2016年下半年開始了新一輪存儲(chǔ)芯片的旺季，DRAM內(nèi)存及NAND閃存的價(jià)格從那時(shí)候開始瘋漲，今年已經(jīng)進(jìn)入第三個(gè)年頭了，不過(guò)情況也不一樣了DRAM內(nèi)存顆粒今年的漲價(jià)速度放緩到個(gè)位數(shù)，不過(guò)今年并沒(méi)有
2018-10-31 09:49:01
2076 根據(jù)IC Insights的數(shù)據(jù)，總存儲(chǔ)器市場(chǎng)在過(guò)去兩年中對(duì)IC市場(chǎng)的總體增長(zhǎng)產(chǎn)生了重大影響，但可能會(huì)對(duì)2019年的IC市場(chǎng)總體增長(zhǎng)產(chǎn)生非常不利的影響。 DRAM和NAND閃存市場(chǎng)繼續(xù)緊跟原有的IC
2019-04-28 11:03:184363 DRAMeXchange數(shù)據(jù)顯示，第二季度全球DRAM存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值連續(xù)下降9％，而NAND閃存業(yè)則持平。 DRAMeXchange表示，第二季度DRAM比特出貨量連續(xù)增長(zhǎng)，但芯片價(jià)格下跌拖累
2019-08-21 09:24:005149 本文就DRAM與NAND在工作原理上做比較，弄清兩者的區(qū)別
2016-12-27 15:49:1320415 
本文轉(zhuǎn)自公眾號(hào),歡迎關(guān)注 開放NAND閃存接口ONFI介紹 (qq.com) 一.前言 ? ONFI即 Open NAND Flash Interface, 開放NAND閃存接口.是一個(gè)由100多家
2023-06-21 17:36:325876 
NAND閃存是一種電壓原件，靠其內(nèi)存電壓來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。
2023-07-12 09:43:211446 
的五個(gè)最大細(xì)分市場(chǎng)。 DRAM和NAND閃存在2019年保持相同的地位后，有望在2020年再次成為兩個(gè)最大的IC領(lǐng)域。今年的銷售額預(yù)計(jì)增長(zhǎng)3.2％，預(yù)計(jì)DRAM市場(chǎng)將達(dá)到近646億美元，比去年增長(zhǎng)15
2020-08-05 09:29:065234 Semiconductor。 ? X-NAND ? 相信去年的閃存峰會(huì)上，除了鎧俠、SK海力士、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、三星等大廠所做的技術(shù)分享外，大家也都注意到了這家名為NEO Semiconductor的初創(chuàng)企業(yè)。這是一家專為NAND閃存和DRAM內(nèi)存開發(fā)創(chuàng)新架構(gòu)的廠商，其去年推出的X-NAND第二代技術(shù)，允許3D NAND閃存
2023-05-08 07:09:001983 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/周凱揚(yáng)）在近期的閃存峰會(huì)上，一家由英國(guó)蘭卡斯特大學(xué)孵化的初創(chuàng)公司Quinas Technology獲得了創(chuàng)新大獎(jiǎng)。他們展示了ULTRARAM，一個(gè)結(jié)合了DRAM高性能和閃存
2023-10-09 00:10:001311 導(dǎo)讀：VR 在2016年取得不錯(cuò)的成績(jī)，在2017年市場(chǎng)逐漸成熟，可以預(yù)測(cè)未來(lái)五年市場(chǎng)發(fā)展前景良好，VR設(shè)備也將更多考慮市場(chǎng)需求，設(shè)計(jì)出滿足顧客期望的設(shè)備。
美國(guó)知名科技媒體
2016-12-21 11:31:56
Software System、Symbian和Intel等廠商所采用。 驅(qū)動(dòng)還用于對(duì)DiskOnChip產(chǎn)品進(jìn)行仿真和NAND閃存的管理，包括糾錯(cuò)、壞塊處理和損耗平衡。應(yīng)用環(huán)境NOR型閃存現(xiàn)在的容量
2012-08-15 17:11:45
步伐。據(jù)韓媒Kinews等報(bào)導(dǎo)，三星2018年下半原計(jì)劃對(duì)DRAM及NAND Flash進(jìn)行新投資，傳出將延至2019年，取而代之的是對(duì)現(xiàn)有產(chǎn)線進(jìn)行補(bǔ)強(qiáng)投資，期望獲利維持一定水平。同時(shí)，另一家半導(dǎo)體大廠
