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除了低功耗與低成本,F(xiàn)D-SOI還有什么優(yōu)勢?

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2018-05-14 15:54:002394

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2018-05-25 11:20:001424

三星宣布他們有17種FD-SOI產(chǎn)品進(jìn)入大批量產(chǎn)階段

生產(chǎn)FD-SOI工藝的公司有ST Micro(其正在將此工藝用作28納米IDM的生產(chǎn)),三星代工廠(28納米工藝投產(chǎn)中,18納米工藝計劃投產(chǎn)),以及格芯代工廠(22納米工藝投產(chǎn)中,12納米計劃投產(chǎn))。
2018-08-02 11:35:244402

盤點FD-SOI工藝現(xiàn)狀和路線圖

FD-SOI正獲得越來越多的市場關(guān)注。在5月份的晶圓代工論壇上,三星宣布他們有17種FD-SOI產(chǎn)品進(jìn)入大批量產(chǎn)階段。
2018-08-02 14:27:2811603

Imagination與GLOBALFOUNDRIES攜手為物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用提供超低功耗連接解決方案

雙方攜手采用Imagination的Ensigma連接方案半導(dǎo)體知識產(chǎn)權(quán)(connectivity IP),在GF的22nm FD-SOI(22FDX?)工藝平臺上,為業(yè)界提供用于低功耗藍(lán)牙
2018-09-26 11:14:504395

Soitec與三星晶圓代工廠擴(kuò)大合作 保障FD-SOI晶圓供應(yīng)

Soitec與三星晶圓代工廠擴(kuò)大合作 保障FD-SOI晶圓供應(yīng),滿足當(dāng)下及未來消費(fèi)品、物聯(lián)網(wǎng)和汽車應(yīng)用等領(lǐng)域的需求,確保FD-SOI技術(shù)大量供應(yīng)。
2019-01-22 09:07:00495

Soitec 2019上半年財報強(qiáng)勁增長 FD-SOI技術(shù)迎來發(fā)展的春天

隨著FD-SOI技術(shù)在系統(tǒng)芯片(SoC)設(shè)備的設(shè)計中越發(fā)受到關(guān)注,Soitec的業(yè)務(wù)也迎來了蒸蒸日上的發(fā)展,從其最新的財務(wù)報表即可見一斑。
2018-12-23 16:45:122777

基于WIFI通訊的低成本低功耗甲醛監(jiān)測器設(shè)計詳解

甲醛是一種有毒氣體,它廣泛存在于家居裝飾材料中,危害著人們的身體健康,因此對于甲醛的監(jiān)測顯得尤為重要。隨著技術(shù)的發(fā)展,甲醛的監(jiān)測主要朝著實時響應(yīng)、操作簡化、低功耗低成本方向發(fā)展。目前,國內(nèi)也有
2019-01-02 15:45:211232

FD-SOI與深度耗盡溝道DDC MOS器件的詳細(xì)資料介紹

當(dāng)MOS器件的特征尺寸不斷縮小至22nm及以下時,提高溝道的摻雜濃度和降低源漏結(jié)深已仍不能很好的改善短溝道效應(yīng)。在SOI絕緣層上的平面硅技術(shù)基礎(chǔ)上提出FD-SOI晶體管。研究發(fā)現(xiàn)要使FD-SOI有效
2019-04-10 08:00:0012

各企業(yè)積極投入FD-SOI元件開發(fā) 看好后續(xù)市場發(fā)展

為求低功耗、高能效及高性價比之元件,市場逐漸開發(fā)出FD-SOI(完全空乏型硅絕緣層金氧半晶體管)結(jié)構(gòu);而FD-SOI構(gòu)造主要以SOI晶圓為核心,透過傳統(tǒng)Si芯片制程方式,進(jìn)而以水平式晶體管架構(gòu),取代線寬較大(16~12nm)之FinFET元件。
2019-05-22 17:22:204245

以太網(wǎng)供電必備:推介兩款低功耗低成本PSE數(shù)字控制器

以太網(wǎng)供電必備:推介兩款低功耗低成本PSE數(shù)字控制器
2019-07-02 11:34:024065

云天勵飛、Blink現(xiàn)身說法談FD-SOI優(yōu)勢

事實勝于雄辯,與以往FD-SOI論壇上只以PPT展示FD-SOI優(yōu)勢相比,本次論壇多家公司以已經(jīng)采用FD-SOI工藝的產(chǎn)品說明其優(yōu)勢,其震撼效果難以言傳!
2019-08-06 16:22:453340

高級工藝未來分化,FD-SOI受益

長期跟蹤研究半導(dǎo)體工藝和技術(shù)趨勢的IBS CEO Handel Jones發(fā)表演講,并對FD-SOI未來走勢做出預(yù)測。
2019-08-06 16:25:003554

FD-SOI爆發(fā)的唯一短板是IP?

