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三星揭露3納米制程技術(shù)路線圖以及7納米投產(chǎn)進(jìn)度

半導(dǎo)體動態(tài) ? 來源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 作者:工程師吳畏 ? 2018-09-05 14:40 ? 次閱讀

三星周二舉行晶圓代工技術(shù)論壇(Samsung Foundry Forum),同時揭露發(fā)展3納米制程的技術(shù)路圖,以及7納米投產(chǎn)進(jìn)度,將搶攻高端運算與聯(lián)網(wǎng)裝置市場。

三星晶圓代工部門總裁鄭恩昇(E.S. Jung)表示,3納米制程將首度導(dǎo)入閘極全環(huán)(GAA)電晶體,這是下一世代電晶體架構(gòu),并將配合極紫外光(EUV)微影設(shè)備,來克服物理限制。(cdrinfo.com)

三星7納米是第一個采用EUV技術(shù)的半導(dǎo)體制程,按計劃將在2018下半年投產(chǎn)。據(jù)三星表示,關(guān)鍵知識產(chǎn)權(quán)(IP)已在開發(fā),將于2019年上半年完成。

有趣的是,三星表示7納米將應(yīng)用在網(wǎng)絡(luò)、汽車領(lǐng)域,而非效能要求較高的繪圖處理器(GPU),意謂著三星7納米技術(shù)似乎未能獲得Nvidia與超微青睞。

超微日前已宣布下一世代Zen 2中央處理器與Navi繪圖處理器,都將交予臺積電以7納米制程代工。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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