2018-10-12 14:46:09
超高畫質(zhì)電視等消費(fèi)性產(chǎn)品。以及后續(xù)2020年受惠游戲機(jī)卡匣、5G基地臺(tái)、資料中心及筆電用存儲(chǔ)器出貨強(qiáng)勁成長(zhǎng)，旺宏的19nm SLC NAND FLASH將在眾多產(chǎn)品中成為中流砥柱。截至目前為止，19nm
2020-11-19 09:09:58
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 編輯
NAND閃存深入解析
2012-08-09 14:20:47
在半導(dǎo)體業(yè)，有非常多與接口標(biāo)準(zhǔn)、性能規(guī)格、功能特性和設(shè)計(jì)的真實(shí)可能性有關(guān)聯(lián)的假設(shè)、術(shù)語(yǔ)和誤解。因此，弄清事實(shí)很重要。本文將闡明關(guān)于NAND閃存的錯(cuò)誤觀念。
2021-01-15 07:51:55
已超越DRAM比重，躍升為最重要產(chǎn)品線，全球市占率達(dá)30~35%，攀至全球第二大，今年預(yù)估出貨量還會(huì)成長(zhǎng)5~10%，市占率上看40%。對(duì)NAND Flash近期市況，他指出，目前下游庫(kù)存低，農(nóng)歷年前拉
2022-02-10 12:26:44
NOR和NAND是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發(fā)表了
2015-11-04 10:09:56
大家好， 我正在研究 IMXRT1176，我對(duì)內(nèi)存使用有一些疑問(wèn)： XIP 是否通過(guò) QSPI 支持 NAND 閃存？如果 IMXRT1170 從 NAND 閃存啟動(dòng)，則加載程序必須將應(yīng)用程序復(fù)制到
2023-03-29 07:06:44
根據(jù)數(shù)據(jù)表，斯巴達(dá)6家族有廣泛的第三方SPI（高達(dá)x4）和NOR閃存支持功能豐富的Xilinx平臺(tái)閃存和JTAG但是，如果它支持NAND閃存，我不太清楚嗎？我想構(gòu)建和FPGA + ARM平臺(tái)，我當(dāng)時(shí)
2019-05-21 06:43:17
親愛(ài)的大家，任何人都可以讓我知道ZYNQ 7020支持的最大并行NAND閃存。我的客戶正在設(shè)計(jì)他的7020定制板，并有興趣知道所支持的并行NAND閃存的最大密度。問(wèn)候錢德拉以上來(lái)自于谷歌翻譯以下
2019-02-27 14:22:07
***地區(qū)廠商達(dá)17.9%。由于三星、海力士與美光等廠商在產(chǎn)能配置上著重于Flash顆粒以及CMOS Image Sensor等產(chǎn)品，2007年僅***地區(qū)廠商大量的擴(kuò)充DRAM產(chǎn)品的產(chǎn)能，因此未來(lái)***地區(qū)廠商DRAM銷售額比重仍將持續(xù)攀高。
2008-05-26 14:43:30
時(shí)間回到2018年第一季度，三星、東芝、美光等公司的NAND芯片利潤(rùn)率是40％，但是第一季度過(guò)后NAND價(jià)格就開始暴降，據(jù)統(tǒng)計(jì)去年上半年NAND閃存價(jià)格下跌了至少50％，而根據(jù)分析師表示，未來(lái)每年
2021-07-13 06:38:27
大家好我使用 stm32h743 和與 fmc 連接的 nand 閃存。我搜索以查看如何為 nand 創(chuàng)建自己的外部加載器（我找不到任何用于 nand 閃存的外部加載器）。我想我只需要使 Loader_Src.c 文件適應(yīng) nand 閃存 hal 函數(shù)和一個(gè)鏈接器來(lái)構(gòu)建 .stldr？我走對(duì)路了嗎？
2022-12-20 07:17:39
我正在嘗試啟動(dòng) IMX6ULL NAND 閃存。供您參考，我使用 buildroot 2018_11_4 成功啟動(dòng)了 IMX6ULL NAND 閃存。（uboot 4.15 和 linux 4.15
2023-04-20 07:55:17
NAND閃存技術(shù)已經(jīng)遠(yuǎn)離ML403板支持的CFI兼容性，您無(wú)法再找到與Xilinx為ML403板提供的閃存核心兼容的閃存芯片。我目前的項(xiàng)目?jī)H限于Virtex 4平臺(tái)，由于速度需求，不能使用帶有MMC
2020-06-17 09:54:32
求DM3730用的NAND+DRAM 的線路和layout
2015-07-17 14:56:53
