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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲技術(shù)>Arasan推出NAND閃存全IP解決方案

Arasan推出NAND閃存全IP解決方案

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你知道NAND閃存的種類和對比?

由于閃存的成本取決于其裸片面積,如果可以在同樣的面積上存儲更多數(shù)據(jù),閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型:單層單元(SLC)、多層單元(MLC)和三層單元(TLC)。顧名思義,在相同
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2020-04-09 14:09:193527

解析NAND閃存和NOR閃存

無論消費者還是企業(yè)機構(gòu),大多數(shù)人在談到閃存時,首先想到的就是NAND閃存。從一定的現(xiàn)實意義上來講,NAND閃存可以說已經(jīng)成為固態(tài)硬盤的代名詞。基于塊尋址結(jié)構(gòu)和高密度,使其成為磁盤的完美替代品。
2020-07-30 11:09:0314751

NAND閃存類型機選擇技巧

通常情況下,固態(tài)硬盤(SSD)的底層NAND架構(gòu)會因模型而異。NAND 閃存的每種類型——SLC、MLC、eMLC和TLC——都有不同的特性,并因此對您的數(shù)據(jù)存儲產(chǎn)生不同的影響,在這篇文章中,我們會討論這些差異。
2020-08-28 11:15:46716

NAND閃存芯片有哪些類型

我們都知道,構(gòu)成SSD的主要IC有主控芯片和NAND閃存,目前閃存制造廠主要分為三星與東芝聯(lián)合的ToggleDDR陣營和英特爾與美光為首的ONFI陣營,今天小編就來你了解閃存產(chǎn)品的核心—NAND閃存芯片的分類。
2020-09-18 14:34:527052

長江存儲將提高NAND閃存芯片的出貨量

據(jù)國外媒體報道,專注于3D NAND閃存設(shè)計制造的長江存儲,將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:492025

SK海力士收購英特爾NAND閃存及存儲業(yè)務(wù)

SK海力士作為全球半導(dǎo)體領(lǐng)頭企業(yè)之一,旨在強化其NAND閃存解決方案相關(guān)競爭力,發(fā)展存儲器生態(tài)系統(tǒng),進而給客戶、合作伙伴、公司員工和股東帶來更多利益。
2020-10-20 09:53:011833

美光發(fā)布176層3D NAND閃存

存儲器廠商美光宣布,其第五代3D NAND閃存技術(shù)達到創(chuàng)紀錄的176層堆疊。預(yù)計通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu),可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計算以及智能手機存儲
2020-11-12 16:02:552599

SK海力士發(fā)布176層TLC 4D NAND閃存

,數(shù)據(jù)傳輸速度提高了 33%,達到 1.6 Gbps。明年年中,SK 海力士將推出最大讀取速度提高 70%、最大寫入速度提高 35% 的移動解決方案產(chǎn)品,并計劃推出消費者和企業(yè) SSD 產(chǎn)品,進而擴大該產(chǎn)品
2020-12-07 16:16:232416

Arasan宣布用于臺積公司22nm工藝技術(shù)的eMMC PHY IP立即可用

中的eMMC PHY IP可與Arasan的eMMC 5.1主機控制器IP和軟件無縫集成,從而為客戶提供基于臺積公司22nm工藝的完整eMMC IP解決方案Arasan憑借其D-PHY v1.1 IP @1.5ghz、D-PHY v1.2 IP @
2021-01-21 10:18:232385

Nand Flash文件系統(tǒng)解決方案

Nand Flash文件系統(tǒng)解決方案(嵌入式開發(fā)一般考什么證書)-ST提供適用于SLC的NFTL(NAND Flash Translation Layer)和FAT類文件系統(tǒng)來解決NAND Flash存儲的問題。
2021-07-30 10:41:299

Arasan宣布其Total IP解決方案

面向物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、移動和汽車SoC的領(lǐng)先半導(dǎo)體IP核提供商Arasan Chip Systems宣布立即供應(yīng)MIPI Soundwire PHY I/O IP核。
2021-10-08 10:05:421395

Arasan宣布現(xiàn)貨供應(yīng)PHY I/O IP

 Arasan的MIPI I3C? Total IP?解決方案無縫集成MIPI I3C?控制器、MIPI I3C? PHY I/O和MIPI I3C?軟件棧。
2021-12-02 14:18:401432

Arasan推出超低功耗D-PHY IP

用于GF 12nm的Arasan MIPI D-PHYSM的速度高達每通道2.5Gbps,符合MIPI D-PHYSM v1.2規(guī)范。GF 12nm D-PHYSM是一款通用PHY IP,也可配置為獨立的發(fā)射器或接收器。
2021-12-13 11:18:02582

Arasan擴展全MIPI顯示IP

SoC市場領(lǐng)先的全IPTM提供商Arasan Chip Systems宣布推出配有無縫集成VESA DSC IP的MIPI DSI-2SM。VESA DSC IP符合VESA DSC 1.2的參數(shù)要求。
2022-02-07 11:52:541323

芯動科技宣布推出兼容UCIe國際標準的IP解決方案

  消息報道,中國一站式IP和芯片廠商芯動科技宣布率先推出國產(chǎn)自主研發(fā)的物理層兼容UCIe國際標準的IP解決方案,是國內(nèi)首套跨工藝、跨封裝的Chiplet連接解決方案
2022-04-18 11:28:501229

