眾所周知，對(duì)于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)來(lái)說(shuō)，高質(zhì)量的襯底可以從外部購(gòu)買(mǎi)得到，高質(zhì)量的外延片也可以從外部購(gòu)買(mǎi)到，可是這只是具備了獲得一個(gè)碳化硅器件的良好基礎(chǔ)，高性能的碳化硅器件對(duì)于
2023-04-06 16:19:01
1460 
安森美(onsemi)發(fā)布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET，命名為M3S，其中S代表開(kāi)關(guān)。
2024-03-26 09:57:19948 
安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列專(zhuān)注于提高開(kāi)關(guān)性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定電阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，還針對(duì)工業(yè)電源系統(tǒng)中的高功率應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。
2024-03-28 10:01:09932 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）在汽車(chē)電氣化的發(fā)展中，碳化硅的應(yīng)用已經(jīng)成為行業(yè)共識(shí)，采用碳化硅二極管以及開(kāi)關(guān)管組成的功率模塊相比硅基模塊，在應(yīng)用中能夠縮小模塊體積50%以上、消減電子轉(zhuǎn)換損耗80%以上
2023-07-01 00:13:001273 
安森美半導(dǎo)體已成為主要汽車(chē)半導(dǎo)體技術(shù)的一個(gè)全球領(lǐng)袖。 安森美半導(dǎo)體是自動(dòng)駕駛系統(tǒng)的圖像傳感器、電源管理和互通互聯(lián)領(lǐng)域的一個(gè)公認(rèn)的佼佼者。此外，公司的廣泛電源方案組合，包括模塊和碳化硅（SiC）/氮化鎵
2018-10-11 14:33:43
PN結(jié)器件優(yōu)越的指標(biāo)是正向?qū)妷旱停哂械偷膶?dǎo)通損耗。 但硅肖特基二極管也有兩個(gè)缺點(diǎn)，一是反向耐壓VR較低，一般只有100V左右;二是反向漏電流IR較大。 二、碳化硅半導(dǎo)體材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03
碳化硅MOSFET開(kāi)關(guān)頻率到100Hz為什么波形還變差了
2015-06-01 15:38:39
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗(yàn)(SCT)表現(xiàn)。具體而言，該實(shí)驗(yàn)的重點(diǎn)是在不同條件下進(jìn)行專(zhuān)門(mén)的實(shí)驗(yàn)室測(cè)量，并借助一個(gè)穩(wěn)健的有限元法物理模型來(lái)證實(shí)和比較測(cè)量值，對(duì)短路行為的動(dòng)態(tài)變化進(jìn)行深度評(píng)估。
2019-08-02 08:44:07
社會(huì)的重要元器件。碳化硅被廣泛視為下一代功率器件的材料，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅相較于硅材料可進(jìn)一步提高電壓并降低損耗。雖然碳化硅功率器件目前主要用于列車(chē)逆變器，但其具有極為廣泛的應(yīng)用前景，包括車(chē)輛電氣化和工業(yè)設(shè)備
2023-04-11 15:29:18
應(yīng)用領(lǐng)域。更多規(guī)格參數(shù)及封裝產(chǎn)品請(qǐng)咨詢(xún)我司人員！附件是海飛樂(lè)技術(shù)碳化硅二極管選型表，歡迎大家選購(gòu)！碳化硅（SiC）半導(dǎo)體材料是自第一代元素半導(dǎo)體材料（Si、Ge）和第二代化合物半導(dǎo)體材料（GaAs
2019-10-24 14:21:23
由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能，碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種，主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場(chǎng)強(qiáng)等，因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開(kāi)關(guān)管
2020-06-28 17:30:27
圓盤(pán)的能量吸收范圍高達(dá) 122,290J，允許圓盤(pán)組件具有數(shù)十兆焦耳的極高能量吸收額定值。 電氣參數(shù) EAK碳化硅磁盤(pán)應(yīng)用來(lái)自雷電、電感或電容耦合的電源過(guò)電壓。開(kāi)關(guān)帶感性負(fù)載的觸點(diǎn)。變壓器、電機(jī)
2024-03-08 08:37:49