包括：DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH。DRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（Dynamic RAM），“動(dòng)態(tài)”二字指沒(méi)隔一段時(shí)間就會(huì)刷新充電一次，不然內(nèi)部的數(shù)據(jù)就會(huì)消失。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM的基本單元
2019-09-18 09:05:09
)和EEPROM(電可擦只讀存儲(chǔ)器Electrically Erasable Programmable Read - Only Memory)一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發(fā)表了NAND
2022-06-16 17:22:00
采用Magma Finesim的NAND閃存仿真戰(zhàn)略
摘要: NAND閃存是一種非易失性存儲(chǔ)器，主要用于存儲(chǔ)卡、MP3播放器、手機(jī)、固態(tài)驅(qū)動(dòng)器(SSD)等產(chǎn)品中。除了存儲(chǔ)單元陣列以外，它還有大量
2010-06-10 16:25:03
26 Micron美光公司因其DRAM和NAND快閃存儲(chǔ)器技術(shù)創(chuàng)新獲得半導(dǎo)體Insight獎(jiǎng)
美光科技股份有限公司近日宣布，Semiconductor Insights選擇美光公司兩項(xiàng)業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的D
2009-05-08 10:39:06909 爾必達(dá)計(jì)劃收購(gòu)Spansion NAND閃存業(yè)務(wù)
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，日本爾必達(dá)公司表態(tài)計(jì)劃收購(gòu)美國(guó)Spansion（飛索半導(dǎo)體）旗下的NAND閃存業(yè)務(wù)資產(chǎn)。Spansion由AMD和富士通公司于1993年
2010-03-05 10:16:19660 NOR閃存/NAND閃存是什么意思
NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現(xiàn)在：
1) 閃存芯片讀寫的基本單位不同
2010-03-24 16:34:358226 NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計(jì)
閃存存儲(chǔ)器主要分為NAND和XOR兩種類型，其中NAND型是專為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)計(jì)。本文的閃存映射方法主要是針對(duì)NAND類型的
2010-05-20 09:26:23770 
內(nèi)存市場(chǎng)日益擴(kuò)大，研調(diào)機(jī)構(gòu) IC Insights 最新報(bào)告預(yù)測(cè)，DRAM 與 NAND 閃存等，未來(lái) 5 年年均復(fù)合增長(zhǎng)率（CAGR）可達(dá) 7.3%，產(chǎn)值將從去年的 773 億美元擴(kuò)增
2017-01-09 11:19:11238 2016年全球PC市場(chǎng)繼續(xù)下滑，除了游戲相關(guān)的硬件之外，活得最滋潤(rùn)的就是DRAM內(nèi)存、NAND閃存了，2016下半年開始的缺貨、漲價(jià)使得相關(guān)廠商的營(yíng)收看漲。作為全球最大的DRAM內(nèi)存及NAND閃存
2017-01-16 10:40:24638 三星NAND閃存規(guī)格書 K9F4G08U0D
2017-10-17 09:42:2635 策略進(jìn)行了講解。 首先，Micron 公司 CEO Mark Durcan 講解了 DRAM 和 NAND 存儲(chǔ)器的市場(chǎng)趨勢(shì)。他說(shuō)，未來(lái)幾年 DRAM 出貨量增長(zhǎng)速度將減緩。如圖 1 所示，2015
2017-10-20 16:08:2649 NAND閃存芯片是智能手機(jī)、SSD硬盤等行業(yè)中的基礎(chǔ)，也是僅次于DRAM內(nèi)存的第二大存儲(chǔ)芯片，國(guó)內(nèi)的存儲(chǔ)芯片幾乎100%依賴進(jìn)口。好在國(guó)產(chǎn)NAND閃存目前已經(jīng)露出了曙光，紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)正在
