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緩存雪崩/穿透/擊穿的解決方案

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雪崩二極管是什么 與PIN光電二極管有何區(qū)別

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雪崩光電二極管噪聲特性研究 淺談二極管雪崩效應(yīng)

半導(dǎo)體中的雪崩效應(yīng)是引起pn結(jié)擊穿的一種機(jī)制。加反向偏壓的PN結(jié),其空間電荷區(qū)內(nèi)有很強(qiáng)的電場(chǎng)。
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MOS管被擊穿的原因及解決方案

MOS管為什么會(huì)被靜電擊穿?靜電擊穿是指擊穿MOS管G極的那層絕緣層嗎?擊穿就一定短路了嗎?JFET管靜電擊穿又是怎么回事?
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解決緩存雪崩的6大解決辦法

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如何設(shè)計(jì)一個(gè)緩存系統(tǒng)?

設(shè)計(jì)一個(gè)緩存系統(tǒng),不得不要考慮的問(wèn)題就是:緩存穿透緩存擊穿與失效時(shí)的雪崩效應(yīng)。 緩存穿透 緩存穿透是指查詢(xún)一個(gè)一定不存在的數(shù)據(jù),由于緩存是不命中時(shí)被動(dòng)寫(xiě)的,并且出于容錯(cuò)考慮,如果從存儲(chǔ)層查不到數(shù)據(jù)
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2021-05-15 14:51:274577

二極管中的隧道效應(yīng)和齊納擊穿現(xiàn)象

眾所周知,對(duì)于傳統(tǒng)的二極管來(lái)說(shuō),雪崩擊穿是一種常見(jiàn)的由載流子碰撞主導(dǎo)的擊穿方式。然而,除了雪崩擊穿外,還存在另一種造成功率二級(jí)管電流瞬間增大的效應(yīng),即齊納擊穿。齊納擊穿是在強(qiáng)電場(chǎng)和隧道效應(yīng)的作用
2021-06-10 16:11:535946

功率MOSFET及其雪崩擊穿額定值背后的理論和設(shè)計(jì)過(guò)程中的局限性

一些功率半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)為在有限時(shí)間內(nèi)承受一定量的雪崩電流,因此可以達(dá)到雪崩額定值。其他人會(huì)在雪崩開(kāi)始后很快失敗。性能差異源于特定的設(shè)備物理、設(shè)計(jì)和制造。
2021-06-23 14:28:222238

高溫上電三極管擊穿的原因分析以及解決方案

時(shí)三極管各極電壓及電流發(fā)現(xiàn):C極電流在高溫上電時(shí)突然急劇升高,導(dǎo)致三極管擊穿。 在低溫與常溫上電時(shí)無(wú)此問(wèn)題,分析原因?yàn)楹蠖穗娊怆娙菰诟邷叵侣╇娏鞔髮?dǎo)致。 解決方案: 在三極管Q1與電解電容C43之間串聯(lián)電阻進(jìn)行限流可解決此問(wèn)題。 限流電阻參數(shù)選擇注意點(diǎn):
2021-11-26 10:08:505390

紅外LED反向雪崩擊穿測(cè)試

在博文 利用LED來(lái)作為單光子雪崩檢測(cè)器[2] 中介紹了 油管上Robotix的LED單光子現(xiàn)象[3] 。?對(duì)于LED反向SPAD效應(yīng)之前沒(méi)有注意過(guò),?下面通過(guò)實(shí)驗(yàn)來(lái)觀(guān)察手邊 一些LED反向擊穿過(guò)程是否會(huì)出現(xiàn)單光子脈沖現(xiàn)象。
2023-01-31 17:29:001216

功率器件的雪崩應(yīng)用與分析

功率器件作為電力電子裝置的核心器件,其在設(shè)計(jì)使用過(guò)程中的魯棒性能一直是工程師關(guān)心的問(wèn)題,雪崩能力其中一個(gè)很重要的指標(biāo),如何理解雪崩,單次雪崩和重復(fù)雪崩是如何定義的,以及雪崩會(huì)帶來(lái)哪些危害
2023-02-06 13:54:242408

MOSFET的失效機(jī)理:什么是雪崩失效

當(dāng)向MOSFET施加高于絕對(duì)最大額定值BVDSS的電壓時(shí),就會(huì)發(fā)生擊穿。當(dāng)施加高于BVDSS的高電場(chǎng)時(shí),自由電子被加速并帶有很大的能量。這會(huì)導(dǎo)致碰撞電離,從而產(chǎn)生電子-空穴對(duì)。這種電子-空穴對(duì)呈雪崩
2023-02-13 09:30:071298

如何在SpringBoot中解決Redis的緩存穿透等問(wèn)題

今天給大家介紹一下如何在SpringBoot中解決Redis的緩存穿透緩存擊穿緩存雪崩的問(wèn)題。
2023-04-28 11:35:19496

緩存穿透了如何解決

解決方案 對(duì)空值進(jìn)行緩存 設(shè)置白名單 使用布隆過(guò)濾器 網(wǎng)警 雪崩解決方案 進(jìn)行預(yù)先的熱門(mén)詞匯的設(shè)置,進(jìn)行key時(shí)長(zhǎng)的調(diào)整 實(shí)時(shí)調(diào)整,監(jiān)控哪些數(shù)據(jù)是熱門(mén)數(shù)據(jù),實(shí)時(shí)的調(diào)整key的過(guò)期時(shí)長(zhǎng) 使用鎖機(jī)制 擊穿解決方案 進(jìn)行預(yù)先的熱門(mén)詞匯的設(shè)置,進(jìn)行key時(shí)長(zhǎng)的調(diào)整 實(shí)時(shí)調(diào)整,監(jiān)控
2023-05-23 09:54:00377