進(jìn)一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來(lái)聊聊碳化硅器件的特點(diǎn)
2021-03-16 08:00:04
碳化硅（SiC）即使在高達(dá)1400℃的溫度下，仍能保持其強(qiáng)度。這種材料的明顯特點(diǎn)在于導(dǎo)熱和電氣半導(dǎo)體的導(dǎo)電性極高。碳化硅化學(xué)和物理穩(wěn)定性，碳化硅的硬度和耐腐蝕性均較高。是陶瓷材料中高溫強(qiáng)度好的材料
2021-01-12 11:48:45
隨著科技創(chuàng)新的發(fā)展，汽車(chē)電子已經(jīng)成為汽車(chē)控制系統(tǒng)中最為重要的支撐基礎(chǔ)。汽車(chē)電氣化標(biāo)志者汽車(chē)產(chǎn)業(yè)革命開(kāi)始。隨著新能源車(chē)、無(wú)人駕駛、車(chē)載信息系統(tǒng)技術(shù)日漸成熟，未來(lái)汽車(chē)產(chǎn)業(yè)將沿著智能化、網(wǎng)絡(luò)化及深度
2020-12-16 11:31:13
碳化硅的顏色，純凈者無(wú)色透明，含雜質(zhì)(碳、硅等)時(shí)呈藍(lán)、天藍(lán)、深藍(lán)，淺綠等色，少數(shù)呈黃、黑等色。加溫至700℃時(shí)不褪色。金剛光澤。比重,具極高的折射率, 和高的雙折射，在紫外光下發(fā)黃、橙黃色光，無(wú)
2019-07-04 04:20:22
硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗稱(chēng)金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不過(guò)，自1893 年以來(lái)，粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料，為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會(huì)受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
01 碳化硅材料特點(diǎn)及優(yōu)勢(shì) 碳化硅作為寬禁帶半導(dǎo)體的代表性材料之一，其材料本征特性與硅材料相比具有諸多優(yōu)勢(shì)。以現(xiàn)階段最適合用于做功率半導(dǎo)體的4H型碳化硅材料為例，其禁帶寬度是硅材料的3倍
2023-02-28 16:55:45
碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅的寬禁帶（3.26eV）、高臨界場(chǎng)（3×106V/cm）和高導(dǎo)熱系數(shù)（49W/mK）使功率半導(dǎo)體器件效率更高，運(yùn)行速度更快
2023-02-28 16:34:16
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動(dòng)芯片有幾款,型號(hào)是什么
2020-03-05 09:30:32
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-06-18 08:32:43
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
大功率適配器為了減小對(duì)電網(wǎng)的干擾，都會(huì)采用PFC電路、使用氮化鎵的充電器，基本也離不開(kāi)碳化硅二極管，第三代半導(dǎo)體材料幾乎都是同時(shí)出現(xiàn)，強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手避免短板。創(chuàng)能動(dòng)力推出的碳化硅二極管
2023-02-22 15:27:51
本文重點(diǎn)介紹賽米控碳化硅在功率模塊中的性能，特別是SEMITRANS 3模塊和SEMITOP E2無(wú)基板模塊。 分立器件（如 TO-247）是將碳化硅集成到各種應(yīng)用中的第一步，但對(duì)于更強(qiáng)大和更
2023-02-20 16:29:54
的混合碳化硅分立器件（Hybrid SiC Discrete Devices）將新型場(chǎng)截止IGBT技術(shù)和碳化硅肖特基二極管技術(shù)相結(jié)合，為硬開(kāi)關(guān)拓?fù)浯蛟炝艘粋€(gè)兼顧品質(zhì)和性?xún)r(jià)比的完美方案。 該器件將傳統(tǒng)
2023-02-28 16:48:24
的基本物理學(xué)特性仍然在阻礙著其性能的進(jìn)一步提高，這限制了創(chuàng)新且又簡(jiǎn)單的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)應(yīng)用，因而也阻礙了可持續(xù)綠色高效率的拓?fù)浒l(fā)展。本文討論的碳化硅MOSFET技術(shù)在應(yīng)用中同樣也存在挑戰(zhàn)，并非所有碳化硅
2023-03-14 14:05:02
用碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)一個(gè)雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器
2021-02-22 07:32:40
如何確保高度電氣化的汽車(chē)維持足夠的電源？