2018-05-16 10:06:003750 內(nèi)存指標(biāo)大廠三星和美光釋出今年內(nèi)存市況分析，儲(chǔ)存型閃存（NAND Flash）和DRAM市況不同調(diào) 。三星和美光同指本季NAND價(jià)格持續(xù)下探，但DRAM價(jià)格在服務(wù)器及移動(dòng)設(shè)備、車用等應(yīng)用多元下，價(jià)格將持穩(wěn)到年底。
2018-06-21 18:45:00912 隨著移動(dòng)設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的興起，對(duì)于節(jié)能的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存與內(nèi)存技術(shù)需求日益增加。 目前的內(nèi)存技術(shù)以DRAM與NAND閃存為主流，但DRAM的讀寫速度快無(wú)法長(zhǎng)時(shí)間儲(chǔ)存數(shù)據(jù)；NAND Flash能保存數(shù)據(jù)， 但讀寫速度不佳。
2018-06-22 11:40:0011380 目前存儲(chǔ)器市況呈現(xiàn)兩樣情，DRAM持續(xù)穩(wěn)健發(fā)展，價(jià)格平穩(wěn)或小漲；NAND Flash則因供過(guò)于求，價(jià)格緩跌。外界預(yù)期DRAM市場(chǎng)第3季將可喜迎旺季，而NAND Flash市場(chǎng)價(jià)格也可稍有反彈。
2018-06-22 15:48:00733 ，存儲(chǔ)器內(nèi)的信息仍然存在，主要是閃存（Nand FLASH 和 NOR FLASH），NOR 主要應(yīng)用于代碼存儲(chǔ)介質(zhì)中，而 NAND 則用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。
2018-04-09 15:45:33109972 DVEVM可以啟動(dòng)或（默認(rèn)），與非門，或通用異步接收機(jī)/發(fā)射機(jī)（UART）。NOR 閃存提供了一個(gè)字節(jié)隨機(jī)的優(yōu)點(diǎn)訪問(wèn)和執(zhí)行就地技術(shù)。NAND閃存不是那么容易用它需要閃存轉(zhuǎn)換層（FTL）軟件讓它訪問(wèn)；然而，由于它的價(jià)格低，速度快，壽命長(zhǎng)，許多客戶想設(shè)計(jì)NAND閃存代替或NOR閃存。
2018-04-18 15:06:579 根據(jù)Yole 預(yù)測(cè)2018年DRAM價(jià)格將上漲23%，NAND價(jià)格下降15％。
2018-06-28 17:05:015696 
今年DRAM內(nèi)存、NAND閃存漲價(jià)救了美光公司，他們本周一正式收購(gòu)了華亞科公司，內(nèi)存業(yè)務(wù)如虎添翼，而閃存方面，美光也公布了兩個(gè)好消息——該公司的3D NAND閃存產(chǎn)能日前正式超過(guò)2D NAND閃存
2018-08-03 16:15:031188 根據(jù)韓國(guó)媒體《BusinessKorea》的專文報(bào)導(dǎo)說(shuō)到，由于市場(chǎng)預(yù)測(cè)，半導(dǎo)體價(jià)格已達(dá)到高點(diǎn)并開始下跌，未來(lái)韓國(guó)半導(dǎo)體出口價(jià)格將呈下降的趨勢(shì)。特別是NAND Flash快閃存儲(chǔ)器價(jià)格的下降，越來(lái)越有可能連帶影響DRAM價(jià)格下跌。
2018-08-15 10:45:033248 8月21日，調(diào)研公司IC Insights發(fā)布報(bào)告稱，由于DRAM和NAND閃存需求的持續(xù)增長(zhǎng)，今年上半年三星電子在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的銷售額較英特爾高出22%，而一年前的該比例僅為1%。
2018-08-24 14:16:001012 從NAND閃存中啟動(dòng)U-BOOT的設(shè)計(jì) 隨著嵌入式系統(tǒng)的日趨復(fù)雜,它對(duì)大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的需求越來(lái)越緊迫。而嵌入式設(shè)備低功耗、小體積以及低成本的要求,使硬盤無(wú)法得到廣泛的應(yīng)用。NAND閃存 設(shè)備就是
