下面開(kāi)始今天的正文,看見(jiàn)小小怎么辛苦的份上,滑到底下,給個(gè)素質(zhì)三連? 緩存雪崩 緩存雪崩是指在某一個(gè)時(shí)間段內(nèi),緩存集中過(guò)期失效,如果這個(gè)時(shí)間段內(nèi)有大量請(qǐng)求,而查詢(xún)數(shù)據(jù)量巨大,所有的請(qǐng)求都會(huì)達(dá)到存儲(chǔ)
2020-10-16 15:22:55
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當(dāng)向MOSFET施加高于絕對(duì)最大額定值BVDSS的電壓時(shí),會(huì)造成擊穿并引發(fā)雪崩擊穿。
2023-04-15 17:31:58
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當(dāng)功率器件PN結(jié)的反向電壓增大到某一數(shù)值后,半導(dǎo)體內(nèi)載流子通過(guò)碰撞電離開(kāi)始倍增,這一現(xiàn)象與宏觀(guān)世界中高山雪崩是很像的,所以我們稱(chēng)之為雪崩擊穿。
2023-11-23 16:22:27
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本推文包含兩個(gè)部分,一個(gè)是雪崩擊穿和碰撞電離的關(guān)系,一個(gè)是光電器件仿真簡(jiǎn)介。旨在提倡用理論知識(shí)去指導(dǎo)仿真,和通過(guò)仿真結(jié)果反過(guò)來(lái)加深對(duì)理論理解的重要性。
2023-11-27 18:26:32
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在關(guān)斷狀態(tài)下,功率MOSFET的體二極管結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場(chǎng)使得漏極和源極端子之間有大量電流流動(dòng)。典型的阻斷狀態(tài)漏電流在幾十皮安到幾百納安的數(shù)量級(jí)。
2024-02-23 09:38:53
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材料摻雜濃度較低的PN結(jié)中,當(dāng)PN結(jié)反向電壓增加時(shí),空間電荷區(qū)中的電場(chǎng)隨著增強(qiáng)。
2024-02-25 15:23:32
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當(dāng)功率器件承受的雪崩耐量超過(guò)極限后,芯片最終會(huì)損壞,然而單脈沖雪崩與重復(fù)雪崩的失效機(jī)理并不相同。
2024-02-25 15:48:08
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查詢(xún)數(shù)據(jù),獲取數(shù)據(jù)后并加載到緩存;緩存失效:數(shù)據(jù)更新寫(xiě)到數(shù)據(jù)庫(kù),操作成功后,讓緩存失效,查詢(xún)時(shí)候再重新加載;緩存穿透:查詢(xún)數(shù)據(jù)庫(kù)不存在的對(duì)象,也就不存在緩存層的命中;緩存擊穿:熱點(diǎn)key在失效的瞬間
2021-01-05 17:57:21
雪崩二極管的原理雪崩二極管的作用
2021-03-10 07:05:13
)。 當(dāng)二極管受到高反向電壓時(shí),它會(huì)經(jīng)歷雪崩擊穿。 耗盡層上的電場(chǎng)因反向偏置電壓而增加。 入射光進(jìn)入p+區(qū)域,并在電阻性很強(qiáng)的p區(qū)被進(jìn)一步吸收。這里形成了電子-空穴對(duì)。 這些夫婦的分離是由
2023-02-06 14:15:47
ACDC解決方案/DCDC解決方案
2008-07-27 23:46:48
時(shí),此時(shí)源端的載流子注入到耗盡層中,被耗盡層中的電場(chǎng)加速達(dá)到漏端,因此,穿通擊穿的電流也有急劇增大點(diǎn),這個(gè)電流的急劇增大和雪崩擊穿時(shí)電流急劇增大不同,這時(shí)的電流相當(dāng)于源襯底PN結(jié)正向?qū)〞r(shí)的電流,而
2019-02-12 13:59:28
求大神相助,Multisim里面雪崩晶體管的過(guò)壓擊穿怎么放著那,當(dāng)我設(shè)的電壓已經(jīng)大于了Vcbo滯后還是不見(jiàn)晶體管導(dǎo)通。
2014-08-08 10:42:58
高并發(fā)架構(gòu)系列:Redis緩存和MySQL數(shù)據(jù)一致性方案詳解
2019-03-27 15:55:25
PROSLIC?單芯片F(xiàn)XS解決方案
2023-03-25 02:23:12
如圖,電壓波形是電機(jī)停下來(lái)產(chǎn)生的一個(gè)互感電動(dòng)勢(shì),這個(gè)是12V驅(qū)動(dòng)時(shí)產(chǎn)生的,實(shí)際上電機(jī)的正常工作電壓是24V的,如果24V供電時(shí),這個(gè)電壓波動(dòng)可以達(dá)到上百V,一下子就吧L298擊穿了,不知道有沒(méi)有什么好的解決方案
2019-09-19 00:38:19
在了解雪崩擊穿和齊納擊穿的區(qū)別之前我們還是要先搞懂什么叫擊穿!擊穿就是電介質(zhì)在足夠高的電場(chǎng)強(qiáng)度作用下瞬間失去介電功能的現(xiàn)象。是電介質(zhì)擊穿形式之一。在電場(chǎng)作用下,電介質(zhì)內(nèi)少量自由電子動(dòng)能增大,當(dāng)電場(chǎng)
2022-03-27 10:15:25
什么是電容擊穿?電容器被擊穿的條件是什么?電容擊穿是開(kāi)路還是短路?電容擊穿的原因是什么?如何避免介質(zhì)擊穿?