2021-05-14 06:39:29
組的不良放電性能？如何監(jiān)測(cè) BMS 系統(tǒng)？在牽引逆變器中使用碳化硅（SiC）或氮化鎵（GaN）車(chē)載設(shè)備有何優(yōu)勢(shì)？如何防止?fàn)恳孀兤鬟^(guò)熱？為何需要溫度傳感器來(lái)確保牽引逆變器系統(tǒng)的可靠性？
2021-06-17 10:40:11
采用溝槽型、低導(dǎo)通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列 產(chǎn)品型號(hào) BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽車(chē)級(jí)全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35
直連散熱器、微通道液冷散熱器集成及芯片直接散熱方式等均為碳化硅器件的散熱提供了更多的可能。可以預(yù)見(jiàn)，碳化硅器件和封裝技術(shù)的發(fā)展已經(jīng)為電力電子技術(shù)打開(kāi)了一扇更廣闊的大門(mén)，助力電力電子技術(shù)朝著高頻、高效
2023-02-22 16:06:08
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問(wèn)題，解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問(wèn)題，如果你有類(lèi)似的困惑，歡迎前來(lái)探討，鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢(shì)它有高導(dǎo)熱，高剛度，高耐磨，低膨脹，低密度，低成本，適合各種產(chǎn)品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問(wèn)題及時(shí)交流，謝謝各位！
2016-10-19 10:45:41
硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)兩者電氣參數(shù)特性差別較大，碳化硅MOSFET對(duì)于驅(qū)動(dòng)的要求也不同于傳統(tǒng)硅器件，主要體現(xiàn)在GS開(kāi)通電壓、GS關(guān)斷電壓、短路保護(hù)、信號(hào)延遲和抗干擾幾個(gè)方面，具體如下
2023-02-27 16:03:36
一、什么是碳化硅碳化硅（SiC）又叫金剛砂，它是用石英砂、石油焦、木屑、食鹽等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成，其實(shí)碳化硅很久以前就被發(fā)現(xiàn)了，它的特點(diǎn)是：化學(xué)性能穩(wěn)定、導(dǎo)熱系數(shù)高、熱膨脹系數(shù)小、耐磨性能
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設(shè)備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒(méi)有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過(guò)程中總是會(huì)在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
近年來(lái)，汽車(chē)電氣化是大勢(shì)所趨，汽車(chē)電氣化不只是引入純電動(dòng)汽車(chē)，還是不斷地用電控技術(shù)取代傳統(tǒng)機(jī)械部件和機(jī)械繼電器，或者在某些情況下引入新的功能。
2019-08-08 07:06:53
推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體推出最新650 V碳化硅（SiC）肖特基二極管系列產(chǎn)品，擴(kuò)展了SiC二極管產(chǎn)品組合。
2018-03-01 13:14:178474 2018年6月5日 —推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體 (ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON)，發(fā)布了碳化硅 (SiC) 肖特基二極管的擴(kuò)展系列，包括專(zhuān)門(mén)用于要求嚴(yán)苛的汽車(chē)應(yīng)用的器件。
2018-06-21 16:08:423891 推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體發(fā)布了碳化硅 (SiC) 肖特基二極管的擴(kuò)展系列，包括專(zhuān)門(mén)用于要求嚴(yán)苛的汽車(chē)應(yīng)用的器件。
2018-12-04 16:32:183209 日前，保時(shí)捷 CEO Oliver Blume 在接受 Top Gear 采訪中，對(duì)于保時(shí)捷未來(lái)的電氣化方向進(jìn)行了說(shuō)明，并提到了保時(shí)捷 718 和 911 車(chē)型的電氣化規(guī)劃。