2018-09-21 20:06:01485 據(jù)日媒指出，三星2019年針對(duì)存儲(chǔ)器的投資總體會(huì)減少，但是在DRAM及NAND Flash上的策略有所不同。其中，在DRAM部分，三星將大減20%資本支出；而在NAND Flash部分，三星的投資仍將持續(xù)增加。
2018-10-10 16:13:443278 由于閃存的成本取決于其裸片面積，如果可以在同樣的面積上存儲(chǔ)更多數(shù)據(jù)，閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型：?jiǎn)螌訂卧⊿LC）、多層單元（MLC）和三層單元（TLC）。顧名思義，在相同
2018-12-17 15:50:241684 由于閃存的成本取決于其裸片面積，如果可以在同樣的面積上存儲(chǔ)更多數(shù)據(jù)，閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型：?jiǎn)螌訂卧?SLC)、多層單元(MLC)和三層單元(TLC)。顧名思義，在相同
2019-04-17 16:32:345462 
存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存（SCM）這種RAM能夠像NAND閃存那樣保保存其內(nèi)容，但兼具DRAM的速度，最終將會(huì)取代閃存成為首選的高速存儲(chǔ)介質(zhì)。
2019-01-28 14:23:18641 存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存（SCM）克服了NAND閃存的局限性，因而勢(shì)必會(huì)取而代之。 存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存（SCM）這種RAM能夠像NAND閃存那樣保保存其內(nèi)容，但兼具DRAM的速度，最終將會(huì)取代閃存成為首選的高速存儲(chǔ)介質(zhì)。
2019-05-11 10:47:434471 近日，HPE 3PAR存儲(chǔ)單元副總裁兼總經(jīng)理Ivan Iannaccone進(jìn)行了一次大膽預(yù)測(cè)，在他看來(lái)，存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存（SCM）或?qū)⒃?0年內(nèi)取代NAND閃存，成為企業(yè)首選的高速存儲(chǔ)介質(zhì)。
2019-02-19 14:06:365827 IDC調(diào)整了其對(duì)NAND閃存的供需預(yù)測(cè)，稱2019年和2020年的比特量（bit volume）將同比增長(zhǎng)39％和38％。并預(yù)計(jì)閃存價(jià)格的降低趨勢(shì)可能會(huì)放緩。 據(jù)IDC數(shù)據(jù)顯示，2019年上半年閃存
2019-03-20 15:09:01282 在本周的活動(dòng)上，西數(shù)談到了其新的低延遲閃存NAND。該技術(shù)旨在實(shí)現(xiàn)3D NAND和DRAM之間的性能。LLF閃存將具有微秒級(jí)的延遲，采用SLC或者M(jìn)LC顆粒。
2019-03-25 14:44:563061 2019年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)從牛市進(jìn)入了熊市，領(lǐng)跌的就是DRAM內(nèi)存及NAND閃存兩大存儲(chǔ)芯片，其中NAND閃存芯片從2018年初就開始跌價(jià)，迄今已經(jīng)連跌了6個(gè)季度。
2019-05-12 09:37:222630 DRAM與NAND Flash持續(xù)維持下降走勢(shì)。
2019-07-06 11:38:563485 NAND閃存與機(jī)械存儲(chǔ)設(shè)備一樣，默認(rèn)情況下是不可靠的 - 這是電子世界中不尋常的情況。它的不可靠性通過(guò)使用專用控制器來(lái)處理。另一方面，DRAM被認(rèn)為是“非常”可靠的。服務(wù)器通常具有錯(cuò)誤檢測(cè)（并且可能是校正）電路，但消費(fèi)者和商業(yè)機(jī)器很少這樣做。我將專注于DRAM。
2019-08-07 10:02:579805 
國(guó)際半導(dǎo)體市場(chǎng)研究企業(yè)IC Insights近日發(fā)布預(yù)測(cè)稱：“在世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)協(xié)會(huì)（WSTS）分類的33個(gè)IC（集成電路）產(chǎn)品中，25個(gè)產(chǎn)品今年的銷售額將會(huì)出現(xiàn)負(fù)增長(zhǎng)。尤其是DRAM和Nand閃存，銷售額將分別比去年減少38%和32%，減少規(guī)模是半導(dǎo)體市場(chǎng)整體預(yù)期減少幅度（15%）的兩倍。”