FD-SOI工藝遷移中也發(fā)現(xiàn)一些問題,就是可用的IP短缺,例如流行的高速串口IP等缺失。
2019-08-06 16:13:444273

格芯宣布推出22FDX FD-SOI平臺的嵌入式磁性隨機(jī)存儲器

格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布推出基于公司22納米 FD-SOI (22FDX)平臺的可微縮嵌入式磁性隨機(jī)存儲器(eMRAM)技術(shù)。作為業(yè)界最先進(jìn)的嵌入式內(nèi)存解決方案,格芯22FDXeMRAM,為消費(fèi)領(lǐng)域、工業(yè)控制器、數(shù)據(jù)中心、物聯(lián)網(wǎng)及汽車等廣泛應(yīng)用提供優(yōu)越的性能和卓越可靠性。
2019-10-21 11:40:16658

萊迪思即將發(fā)布首款SOI的FPGA產(chǎn)品

AI芯片設(shè)計大廠萊迪思半導(dǎo)體(Lattice Semiconductor),基于本身Nexus技術(shù)平臺,發(fā)布全球首顆以FD-SOI組件制作的FPGA(現(xiàn)場可程序化邏輯門數(shù)組)產(chǎn)品。
2020-02-12 22:57:17842

萊迪思發(fā)布首款SOI的FPGA產(chǎn)品,AI芯片發(fā)展可期

AI芯片設(shè)計大廠萊迪思半導(dǎo)體(Lattice Semiconductor),基于本身Nexus技術(shù)平臺,發(fā)布全球首顆以FD-SOI組件制作的FPGA(現(xiàn)場可程序化邏輯門數(shù)組)產(chǎn)品。
2020-02-27 14:54:38739

新一代Certus-NX 低功耗FPGA 萊迪思強(qiáng)勢出擊

近日低功耗可編程器件的領(lǐng)先供應(yīng)商萊迪思推出了Certus-NX 系列低功耗通用FPGA,采用28nm FD-SOI 工藝平臺打造。該芯片與市場上同類產(chǎn)品相比最大的特點是其擁有領(lǐng)先的I/O密度,據(jù)了解
2020-07-03 08:57:36770

重定義FPGA 超低功耗 超小尺寸

萊迪思的研發(fā)工程師幾年前就開始著手FPGA開發(fā)工藝的創(chuàng)新,旨在為客戶提供具備上述特性的硬件平臺。最終萊迪思成為業(yè)界首個支持28 nm全耗盡型絕緣體上硅(FD-SOI)工藝的低功耗FPGA供應(yīng)商
2020-07-03 14:05:432395

FD-SOI應(yīng)用 從5G、物聯(lián)網(wǎng)到汽車

FD-SOI使用的范圍非常廣,包括智能手機(jī)、汽車、物聯(lián)網(wǎng)等。在過去的一年,我們看到FD-SOI的使用量開始騰飛。我們預(yù)計在2020年和2021年會出現(xiàn)FD-SOI使用量的騰飛拐點”,Soitec
2020-07-07 16:04:043335

Latticetui推出Certus-NX低功耗FPGA技術(shù)平臺,性能最高提升70%

Lattice Nexus是業(yè)界首個基于28 nm FD-SOI工藝的低功耗FPGA技術(shù)平臺,得益于功耗和MIPI 速度上的優(yōu)勢,基于該平臺的第一款產(chǎn)品CrossLink-NX得到了客戶廣泛認(rèn)可
2020-07-15 19:28:42815

AD8436: 低成本低功耗真RMS-TO-DC轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊

AD8436: 低成本低功耗真RMS-TO-DC轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊
2021-03-20 13:40:042

AD8137:低成本低功耗差分ADC驅(qū)動器 數(shù)據(jù)手冊

AD8137:低成本低功耗差分ADC驅(qū)動器 數(shù)據(jù)手冊
2021-03-20 13:54:281

AD620: 低成本低功耗儀表放大器 數(shù)據(jù)手冊

AD620: 低成本低功耗儀表放大器 數(shù)據(jù)手冊
2021-03-21 02:53:2433

AD818:低成本低功耗視頻運(yùn)算放大器數(shù)據(jù)表

AD818:低成本低功耗視頻運(yùn)算放大器數(shù)據(jù)表
2021-04-15 10:32:211

AN-414:適用于HDSL應(yīng)用的低成本低功耗設(shè)備

AN-414:適用于HDSL應(yīng)用的低成本低功耗設(shè)備
2021-04-25 08:15:226

AD737:低成本低功耗、真有效值直流轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)表

AD737:低成本低功耗、真有效值直流轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)表
2021-05-11 08:36:4812

