處理的取向相關(guān)蝕刻已經(jīng)被用于去除III族氮化物材料中干法蝕刻引起的損傷，并縮小垂直結(jié)構(gòu)。
2023-11-30 09:01:58166 
GaN和InGaN基化合物半導(dǎo)體和其他III族氮化物已經(jīng)成功地用于實現(xiàn)藍(lán)-綠光發(fā)光二極管和藍(lán)光激光二極管。由于它們優(yōu)異的化學(xué)和熱穩(wěn)定性，在沒有其它輔助的情況下，在GaN和InGaN基材料上的濕法蝕刻是困難的，并且導(dǎo)致低的蝕刻速率和各向同性的蝕刻輪廓。
2023-12-05 14:00:22220 
清軟微視是清華大學(xué)知識產(chǎn)權(quán)轉(zhuǎn)化的高新技術(shù)企業(yè)，專注于化合物半導(dǎo)體視覺領(lǐng)域量檢測軟件與裝備研發(fā)。其自主研發(fā)的針對碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）的襯底和外延無損檢測裝備Omega系列產(chǎn)品，
2023-12-05 14:54:38769 
材料不同。傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體芯片是以硅為基材，采用不同的工藝在硅上加工制造，而氮化鎵半導(dǎo)體芯片則是以氮化鎵為基材，通過化學(xué)氣相沉積、分子束外延等工藝制備。氮化鎵是一種全化合物半導(dǎo)體材料，具有較寬的能隙，電子遷移率高以及較高的飽
2023-12-27 14:58:24424 近日，華大半導(dǎo)體旗下中電化合物有限公司榮獲“中國第三代半導(dǎo)體外延十強企業(yè)”稱號，其生產(chǎn)的8英寸SiC外延片更是一舉斬獲“2023年度SiC襯底/外延最具影響力產(chǎn)品獎”。這一榮譽充分體現(xiàn)了中電化合物在第三代半導(dǎo)體外延領(lǐng)域的卓越實力和領(lǐng)先地位。
2024-01-04 15:02:23523 氮化鎵是一種無機化合物，化學(xué)式為GaN，它由鎵和氮元素組成。氮化鎵具有許多重要的物理和化學(xué)性質(zhì)，使其在科學(xué)研究和工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用。 氮化鎵是一種具有低能隙的半導(dǎo)體材料，其晶體結(jié)構(gòu)屬于
2024-01-10 10:05:09348
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