2019-08-15 15:14:552211 根據(jù)Tom‘s Hardwared的報(bào)道，東芝在今年的閃存峰會(huì)上提到了未來(lái)的BiCS閃存，以及PLC的NAND開發(fā)。
2019-08-26 16:15:583539 據(jù)韓媒BusinessKorea報(bào)道，市場(chǎng)研究公司預(yù)測(cè)，基于固態(tài)硬盤（SSD）密度和性能提升，明年全球NAND閃存需求將增加，5G通信、人工智能、深度學(xué)習(xí)和虛擬現(xiàn)實(shí)將引領(lǐng)明年全球DRAM和NAND閃存市場(chǎng)的增長(zhǎng)。
2019-12-20 15:18:463156 12 月 22 日訊，據(jù)韓媒報(bào)道，市場(chǎng)研究公司預(yù)測(cè)，基于固態(tài)硬盤密度和性能提升，明年全球 NAND 閃存需求將增加，5G 通信、人工智能、深度學(xué)習(xí)和虛擬現(xiàn)實(shí)將引領(lǐng)明年全球 DRAM 和 NAND 閃存市場(chǎng)的增長(zhǎng)。
2019-12-23 14:13:44647 任何了解SD卡，USB閃存驅(qū)動(dòng)器和其他基于NAND閃存的解決方案基礎(chǔ)知識(shí)的人都知道，控制這些最小化故障率的關(guān)鍵組件是NAND閃存控制器。
2020-01-22 09:46:00634 
3月13日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，此前外媒曾預(yù)計(jì)NAND閃存和DRAM內(nèi)存的合約價(jià)格，在今年二季度的漲幅將達(dá)到兩位數(shù)，現(xiàn)在外媒也逐步給出了具體的預(yù)測(cè)。
2020-03-14 10:18:501780 近日，三星電子宣布了在韓國(guó)平澤廠區(qū)的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，除擴(kuò)建采用極紫外光（EUV）的晶圓代工生產(chǎn)線及DRAM產(chǎn)能之外，還將擴(kuò)大3DNAND閃存方面的產(chǎn)能規(guī)模。業(yè)界預(yù)估三星電子僅用于3DNAND閃存方面
2020-06-16 10:07:173162 無(wú)論消費(fèi)者還是企業(yè)機(jī)構(gòu)，大多數(shù)人在談到閃存時(shí)，首先想到的就是NAND閃存。從一定的現(xiàn)實(shí)意義上來(lái)講，NAND閃存可以說(shuō)已經(jīng)成為固態(tài)硬盤的代名詞。基于塊尋址結(jié)構(gòu)和高密度，使其成為磁盤的完美替代品。
2020-07-30 11:09:0314751 
通常情況下，固態(tài)硬盤（SSD）的底層NAND架構(gòu)會(huì)因模型而異。NAND 閃存的每種類型——SLC、MLC、eMLC和TLC——都有不同的特性，并因此對(duì)您的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)產(chǎn)生不同的影響，在這篇文章中，我們會(huì)討論這些差異。
2020-08-28 11:15:46716 
我們都知道，構(gòu)成SSD的主要IC有主控芯片和NAND閃存，目前閃存制造廠主要分為三星與東芝聯(lián)合的ToggleDDR陣營(yíng)和英特爾與美光為首的ONFI陣營(yíng)，今天小編就來(lái)你了解閃存產(chǎn)品的核心—NAND閃存芯片的分類。
2020-09-18 14:34:527052 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，專注于3D NAND閃存設(shè)計(jì)制造的長(zhǎng)江存儲(chǔ)，將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:492025 DRAM是目前常見的存儲(chǔ)之一，但DRAM并非唯一存儲(chǔ)器件，NAND也是存儲(chǔ)設(shè)備。那么DRAM和NAND之間有什么區(qū)別呢？DRAM和NAND的工作原理分別是什么呢？如果你對(duì)DRAM和NAND具有興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
2020-10-31 11:51:2547036 