2021-06-18 09:59:11
分享一款不錯(cuò)的基于Pixart PAH8011ES穿戴式心跳量測(cè)解決方案解決方案
2021-06-16 09:01:54
分立電池檢測(cè)解決方案
2021-02-26 08:38:00
有些功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中列出了重復(fù)雪崩電流IAR和重復(fù)雪崩能量EAR,同時(shí)標(biāo)注了測(cè)量條件,通常有起始溫度25C,最高結(jié)溫150C或者175C,以及電感值、脈沖寬度和脈沖頻率,這些測(cè)量的條件
2017-09-22 11:44:39
基于Blackfin的解決方案 針對(duì)ADSP-BF706 BLACKFIN+處理器的EVWSS軟件架構(gòu)基于SigmaDSP的解決方案
2021-01-21 06:25:57
業(yè)內(nèi)首個(gè)signoff驅(qū)動(dòng)的PrimeECO解決方案發(fā)布
2020-11-23 14:28:15
如何用單顆芯片實(shí)現(xiàn)出色的處理性能、能效和安全性?如何優(yōu)化AR解決方案?
2021-06-02 06:56:16
使用NVRAM的簡(jiǎn)單解決方案
2021-01-13 06:56:35
如何遙開(kāi)內(nèi)外網(wǎng)穿透的問(wèn)題 --- MCU做簡(jiǎn)單外網(wǎng)代理 上頭要求研究如何讓一個(gè)在某一內(nèi)網(wǎng)里的MCU所召開(kāi)的會(huì)議讓外網(wǎng)EP(公網(wǎng)或其他能到達(dá)公網(wǎng)的EP)參加進(jìn)來(lái).我提出了兩個(gè)方案:1. 把原有
2021-11-03 06:29:17
數(shù)據(jù)采集器有網(wǎng)口,需要無(wú)線(xiàn)傳輸,請(qǐng)?zhí)峁o(wú)線(xiàn)解決方案,聯(lián)系方式qq57766221
2016-06-08 16:52:52
`<p> 挖掘mos管被擊穿的原因及解決方案 一、MOS管本身的輸入電阻很高,而柵源極間電容又非常小,所以極易受外界電磁場(chǎng)或靜電的感應(yīng)而帶電,而少量電荷就可在極間電容上
2018-11-05 14:26:45
傳統(tǒng)電源方案有哪些弊端?取代傳統(tǒng)電源方案的LIPS解決方案
2021-06-08 07:18:50
發(fā)射端:功率100W內(nèi)用電端:功率0.5W內(nèi)距離:50米內(nèi),有一次墻體穿透能有這種解決方案不?
2015-07-17 14:04:04
非接觸式紅外線(xiàn)測(cè)溫儀受外界環(huán)境影響大,現(xiàn)求購(gòu)能穿透表皮測(cè)體內(nèi)溫度的方案或產(chǎn)品。本人QQ764878673
2011-08-10 17:35:12
面試常問(wèn),緩存三大問(wèn)題及解決方案!