2020-01-06 17:03:432927 。根據(jù)該協(xié)議，GTAT將向高能效創(chuàng)新的全球領(lǐng)袖之一的安森美半導(dǎo)體生產(chǎn)和供應(yīng)CrystX?碳化硅（SiC）材料，用于高增長(zhǎng)市場(chǎng)和應(yīng)用。
2020-03-19 09:07:442603 關(guān)鍵詞：CrystX , 碳化硅 , SiC 該五年協(xié)議提高高需求寬禁帶材料的全球供應(yīng) GT Advanced Technologies（GTAT）和安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor
2020-03-20 08:51:173803 在科銳 (Cree, Inc., 美國(guó)納斯達(dá)克上市代碼: CREE)，我們正在推進(jìn)從硅 (Si) 向碳化硅 (SiC) 的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型。為了滿足日益增長(zhǎng)的對(duì)于我們開(kāi)創(chuàng)性 Wolfspeed 技術(shù)的需求
2020-09-15 13:56:162389 推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體 （ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON），發(fā)布一系列新的碳化硅 （SiC） MOSFET器件，適用于功率密度、能效和可靠性攸關(guān)的高要求應(yīng)用。
2021-02-19 14:03:151978 基本半導(dǎo)體是國(guó)內(nèi)比較早涉及第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件研發(fā)的企業(yè)，率先推出了碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOSFET等器件，為業(yè)界熟知，并得到廣泛應(yīng)用。在11月27日舉行的2021基本創(chuàng)新日活動(dòng)中
2021-11-29 14:54:088036 
碳化硅和氮化鎵等 寬帶隙 功率半導(dǎo)體可減小組件尺寸、提高效率并改善混合動(dòng)力和全電動(dòng)汽車(chē)的性能。 現(xiàn)在越來(lái)越多的汽車(chē)制造商押注于 SiC 和 GaN，芯片制造商正在轉(zhuǎn)變他們的業(yè)務(wù)，以利
2022-07-29 12:06:00518 領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美（onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON），慶祝在捷克共和國(guó)Roznov擴(kuò)建的碳化硅 （以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SiC”） 工廠的落成。以工業(yè)和貿(mào)易部科長(zhǎng)Zbyněk
2022-09-28 10:58:11854 億美元的新工廠。隨著新能源汽車(chē)的加速滲透，碳化硅技術(shù)的重要性愈發(fā)凸顯。安森美、Wolfspeed、意法半導(dǎo)體等碳化硅領(lǐng)域主導(dǎo)企業(yè)，均發(fā)表了對(duì)行業(yè)發(fā)展的積極展望，并計(jì)劃投資擴(kuò)大產(chǎn)能。碳化硅大廠間的新一輪卡位之戰(zhàn)正在展開(kāi)。 激進(jìn)的擴(kuò)產(chǎn)步伐 作為碳化
2022-10-08 17:02:251000 意法半導(dǎo)體將于意大利興建一座整合式碳化硅（Silicon Carbide；SiC）襯底制造廠，以支持意法半導(dǎo)體客戶(hù)對(duì)汽車(chē)及工業(yè)碳化硅組件與日俱增的需求，協(xié)助其向電氣化邁進(jìn)并達(dá)到更高效率。新廠預(yù)計(jì)2023年開(kāi)始投產(chǎn)，以實(shí)現(xiàn)碳化硅襯底的供應(yīng)在對(duì)內(nèi)采購(gòu)及行業(yè)供貨間達(dá)到平衡。
2022-10-08 17:04:031478 意法半導(dǎo)體將于意大利興建一座整合式碳化硅(Silicon Carbide;SiC)襯底制造廠，以支持意法半導(dǎo)體客戶(hù)對(duì)汽車(chē)及工業(yè)碳化硅組件與日俱增的需求，協(xié)助其向電氣化邁進(jìn)并達(dá)到更高效率。新廠預(yù)計(jì)2023年開(kāi)始投產(chǎn)，以實(shí)現(xiàn)碳化硅襯底的供應(yīng)在對(duì)內(nèi)采購(gòu)及行業(yè)供貨間達(dá)到平衡。
2022-10-09 09:10:55845 綠色倡議持續(xù)推動(dòng)工業(yè)、航空航天和國(guó)防應(yīng)用，尤其是運(yùn)輸行業(yè)的電力電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)型。碳化硅（SiC）是引領(lǐng)這一趨勢(shì)的核心技術(shù)，可提供多種新功能不斷推動(dòng)各種車(chē)輛和飛機(jī)實(shí)現(xiàn)電氣化，從而減少溫室氣體（GHG