AD73322:低成本低功耗CMOS通用雙模擬前端數(shù)據(jù)表

AD73322:低成本低功耗CMOS通用雙模擬前端數(shù)據(jù)表
2021-05-11 08:42:076

AD736:低成本低功耗、真有效值直流轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)表

AD736:低成本低功耗、真有效值直流轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)表
2021-05-15 10:20:5028

AD73311L:低成本低功耗CMOS通用模擬前端數(shù)據(jù)表

AD73311L:低成本低功耗CMOS通用模擬前端數(shù)據(jù)表
2021-05-17 08:52:273

AD73322L:低成本低功耗CMOS通用雙模擬前端數(shù)據(jù)表

AD73322L:低成本低功耗CMOS通用雙模擬前端數(shù)據(jù)表
2021-05-17 12:09:119

LT1097:低成本低功耗精密運(yùn)算放大器數(shù)據(jù)表

LT1097:低成本低功耗精密運(yùn)算放大器數(shù)據(jù)表
2021-05-20 09:31:382

AD74111:低成本低功耗單聲道音頻編解碼器數(shù)據(jù)表

AD74111:低成本低功耗單聲道音頻編解碼器數(shù)據(jù)表
2021-05-24 15:30:3810

Lattice基于三星28nm FD-SOI平臺推出FPGA產(chǎn)品加強(qiáng)邊緣AI能力

Lattice基于三星28nm FD-SOI平臺推出了一系列FPGA產(chǎn)品,包括在嵌入式視頻方面應(yīng)用比較多的CrossLink-NX,重新定義的Certus-NX,去年Q4問世的基于安全的FPGA Mach-NX,以及最新推出的CertusPro-NX,另外明年還會推出基于FD-SOI平臺的兩款新品。
2021-08-14 10:07:445719

萊迪思即將舉辦主題為《全新CertusPro-NX通用FPGA為網(wǎng)絡(luò)邊緣應(yīng)用提供強(qiáng)大的系統(tǒng)帶寬和存儲功能》的免費(fèi)網(wǎng)絡(luò)研

行業(yè)領(lǐng)先的功耗效率——通過利用萊迪思在FPGA架構(gòu)方面的創(chuàng)新和低功耗FD-SOI制造工藝,CertusPro-NX器件提供卓越的性能,同時功耗比同類競品FPGA低四倍。
2021-09-10 14:57:312338

一種低成本低功耗的WiFi6181

一種低成本低功耗的WiFi6181
2021-10-30 14:44:0020

低功耗低成本BLE發(fā)射器

低功耗低成本BLE發(fā)射器MG223基于巨微薪火架構(gòu)的藍(lán)牙射頻、基帶和協(xié)議棧,根據(jù)自研藍(lán)牙基帶和藍(lán)牙5.1廣播的特點,做了面向無線傳感器的簡化和創(chuàng)新,使之更加適合廣泛的輕量級藍(lán)牙無線傳感
2023-08-30 15:52:02313

第八屆上海FD-SOI論壇成功舉行 芯原FD-SOI IP迅速成長賦能產(chǎn)業(yè)

(電子發(fā)燒友網(wǎng)原創(chuàng)報道)2023年10月23日 第八屆上海FD-SOI論壇隆重舉行,論壇由芯原股份和新傲科技主辦,SEMI中國和SOI產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟支持。該活動自2013年開始每年舉行一次,上次第七屆論壇
2023-11-01 16:39:041069

低成本低功耗、遠(yuǎn)距離——哪些應(yīng)用場景需要LPWA無線通信?

低成本低功耗、遠(yuǎn)距離——哪些應(yīng)用場景需要LPWA無線通信?
2023-11-23 15:50:07264

谷歌 Pixel 6 拆解,FD-SOI首次被用于5G毫米波

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2023-12-07 16:15:46195

PCB廠家偷偷用的合封芯片技術(shù),省空間低功耗低成本的合封芯片

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2023-12-08 15:35:46277

FD-SOI與PD-SOI他們的區(qū)別在哪?

本文簡單介紹了兩種常用的SOI晶圓——FD-SOI與PD-SOI
2024-03-17 10:10:36193

意法半導(dǎo)體攜手三星推出18nm FD-SOI工藝,支持嵌入式相變存儲器

據(jù)悉,FD-SOI 是一種先進(jìn)的平面半導(dǎo)體技術(shù),能夠通過簡化制作流程進(jìn)行精準(zhǔn)的漏電流控制,相較于現(xiàn)有的 40nm EPM 技術(shù),新工藝大幅度提高了性能指標(biāo):能效提升 50%,數(shù)字密度增加三倍有余,并能夠承載更大的片上存儲和更低的噪音系數(shù)。
2024-03-21 14:00:2369

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