市場(chǎng)跟蹤數(shù)據(jù)顯示，DRAM和NAND閃存相關(guān)產(chǎn)品在10月份的價(jià)格暴跌，韓國(guó)科技媒體THE ELEC指出，出現(xiàn)這一現(xiàn)象的原因可能在于美國(guó)對(duì)華為的制裁生效。
2020-11-02 17:26:252140 存儲(chǔ)器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計(jì)通過(guò)美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu)，可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計(jì)算以及智能手機(jī)存儲(chǔ)
2020-11-12 16:02:552599 日前，TechInsights高級(jí)技術(shù)研究員Joengdong Choe在2020年閃存峰會(huì)上作了兩次演講，詳細(xì)介紹了3D NAND和其他新興存儲(chǔ)器的未來(lái)。
2020-11-19 16:11:182910 NAND 應(yīng)運(yùn)而生，可以支持在更小的空間內(nèi)容納更高的存儲(chǔ)容量，在需要存儲(chǔ)海量數(shù)據(jù)的時(shí)代有著重大價(jià)值。 依托于先進(jìn)工藝的 3D NAND，氧化層越來(lái)越薄，面臨可靠性和穩(wěn)定性的難題，未來(lái)的 3D NAND 將如何發(fā)展？如何正確判斷一款 3D NAND 的總體效率？ 在 2020 年的閃存峰
2020-11-20 16:07:132330 日前，DRAMeXchange集邦科技公布了11月結(jié)束后DRAM內(nèi)存芯片和NAND閃存芯片的價(jià)格情況。
2020-12-02 09:51:261705 
NAND應(yīng)運(yùn)而生，可以支持在更小的空間內(nèi)容納更高的存儲(chǔ)容量，在需要存儲(chǔ)海量數(shù)據(jù)的時(shí)代有著重大價(jià)值。 ? ? ? ?依托于先進(jìn)工藝的3D NAND，氧化層越來(lái)越薄，面臨可靠性和穩(wěn)定性的難題，未來(lái)的3D NAND將如何發(fā)展？如何正確判斷一款3D NAND的總體效率？ 在2020年的閃存
2020-12-09 10:35:492766 上周，美光科技調(diào)升了公司二季度營(yíng)收和利潤(rùn)的預(yù)期。而高盛分析師注意到，可以從調(diào)研分析預(yù)測(cè)當(dāng)前和未來(lái)幾個(gè)季度的NAND和DRAM市場(chǎng)狀況。
2021-03-08 14:50:172554 寫入問(wèn)題確實(shí)是NAND閃存的在企業(yè)級(jí)應(yīng)用中的一個(gè)限制么？
2021-04-01 17:50:562894 該NAND閃存控制器IP支持以前所未有的速度輕松可靠地訪問(wèn)片外NAND閃存器件。更新后的控制器能以各種速度支持所有ONFI規(guī)范模式。
2021-08-05 15:30:561299 在3D NAND技術(shù)賽跑中，三星長(zhǎng)期處于領(lǐng)先地位，截至目前，其3D NAND閃存已經(jīng)陸續(xù)演進(jìn)至128層。
2022-06-14 15:21:152100 
在NAND閃存的應(yīng)用中，程序/擦除周期存在一個(gè)限制，稱為“P/E周期”。在NAND閃存中，當(dāng)每個(gè)塊的P/E周期達(dá)到最大值時(shí)，這些塊將變得不可工作，需要一個(gè)備用塊來(lái)替換它。當(dāng)這些備用塊用完時(shí)，此NAND閃存將無(wú)法再使用。
2022-10-24 14:30:111230 
圍繞基于NAND閃存的存儲(chǔ)系統(tǒng)的對(duì)話已經(jīng)變得混亂。通常，當(dāng)人們討論存儲(chǔ)時(shí)，他們只談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">NAND閃存，而忽略了單獨(dú)的，但同樣重要的組件，即控制器。但是為什么需要控制器呢？簡(jiǎn)單地說(shuō)，沒(méi)有它，一切都不起作用。
2022-10-25 09:29:32863 
在NAND閃存的應(yīng)用中，編程/擦除周期存在限制，稱為“P/E周期”。在NAND閃存中，當(dāng)每個(gè)塊的P/E周期達(dá)到最大值時(shí)，這些塊變得不可工作，需要一個(gè)備用塊來(lái)替換它。當(dāng)這些備用塊用完時(shí)，此NAND閃存將無(wú)法再使用。
2022-11-30 15:00:431519 
我們之前見過(guò)的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來(lái)了，理論上可以無(wú)線堆疊。
