英偉達、高通或轉單三星2納米工藝
近日，據SamMobile的最新消息，英偉達和高通兩大芯片巨頭正在考慮對其2納米工藝芯片的生產策略進行調整。具體來說，這兩家公司正在評估將部分原計劃在臺積電生產的2納米工藝訂單轉移至三星的可能性。
這一考慮主要基于產能和成本兩方面的因素。隨著全球半導體市場的快速發展，對于先進制程芯片的需求日益旺盛，而產能卻相對有限。因此，為了確保自身產品的供應穩定，并尋求更具成本效益的生產方案，英偉達和高通開始將目光投向了其他具備先進制程技術的廠商。
三星作為半導體行業的領軍企業之一，其2納米工藝芯片的測試生產即將在今年第一季度啟動。這意味著三星在先進制程技術方面已經具備了相當的實力，并有望在未來成為更多芯片廠商的合作對象。
對于英偉達和高通而言，將部分訂單轉移至三星不僅可以緩解產能壓力，還有望通過更靈活的合作方式降低生產成本。然而，這一決策也面臨著諸多挑戰和不確定性，包括技術兼容性、生產質量以及供應鏈穩定性等方面的考量。
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
高通
+關注
關注
77文章
7556瀏覽量
192075 -
半導體
+關注
關注
335文章
28213瀏覽量
228432 -
英偉達
+關注
關注
22文章
3894瀏覽量
92769 -
三星
+關注
關注
1文章
1659瀏覽量
32075
發布評論請先 登錄
相關推薦
三星與英偉達高層會晤，商討HBM3E供應
其高帶寬存儲器HBM3E產品中的初始缺陷問題，并就三星第五代HBM3E產品向英偉達供應的相關事宜進行了深入討論。 此次高層會晤引發了外界的廣泛關注。據推測，
英偉達加速認證三星新型AI存儲芯片
近日，英偉達首席執行官黃仁勛近日在接受采訪時透露，英偉達正在全力加速對三星最新推出的AI存儲芯片——HBM3E的認證進程。這一舉措標志著
英偉達加速認證三星AI內存芯片
近日，英偉達公司正在積極推進對三星AI內存芯片的認證工作。據英偉達CEO透露，他們正在不遺余力地加速這一進程，旨在盡快將
三星電子或向英偉達供應先進HBM
近日，韓國三星電子公司透露了一個引人矚目的消息，有可能在不久的將來向美國的人工智能巨頭英偉達提供其先進的高帶寬存儲器(HBM)。這一消息無疑為科技界帶來了新的期待。 值得一提的是，
三星HBM3E內存挑戰英偉達訂單,SK海力士霸主地位受撼動
進入八月，市場傳言四起，韓國存儲芯片巨頭三星電子（簡稱“三星”）的8層HBM3E內存（新一代高帶寬內存產品）已順利通過英偉達嚴格測試。然而，
三星否認HBM3E芯片通過英偉達測試
近日，有關三星的8層HBM3E芯片已通過英偉達測試的報道引起了廣泛關注。然而，三星電子迅速對此傳聞進行了回應，明確表示該報道并不屬實。
三星電子否認HBM3e芯片通過英偉達測試
韓國新聞源NewDaily近日發布了一則報道，聲稱三星電子的HBM3e芯片已成功通過英偉達的產品測試，預示著即將開啟大規模生產并向英偉達供貨
三星否認HBM3E通過英偉達測試傳聞
近期，有媒體報道稱三星電子已成功通過英偉達（NVIDIA）的HBM3E（高帶寬內存）質量測試，并預計很快將啟動量產流程，以滿足市場對高性能存儲解決方案的迫切需求。然而，這一消息迅速遭到
三星電子突破瓶頸,HBM3e內存芯片獲英偉達質量認證
在科技界的密切關注下，三星電子與英偉達之間的合作再次傳來振奮人心的消息。據韓國主流媒體NewDaily最新報道，三星電子已成功通過英偉
三星HBM研發受挫，英偉達測試未達預期，如何滿足AI應用GPU的市場需求？
據DigiTimes報道，三星HBM3E未能通過英偉達測試可能源于臺積電審批環節出現問題。三星與臺積電在晶圓代工領域長期競爭，但在英偉
三星HBM芯片因發熱和功耗問題影響測試，與英偉達合作暫時擱淺
這是三星首次公開承認未能通過英偉達測試的原因。三星在聲明中表示，HBM是定制化存儲產品，需“依據客戶需求進行優化”，并強調正與客戶緊密合作以提升產品性能。然而，對于具體客戶信息，
三星HBM芯片遇阻英偉達測試
近日，三星電子最新的高帶寬內存（HBM）芯片在英偉達測試中遭遇挫折。據知情人士透露，芯片因發熱和功耗問題未能達標，影響到了其HBM3及下一代HBM3E芯片。
任天堂Switch 2將大幅依靠三星供應鏈
據悉，Switch 2游戲機可能搭載由三星代工廠生產的SoC（英偉達Tegra T239芯片，采用三星7LPH
工商網監
評論