電子發燒友早八點訊：大陸半導體業者瘋狂投入晶圓代工和3D NAND市場，不僅5年要蓋20座晶圓廠，預估2018年大陸晶圓廠資本支出將暴沖至100億美元，值得憂慮的是，大陸在邏輯制程上礙于14納米先進制程苦無突破點，遂全力轉向高性價比的中階制程技術，業者預期未來3年包括28、40納米制程恐成為殺戮戰場，***二線晶圓代工廠將必須思索轉型之道。

大陸為達到半導體芯片自制率50~70%目標，兵分兩路積極布局，在3D NAND技術上，長江存儲旗下武漢新芯年底將推出32層芯片，然包括三星電子（Samsung Electronics）、東芝（Toshiba）、美光（Micron）、SK海力士（SK Hynix）等業者，2017年將陸續進入64層和72層技術芯片，大陸3D NAND技術仍落后一大截，短期內無法威脅既有的主流廠商。

另一股勢力是晶圓代工布局，中芯國際、華力微電子分別與高通（Qualcomm）、聯發科合作28納米先進制程，紫光又投資中芯國際成為前三大股東，整個邏輯制程布局綿密，中芯國際不但在天津、深圳、北京等地區瘋狂蓋廠，紫光更宣布在成都、南京設廠，未來大陸12吋晶圓廠將遍地開花。

***半導體產業主要核心，系以臺積電為領頭羊的14納米以下先進制程，盡管大陸3~5年內將無法突破，然未來3年要擔心的是28/40/65/90納米等中階制程技術，將成為大陸晶圓代工廠最大的利器。

半導體業者表示，大陸許多中小型IC設計公司無力負擔14納米以下先進制程的開發和光罩成本，因此會在28/40/65/90納米制程停留很長的時間，大陸晶圓代工廠拼命擴充這些制程技術的產能，而此領域現在是***二線晶圓廠賴以維生的主力戰場，未來在大陸晶圓廠大舉投入后，將成為殺戮戰場。

根據半導體協會（SEMI）統計，2016、2017年大陸晶圓廠資本支出分別高達70億美元，預計2018年將超過100億美元，大舉在大陸投資的半導體廠，包括中芯國際、三星西安廠、聯電廈門廠和福建晉華、英特爾大連廠、臺積電南京廠、SK海力士無錫廠、長江存儲、華力微電子、合肥長鑫等，估計5年內有20座12吋晶圓廠誕生。

大陸這一波扶植半導體政策具備的優勢，包括政策明確、資金充足及內需市場龐大，然其劣勢是人才缺乏、無自有技術和缺乏智財，大陸為補足劣勢，近期積極吸引***半導體業界逾20年經驗的人才加入，包括***DRAM教父高啟全、臺積電前共同營運長蔣尚義及聯電前執行長孫世偉等。

在技術和知識產權方面，大陸亦積極找尋突破點，陸續發動多起購并案，以快速取得半導體先進技術和知識產權，但真正成功案例并不多，并引發美國和歐洲勢力防堵。近幾年全球半導體購并案，包括ARM、博通（Broadcom）、NXP、Freescale、Altera、新帝（SanDisk）等，都是被國際大廠合并，大陸業者購并的比重僅占12%。

另外，原本紫光集團有意入股西部數據（WD）、美光（Micron）等，最后都無疾而終，福建宏芯基金要收購德國半導體設備供應商愛思強（Aixtron），后來也被歐美政府打回票。