MOSFET雪崩特性參數(shù)解析

EAS單脈沖雪崩擊穿能量, EAS標(biāo)定了器件可以安全吸收反向雪崩擊穿能量的高低。以低于Tj(max)為極限。
2023-05-24 09:51:302765

10.1.1 碰撞電離和雪崩擊穿∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

10.1.1碰撞電離和雪崩擊穿10.1SiC功率器件的阻斷電壓和邊緣終端第10章功率器件的優(yōu)化和比較《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線(xiàn):1、國(guó)產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP
2022-04-02 11:05:59304

幾種紅外LED反向擊穿類(lèi)型

01 ? 反 向雪崩擊穿 一、背景介紹 根據(jù) ? Using LED as a Single Photon Detector [1] ?所介紹的紅色LED的單光子雪崩反向擊穿電流效應(yīng)
2023-06-30 07:35:04443

Ehcache!這才是Java本地緩存之王!

就Java而言,其常用的緩存解決方案有很多,例如數(shù)據(jù)庫(kù)緩存框架EhCache,分布式緩存Memcached等,這些緩存方案實(shí)際上都是為了提升吞吐效率,避免持久層壓力過(guò)大。
2023-07-29 11:21:071150

半導(dǎo)體器件擊穿原理和失效機(jī)制詳解

在日常的電源設(shè)計(jì)中,半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件的雪崩能力、VDS電壓降額設(shè)計(jì)是工程師不得不面對(duì)的問(wèn)題,本文旨在分析半導(dǎo)體器件擊穿原理、失效機(jī)制,以及在設(shè)計(jì)應(yīng)用中注意事項(xiàng)。
2023-09-19 11:44:382592

PN結(jié)的反向擊穿有哪幾種形式?

電壓(即電子從N型到P型流,空穴從P型到N型流)時(shí),電流開(kāi)始猛增。反向擊穿的形式有多種,下面將進(jìn)行詳細(xì)介紹。 1. 雪崩擊穿 雪崩擊穿是PN結(jié)的一種常見(jiàn)反向擊穿形式。在PN結(jié)中,正電子和電子在p區(qū)和n區(qū)之間運(yùn)動(dòng),并且它們相互碰撞后會(huì)發(fā)生電離
2023-09-21 16:09:471703

PN結(jié)的雪崩擊穿和齊納擊穿在溫度升高時(shí)擊穿電壓變化方向相反?

為什么PN結(jié)的雪崩擊穿和齊納擊穿在溫度升高的情況下,擊穿電壓變化方向相反?? PN結(jié)是半導(dǎo)體器件中最基本的組成部件之一,廣泛應(yīng)用于電力、電信、信息處理等領(lǐng)域。PN結(jié)的雪崩擊穿和齊納擊穿是PN結(jié)失效
2023-09-21 16:09:511818

什么是雪崩擊穿?單脈沖雪崩與重復(fù)雪崩有何不同?

什么是雪崩擊穿?單脈沖雪崩與重復(fù)雪崩有何不同?雪崩擊穿失效機(jī)理是什么? 雪崩擊穿是指在電力系統(tǒng)中,由于過(guò)電壓等原因?qū)е陆^緣擊穿,進(jìn)而引發(fā)設(shè)備失效的一種故障現(xiàn)象。在電力系統(tǒng)中,絕緣是保證設(shè)備正常運(yùn)行
2023-11-24 14:15:36820

何謂PN結(jié)的擊穿特性?雪崩擊穿和齊納擊穿各有何特點(diǎn)?

何謂PN結(jié)的擊穿特性?雪崩擊穿和齊納擊穿各有何特點(diǎn)? PN結(jié)的擊穿特性是指當(dāng)在PN結(jié)上施加的電壓超過(guò)一定的值時(shí),PN結(jié)將發(fā)生擊穿現(xiàn)象,電流迅速增大,導(dǎo)致結(jié)電壓快速降低。擊穿是指在正向或反向電壓
2023-11-24 14:20:271224

Redis Enterprise vs ElastiCache——如何選擇緩存解決方案

使用Redis或AmazonElastiCache來(lái)作為緩存加速已經(jīng)是業(yè)界主流的解決方案,二者各有什么優(yōu)勢(shì)?又有哪些區(qū)別呢?文況速覽:Redis是什么?RedisEnterprise
2023-11-26 08:06:20150

雪崩擊穿和齊納擊穿區(qū)別有哪些

擊穿和齊納擊穿是半導(dǎo)體器件中常見(jiàn)的兩種擊穿現(xiàn)象,它們?cè)谖锢頇C(jī)制、電壓特性和應(yīng)用方面有很大的區(qū)別。本文將對(duì)這兩種擊穿現(xiàn)象進(jìn)行詳細(xì)的介紹和分析。 一、雪崩擊穿 物理機(jī)制 雪崩擊穿是指在高電場(chǎng)作用
2023-12-30 17:06:003189

Redis緩存預(yù)熱+緩存雪崩+緩存擊穿+緩存穿透要點(diǎn)簡(jiǎn)析

緩存預(yù)熱就是系統(tǒng)上線(xiàn)后,提前將相關(guān)的緩存數(shù)據(jù)直接加載到緩存系統(tǒng)。
2023-12-25 09:41:02250

什么是雪崩擊穿 雪崩失效電流路徑示意圖

雪崩擊穿(Avalanche Breakdown)是半導(dǎo)體器件中一個(gè)關(guān)鍵的物理現(xiàn)象,特別是在PN結(jié)二極管和各種類(lèi)型的功率晶體管中。當(dāng)這些器件的反向電壓超過(guò)一定的臨界值時(shí),會(huì)突然有大量電流流過(guò)原本
2024-02-23 17:06:03249

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