長江存儲推出UC023閃存芯片 專為5G時代打造

  昨日消息,國內(nèi)專注于3D NAND閃存及存儲器解決方案的半導(dǎo)體集成電路企業(yè)長江存儲宣布推出UFS 3.1通用閃存-UC023。
2022-04-20 11:47:521812

Cadence推出15種新驗證 IP(VIP)解決方案

楷登電子(美國 Cadence 公司,NASDAQ:CDNS)今日宣布推出 15 種新的驗證 IP(VIP)解決方案,助力工程師迅速有效地驗證設(shè)計,以滿足最新標準協(xié)議的要求。
2022-06-06 11:18:212665

NAND閃存市場競爭愈發(fā)激烈

 在3D NAND技術(shù)賽跑中,三星長期處于領(lǐng)先地位,截至目前,其3D NAND閃存已經(jīng)陸續(xù)演進至128層。
2022-06-14 15:21:152100

可替代SPI NOR/NAND閃存方案的xSPI MRAM

Everspin?MRAM解決方案供應(yīng)商推出了用于工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)和嵌入式系統(tǒng)的EMxxLX xSPI MRAM 非易失性存儲器解決方案。該解決方案可以替代SPI NOR/NAND閃存方案,其讀寫速度
2022-06-29 17:08:02843

開放式NAND閃存接口規(guī)范

本規(guī)范定義了標準化的NAND閃存設(shè)備接口,該接口提供了以下方法:用于設(shè)計支持一系列NAND閃存設(shè)備而無需直接設(shè)計的系統(tǒng)關(guān)聯(lián)前。該解決方案還提供了系統(tǒng)無縫利用的方法在設(shè)計系統(tǒng)時可能不存在的新NAND設(shè)備。
2022-09-09 16:10:2415

NAND閃存的應(yīng)用中的磨損均衡

NAND閃存的應(yīng)用中,程序/擦除周期存在一個限制,稱為“P/E周期”。在NAND閃存中,當(dāng)每個塊的P/E周期達到最大值時,這些塊將變得不可工作,需要一個備用塊來替換它。當(dāng)這些備用塊用完時,此NAND閃存將無法再使用。
2022-10-24 14:30:111230

NAND閃存控制器有什么優(yōu)勢

圍繞基于NAND閃存的存儲系統(tǒng)的對話已經(jīng)變得混亂。通常,當(dāng)人們討論存儲時,他們只談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">NAND閃存,而忽略了單獨的,但同樣重要的組件,即控制器。但是為什么需要控制器呢?簡單地說,沒有它,一切都不起作用。
2022-10-25 09:29:32863

Arasan推出MIPI DSI IP

Arasan宣布可立即提供MIPI DSI IP,其支持FPGA設(shè)計高達54.72Gbps的C-PHY v2.0速度。? 加利福尼亞州圣何塞2022年11月10日 /美通社/ -- Arasan發(fā)布
2022-11-11 12:44:06877

NAND閃存應(yīng)用中的磨損均衡介紹

NAND閃存的應(yīng)用中,編程/擦除周期存在限制,稱為“P/E周期”。在NAND閃存中,當(dāng)每個塊的P/E周期達到最大值時,這些塊變得不可工作,需要一個備用塊來替換它。當(dāng)這些備用塊用完時,此NAND閃存將無法再使用。
2022-11-30 15:00:431519

開放式NAND閃存接口規(guī)范說明書

本規(guī)范定義了標準化NAND閃存設(shè)備接口,該接口提供了設(shè)計的系統(tǒng)支持一系列NAND閃存設(shè)備,無需直接設(shè)計預(yù)關(guān)聯(lián)。該解決方案還為系統(tǒng)提供了無縫利用在系統(tǒng)設(shè)計時可能不存在的新NAND器件。
2022-12-13 16:50:450

什么是3D NAND閃存

我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 閃存,顧名思義,就是它是立體堆疊的,Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高樓大廈,建筑面積一下子就多起來了,理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:392147

Arasan宣布立即推出第二代MIPI D-PHY

Arasan Chip Systems是移動和物聯(lián)網(wǎng)SoC半導(dǎo)體IP的領(lǐng)先供應(yīng)商,今天宣布立即推出用于GF 22nm SoC設(shè)計的第二代MIPI D-PHY IP
2023-05-19 14:51:22570

基于232層3D TLC NAND閃存的美光UFS 4.0模塊能效提升25%

基于232層3D TLC NAND閃存的美光UFS 4.0模塊能效提升25% 此前美光推出了其首個UFS 4.0移動存儲解決方案,采用了232層3D TLC NAND閃存;速度提升很大,可以達到最高
2023-07-19 19:02:21865

Arasan發(fā)布無縫集成CANsec加速器IP的CAN-XL IP

汽車SoC半導(dǎo)體IP領(lǐng)域的頂級提供商Arasan推出了一個完全集成的解決方案:結(jié)合CANsec Acceleration IP的CAN-XL IP(適用于安全CAN總線事務(wù))。 圣何塞2023
2023-08-04 11:05:24569

pSLC 閃存介紹:高性能和耐久性的閃存解決方案

在當(dāng)今科技時代,數(shù)據(jù)存儲需求急劇增長,NAND閃存技術(shù)作為一種關(guān)鍵的非易失性存儲解決方案持續(xù)發(fā)展。近年來,虛擬SLC(pSLC)閃存技術(shù)的引入,為數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域帶來了新的創(chuàng)新。本文將探討pSLC閃存
2023-08-02 08:15:35793

三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存

三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲領(lǐng)域的競爭愈加激烈,三星電子計劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存,三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53282

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