2023-03-30 14:02:392147 全行業(yè)正在努力將 3D 引入 DRAM。采用 3D X-DRAM 僅涉及利用當(dāng)前成熟的 3D NAND 工藝，這與學(xué)術(shù)論文提出和內(nèi)存行業(yè)研究的許多將 DRAM 遷移到 3D 的替代方案不同。
2023-05-30 11:13:46324 
內(nèi)存和NOR型閃存的基本存儲(chǔ)單元是bit，用戶可以隨機(jī)訪問(wèn)任何一個(gè)bit的信息。而NAND型閃存的基本存儲(chǔ)單元是頁(yè)（Page）（可以看到，NAND型閃存的頁(yè)就類似硬盤的扇區(qū)，硬盤的一個(gè)扇區(qū)也為512
2023-06-10 17:21:001983 隨著密度和成本的飛速進(jìn)步，數(shù)字邏輯和 DRAM 的摩爾定律幾乎要失效。但是在NAND 閃存領(lǐng)域并非如此，與半導(dǎo)體行業(yè)的其他產(chǎn)品不同，NAND 的成本逐年大幅下降。
2023-07-18 10:13:351206 
三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲(chǔ)領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)愈加激烈，三星電子計(jì)劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存，三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53281 不同于一季度的疲軟，可以看到在 二季度存儲(chǔ)市場(chǎng)明顯有所回暖，打破自2022年二季度以來(lái)的連續(xù)下滑，重新恢復(fù)增長(zhǎng)。 據(jù)CFM閃存市場(chǎng)分析， 2023年二季度全球NAND Flash市場(chǎng)規(guī)模環(huán)比增
2023-09-05 16:13:32317 
據(jù)消息人士透露，nand閃存價(jià)格從第三季度初的最低點(diǎn)開始逐漸反彈，到目前為止已經(jīng)上漲了10%以上。他表示：“nand價(jià)格上漲將為dram價(jià)格上漲營(yíng)造有利的市場(chǎng)氛圍。存儲(chǔ)器模塊制造企業(yè)正在密切關(guān)注dram價(jià)格反彈的時(shí)間。
2023-09-20 10:19:50503 平澤p3 晶圓廠是三星最大的生產(chǎn)基地之一。據(jù)報(bào)道，三星原計(jì)劃將p3工廠的生產(chǎn)能力增加到8萬(wàn)個(gè)dram和3萬(wàn)個(gè)nand芯片，但目前已將生產(chǎn)能力減少到5萬(wàn)個(gè)dram和1萬(wàn)個(gè)nand芯片。
2023-10-08 11:45:57762 從2024年第四季度開始，DRAM和NAND閃存的價(jià)格將全面上漲，這已經(jīng)導(dǎo)致國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器下游企業(yè)的閃存采購(gòu)成本上漲了近20%，而內(nèi)存采購(gòu)成本上漲了約30%。
2023-10-17 17:13:49793 dram和nand的區(qū)別? DRAM和NAND是兩種不同類型的存儲(chǔ)器。DRAM（Dynamic Random Access Memory）是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，而NAND（Not AND）是一種邏輯
2023-12-08 10:32:003921 部分存儲(chǔ)模組廠已接到三星通知，要求明年年初至少將DRAM價(jià)格上調(diào)15%以上，且該通知并未涉及NAND閃存定價(jià)，故預(yù)計(jì)后者將會(huì)持續(xù)上漲。DRAM價(jià)格在去年年底上漲2%-3%，不及3D TLC NAND約10%；
2024-01-03 10:46:21550 有存儲(chǔ)模組廠收到三星2024年第一季度將DRAM價(jià)格提高至少15%的通知。但三星并未提及NAND閃存定價(jià)，但預(yù)計(jì)NAND價(jià)格將繼續(xù)上漲。2023年12月DRAM價(jià)格上漲2%-3%，大幅提升DRAM價(jià)格，但低于當(dāng)月3D TLC NAND約10%的漲幅。
2024-01-08 16:43:54466
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