2022-11-10 11:30:21569 毛利率分別為48.3%和49.3%。 去年8月，安森美將品牌名稱(chēng)由此前的安森美半導(dǎo)體變更為安森美，并確立了 新的企業(yè)目標(biāo)——成為智能電源和感知技術(shù)的領(lǐng)先供應(yīng)商。 安森美的智能電源解決方案包括碳化硅、IGBT、MOSFET等產(chǎn)品陣容，使電動(dòng)車(chē)更輕、續(xù)航里程更遠(yuǎn)，并賦能高能效的快速充電
2022-11-21 20:10:10676 技術(shù)的角度，帶您走近碳化硅。 ? 點(diǎn)擊圖片，持續(xù)打卡學(xué)習(xí)！ 工業(yè)和汽車(chē)是中功率和大功率電子元器件的兩個(gè)大市場(chǎng)。隨著諸如IGBT的現(xiàn)有技術(shù)與碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等技術(shù)相結(jié)合，工業(yè)、汽車(chē)和其他電氣化趨勢(shì)正在重塑其應(yīng)用的
2022-12-20 12:20:06564 ：ON)，宣布將其碳化硅(SiC)系列命名為“EliteSiC”。在本周美國(guó)拉斯維加斯消費(fèi)電子展覽會(huì)(CES)上，安森美將展示EliteSiC?系列的3款新成員：一款1700 V EliteSiC MOSFET
2023-01-05 13:16:58531 代號(hào)：ON)，宣布將其碳化硅(SiC)系列命名為“EliteSiC”。在本周美國(guó)拉斯維加斯消費(fèi)電子展覽會(huì)(CES)上，安森美將展示EliteSiC 系列的3款新成員：一款1700 V EliteSiC
2023-01-05 20:20:49472 碳化硅原理是什么 碳化硅，是一種無(wú)機(jī)物，化學(xué)式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物，莫桑石。在C、N
2023-02-02 14:50:022480 綠色倡議持續(xù)推動(dòng)工業(yè)、航空航天和國(guó)防應(yīng)用，尤其是運(yùn)輸行業(yè)的電力電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)型。碳化硅（SiC）是引領(lǐng)這一趨勢(shì)的核心技術(shù)，可提供多種新功能不斷推動(dòng)各種車(chē)輛和飛機(jī)實(shí)現(xiàn)電氣化，從而減少溫室氣體（GHG）排放。
2023-02-03 14:25:50194 APM32系列模塊助力所有類(lèi)型的電動(dòng)汽車(chē)實(shí)現(xiàn)更快充電和更遠(yuǎn)續(xù)航里程 2022年9月29日—領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)，今天宣布推出三款基于碳化硅
2023-02-21 09:17:41
2 我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件：碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開(kāi)說(shuō)明。碳和硅進(jìn)過(guò)化合先合成碳化硅，然后碳化硅打磨成為粉末，碳化硅粉末經(jīng)過(guò)碳化硅單晶生長(zhǎng)成為碳化硅晶錠；碳化硅晶錠
2023-02-21 10:04:111975 
本文作者： 安森美汽車(chē)主驅(qū)功率模塊 ??????????????????產(chǎn)品線 經(jīng)理 Bryan Lu 眾所周知，對(duì)于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)來(lái)說(shuō)，高質(zhì)量的襯底可以從外部購(gòu)買(mǎi)
2023-03-30 22:15:011650 ）。安森美將為極氪提供EliteSiC碳化硅（SiC）功率器件，以提高其智能電動(dòng)汽車(chē)（EV）的能效，從而提升性能，加快充電速度，延長(zhǎng)續(xù)航里程。 極氪將采用安森美的 M3E 1200V ?EliteSiC MOSFET ，以配合其不斷擴(kuò)大的高性能純電車(chē)型產(chǎn)品陣容，實(shí)現(xiàn)更強(qiáng)的電氣和機(jī)械性能及可靠性。這
2023-05-11 20:16:29360 
智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者安森美（onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON），推出最新一代1200 V EliteSiC 碳化硅（SiC）M3S器件，助力電力電子工程師實(shí)現(xiàn)更出色的能效和更低系統(tǒng)成本。
2023-05-25 10:39:07352 電氣化的強(qiáng)勁增長(zhǎng) 除了產(chǎn)能投資外，兩家公司還將在進(jìn)一步 優(yōu)化主驅(qū)逆變器系統(tǒng) 方面達(dá)成合作 緯湃科技（Vitesco Technologies） 和 安森美（onsemi） 今天宣布了一項(xiàng)價(jià)值19億美元（17.5億歐元）的 碳化硅產(chǎn)品10年期供應(yīng)協(xié)議 ，以實(shí)現(xiàn)緯湃科技在電氣化技術(shù)方面的提升。緯
