據(jù)存儲(chǔ)模組公司消息人士表示，三星電子和美光科技等存儲(chǔ)芯片供應(yīng)商正在考慮在2024年第一季度將DRAM價(jià)格提高15%-20%。

與飆升的NAND閃存價(jià)格相比，2023年第四季度DRAM定價(jià)相對(duì)穩(wěn)定。不過(guò)，消息人士稱(chēng)，存儲(chǔ)芯片制造商目前預(yù)計(jì)在下一輪漲價(jià)中將重點(diǎn)放在DDR4和DDR5等DRAM上，以加速恢復(fù)盈利。

有存儲(chǔ)模組廠收到三星2024年第一季度將DRAM價(jià)格提高至少15%的通知。但三星并未提及NAND閃存定價(jià)，但預(yù)計(jì)NAND價(jià)格將繼續(xù)上漲。2023年12月DRAM價(jià)格上漲2%-3%，大幅提升DRAM價(jià)格，但低于當(dāng)月3D TLC NAND約10%的漲幅。

隨著手機(jī)和服務(wù)器需求逐漸改善，DRAM供應(yīng)預(yù)計(jì)將趨緊。存儲(chǔ)芯片制造商目前熱衷于在2024上半年提高DDR4和DDR5價(jià)格，另外DDR3產(chǎn)量和價(jià)格將相對(duì)穩(wěn)定。

消息人士稱(chēng)，存儲(chǔ)模組廠商已在過(guò)去幾個(gè)月以低價(jià)備貨，預(yù)計(jì)三星將打響下一輪DRAM價(jià)格調(diào)整的第一槍。

韓國(guó)DRAM供應(yīng)商已降低2023下半年DRAM的利用率。三星2023年第四季度的DRAM產(chǎn)量?jī)H為2023年第一季度的70%左右，并補(bǔ)充說(shuō)三星提高了先進(jìn)制造工藝的產(chǎn)量比例。預(yù)計(jì)2024年第一季度DRAM產(chǎn)量將繼續(xù)受到嚴(yán)格控制。芯片供應(yīng)商將更多地依賴(lài)先進(jìn)節(jié)點(diǎn)，同時(shí)減少成熟工藝的產(chǎn)量。

前三大DRAM芯片廠商的DDR4過(guò)去采用1X nm或1Y nm工藝，但在2023年，三星將其8Gb和16Gb產(chǎn)品轉(zhuǎn)移到1Z nm工藝，而美光則將其DDR4生產(chǎn)轉(zhuǎn)移到1α nm工藝。存儲(chǔ)芯片制造商也已從16Gb DDR5的1α節(jié)點(diǎn)遷移到1β節(jié)點(diǎn)。

2023年第四季度DRAM和NAND均未出現(xiàn)供不應(yīng)求的情況，這表明終端市場(chǎng)需求尚未恢復(fù)，2月農(nóng)歷新年前前景將較為保守。