2023-06-02 19:55:01411 
緯湃科技首席執(zhí)行官Andreas Wolf說(shuō)：“高能效碳化硅功率半導(dǎo)體正處于需求量激增的起步階段。因此我們必須與安森美一起打造完整的碳化硅價(jià)值鏈。通過(guò)這項(xiàng)投資，我們?cè)谖磥?lái)十年甚至更長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)都能確保該項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)的供應(yīng)。”
2023-06-06 15:03:47698 
文章來(lái)源：PowerElectronicsNews在相當(dāng)長(zhǎng)的一段時(shí)間內(nèi)，硅一直是世界各地電力電子轉(zhuǎn)換器所用器件的首選半導(dǎo)體材料，但1891年碳化硅(SiC)的出現(xiàn)帶來(lái)了一種替代材料，它能減輕對(duì)硅
2023-04-06 16:16:34413 
證交所股票代碼：BWA)，擴(kuò)大碳化硅（SiC）方面的戰(zhàn)略合作，協(xié)議總價(jià)值超10億美元。博格華納計(jì)劃將安森美的EliteSiC 1200 V和750 V功率器件集成到其VIPER功率模塊中。長(zhǎng)期以來(lái)，雙方
2023-07-19 11:15:03521 
，智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美(onsemi)與提供創(chuàng)新可持續(xù)的車(chē)行方案的全球領(lǐng)先供應(yīng)商博格華納(BorgWarner)，擴(kuò)大碳化硅（SiC）方面的戰(zhàn)略合作，協(xié)議總價(jià)值超10億美元。博格華納
2023-07-20 18:01:24783 
碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性，突破硅基半導(dǎo)體材料物理限制，是第三代半導(dǎo)體核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化鎵射頻器件和碳化硅功率器件。受益于5G通信、國(guó)防軍工、新能源汽車(chē)和新能源光伏等領(lǐng)域的發(fā)展，碳化硅需求增速可觀。
2023-08-19 11:45:221435 推動(dòng)電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)發(fā)展的綠色意識(shí)和法規(guī)推動(dòng)了電池技術(shù)和基于碳化硅的設(shè)計(jì)的創(chuàng)新，以實(shí)現(xiàn)綠色能源發(fā)電的轉(zhuǎn)型。
2023-09-07 09:50:13212 
安森美（onsemi）宣布，其位于韓國(guó)富川的先進(jìn)碳化硅 (SiC) 超大型制造工廠的擴(kuò)建工程已經(jīng)完工。全負(fù)荷生產(chǎn)時(shí)，該晶圓廠每年將能生產(chǎn)超過(guò)一百萬(wàn)片 200?mm SiC 晶圓。為了支持 SiC
2023-10-24 15:55:22970 安森美半導(dǎo)體已完成其在韓國(guó)富川的全球最大的碳化硅(SiC)制造工廠的擴(kuò)建。該工廠將能夠以峰值產(chǎn)能每年生產(chǎn)超過(guò)100萬(wàn)個(gè)200毫米SiC晶圓。為了支持SiC制造能力的增長(zhǎng)，安森美美計(jì)劃在未來(lái)三年內(nèi)雇用
2023-10-26 17:26:58951 在碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中，碳化硅襯底制造是碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)壁壘最高、價(jià)值量最大的環(huán)節(jié)，是未來(lái)碳化硅大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化推進(jìn)的核心環(huán)節(jié)。
碳化硅襯底的生產(chǎn)流程包括長(zhǎng)晶、切片、研磨和拋光四個(gè)環(huán)節(jié)。
2023-10-27 09:35:571580 綠色倡議持續(xù)推動(dòng)工業(yè)、航空航天和國(guó)防應(yīng)用，尤其是運(yùn)輸行業(yè)的電力電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)型。碳化硅（SiC）是引領(lǐng)這一趨勢(shì)的核心技術(shù)，可提供多種新功能不斷推動(dòng)車(chē)輛和飛機(jī)實(shí)現(xiàn)電氣化，從而減少溫室氣體（GHG）排放
2023-10-27 11:10:02331 
點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們 安森美(onsemi) 中國(guó)區(qū)汽車(chē)市場(chǎng)技術(shù)應(yīng)用負(fù)責(zé)人、碳化硅首席專(zhuān)家吳桐博士 近日就碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈迭代趨勢(shì)以及完善產(chǎn)業(yè)鏈背后 安森美的公司業(yè)績(jī)、 運(yùn)營(yíng)模式、市場(chǎng)前景與產(chǎn)業(yè)合作等內(nèi)容
2023-11-01 19:15:02707 
富川晶圓廠的擴(kuò)建滿足了市場(chǎng)對(duì)增產(chǎn)的緊迫需求，讓安森美能夠持續(xù)向客戶(hù)提供供應(yīng)保障，并加強(qiáng)其在智慧電源管理領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。富川SiC晶圓廠在全面整合的SiC供應(yīng)鏈中起到了至關(guān)重要的作用，并且實(shí)現(xiàn)了持續(xù)的成功。這使得安森美得以為全球電氣化的加速發(fā)展提供支援。
2023-11-02 16:24:33418 
中國(guó)是安森美的重要市場(chǎng)，公司與中國(guó)三家領(lǐng)先的新能源汽車(chē)企業(yè)簽訂了長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議，并將這種關(guān)系擴(kuò)展到本土排名前列的傳統(tǒng)汽車(chē)制造商，還推動(dòng)了國(guó)內(nèi)首款采用碳化硅技術(shù)的本土品牌電動(dòng)車(chē)的落地。
2023-11-07 11:40:57478 碳化硅如何革新電氣化趨勢(shì)
2023-11-27 17:42:14521 
目前，全球碳化硅產(chǎn)業(yè)處于快速發(fā)展階段。據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)，未來(lái)幾年碳化硅市場(chǎng)將保持高速增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。根據(jù)公開(kāi)信息統(tǒng)計(jì)，2022年全球碳化硅市場(chǎng)份額約為18億美元，該數(shù)據(jù)包括多家上市公司，如意法半導(dǎo)體、英飛凌、Wolfspeed和安森美羅姆等。
2023-12-06 17:17:37845 
進(jìn)的SiC制造工廠之一。該工廠全負(fù)荷生產(chǎn)時(shí)，每年可生產(chǎn)超過(guò)一百萬(wàn)片200mm SiC晶圓，能夠滿足市場(chǎng)對(duì)碳化硅器件的迅速增長(zhǎng)需求。 安森美在第三季度取得了 21.8 億美元的穩(wěn)健業(yè)績(jī)，接近其上季度的指導(dǎo)范圍上限。 全年碳化硅營(yíng)收預(yù)計(jì)將創(chuàng)新高。 對(duì)于2024年的預(yù)期，
2023-12-07 10:25:02418 ”）之 年度最佳功率半導(dǎo)體獎(jiǎng) 。此兩大獎(jiǎng)項(xiàng)不僅是對(duì)安森美在碳化硅領(lǐng)域領(lǐng)先地位的認(rèn)可，更突顯了其在推動(dòng)智能電源創(chuàng)新方面的
2023-12-07 11:35:01290 
安森美（onsemi）“碳”路先鋒技術(shù)日暨碳化硅和功率解決方案系列研討會(huì)即將啟航。5城巡回，10+解決方案，安森美各地一線技術(shù)專(zhuān)家首次齊聚一堂，只為攜手中國(guó)的“碳
2024-04-20 08:30:00163 對(duì)環(huán)境的影，推動(dòng)了一系列能夠顯著提升效率并加快電氣化轉(zhuǎn)變的產(chǎn)品的問(wèn)世。功率半導(dǎo)體技術(shù)近年來(lái)快速進(jìn)步，配備了碳化硅(SiC)MOSFET的電動(dòng)汽車(chē)(EV)如今能夠行駛
2024-04-24 11:48:00410 
：ON)，將于5月至6月舉辦面向新能源和電動(dòng)汽車(chē)應(yīng)用領(lǐng)域的技術(shù)經(jīng)理、工程師和渠道合作伙伴的2024“碳”路先鋒技術(shù)日暨碳化硅(SiC) 和功率解決方案5城巡回研討會(huì)。該系列研討會(huì)將針對(duì)汽車(chē)電氣化和智能化以及工業(yè)市場(chǎng)可持續(xù)性能源發(fā)展的廣泛應(yīng)用場(chǎng)景，共同探討最新的能效設(shè)計(jì)挑
2024-05-06 15:26:47160 
全球半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)軍企業(yè)安森美（Onsemi）近日宣布，推出了一系列創(chuàng)新的碳化硅（SiC）芯片。這些新型芯片的設(shè)計(jì)初衷，是借鑒其在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域已經(jīng)成熟的技術(shù)，為驅(qū)動(dòng)人工智能（AI）服務(wù)的數(shù)據(jù)中心帶來(lái)更高的能效和節(jié)能性能。
2024-06-11 09:54:09339 。為加速達(dá)成這個(gè)全球轉(zhuǎn)型目標(biāo)，安森美推出了最新一代碳化硅技術(shù)平臺(tái)EliteSiCM3e MOSFET，并計(jì)劃將在2030年前推出多代新產(chǎn)品。
2024-07-19 10:43:44281
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