2019-06-28 16:41:57
針對(duì)會(huì)話(huà)發(fā)起協(xié)議(SIP)穿越網(wǎng)絡(luò)地址轉(zhuǎn)換(NAT)的問(wèn)題,提出一種基于端口探測(cè)的解決方案。該方案將SIP 用戶(hù)代理和簡(jiǎn)單UDP穿透NAT 技術(shù)(STUN)客戶(hù)端結(jié)合起來(lái),以端口探測(cè)的方法有效
2009-04-17 09:12:02
21 硅雪崩二極管光子輻射特性的實(shí)驗(yàn)研究
摘 要 利用計(jì)數(shù)統(tǒng)計(jì)測(cè)量的方法,對(duì)工作在擊穿狀態(tài)下的硅雪崩光電二極管(APD)光子輻射的暫態(tài)特性以及計(jì)數(shù)統(tǒng)計(jì)特
2009-11-11 16:59:22
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功率MOSFET雪崩擊穿問(wèn)題分析
摘要:分析了功率MOSFET雪崩擊穿的原因,以及MOSFET故障時(shí)能量耗散與器件溫升的關(guān)系。和傳統(tǒng)的
2009-07-06 13:49:38
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雪崩二極管,雪崩二極管是什么意思
雪崩二極管
PN結(jié)有單向?qū)щ娦裕螂娮栊。聪螂娮韬艽蟆?
2010-02-27 11:34:37
4634 雪崩光電二極管,雪崩光電二極管是什么意思
英文縮寫(xiě): APD (A
2010-02-27 11:36:39
1155 雪崩擊穿,雪崩擊穿是什么意思
在材料摻雜濃度較低的PN結(jié)中,當(dāng)PN結(jié)反向電壓增加時(shí),空間電荷區(qū)中的電場(chǎng)隨著增強(qiáng)。這樣,通過(guò)空
2010-02-27 11:49:25
3288 雪崩渡越時(shí)間二極管,雪崩渡越時(shí)間二極管是什么意思
雪崩二極管,亦稱(chēng)為“碰撞雪崩渡越時(shí)間二極管”。是一種在外加電壓作用下可以產(chǎn)生超高頻
2010-03-05 09:46:33
2327 MOSFET的UIS及雪崩能量解析
在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中,通常包括單脈沖雪崩能量EAS,雪崩
2010-04-26 18:19:13
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2012-08-10 13:26:37
21 雪崩擊穿是在電場(chǎng)作用下,載流子能量增大,不斷與晶體原子相碰,使共價(jià)鍵中的電子激發(fā)形成自由電子-空穴對(duì)。新產(chǎn)生的載流子又通過(guò)碰撞產(chǎn)生自由電子-空穴對(duì),這就是倍增效應(yīng)。1生2,2生4,像雪崩一樣增加載流子。
2018-08-20 09:05:09
21344 半導(dǎo)體中的雪崩效應(yīng)是引起pn結(jié)擊穿的一種機(jī)制。加反向偏壓的PN結(jié),其空間電荷區(qū)內(nèi)有很強(qiáng)的電場(chǎng)。
2018-08-20 10:04:18
8966 MOS管為什么會(huì)被靜電擊穿?靜電擊穿是指擊穿MOS管G極的那層絕緣層嗎?擊穿就一定短路了嗎?JFET管靜電擊穿又是怎么回事?
2019-05-20 17:21:00
34219 使用Redis 哨兵模式或者Redis 集群部署方式,即便個(gè)別Redis 節(jié)點(diǎn)下線(xiàn),整個(gè)緩存層依然可以使用。除此之外,還可以在多個(gè)機(jī)房部署 Redis,這樣即便是機(jī)房死機(jī),依然可以實(shí)現(xiàn)緩存層的高可用。
2019-09-13 11:37:00
25590 《漲知識(shí)啦7》---雪崩擊穿的判斷條件:兩系數(shù),一積分 大家好,上周小賽收到童鞋的留言,不知道怎么判斷器件是否達(dá)到雪崩擊穿?那么本周小賽就給大家細(xì)致地講解一下如何去判斷雪崩擊穿的條件。各種電子器件
2020-04-07 15:54:16
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本文的面試題如下: Redis 持久化機(jī)制 緩存雪崩、緩存穿透、緩存預(yù)熱、緩存更新、緩存降級(jí)等問(wèn)題 熱點(diǎn)數(shù)據(jù)和冷數(shù)據(jù)是什么 Memcache與Redis的區(qū)別都有哪些? 單線(xiàn)程的redis為什么這么
2020-12-16 11:44:19
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設(shè)計(jì)一個(gè)緩存系統(tǒng),不得不要考慮的問(wèn)題就是:緩存穿透、緩存擊穿與失效時(shí)的雪崩效應(yīng)。 緩存穿透 緩存穿透是指查詢(xún)一個(gè)一定不存在的數(shù)據(jù),由于緩存是不命中時(shí)被動(dòng)寫(xiě)的,并且出于容錯(cuò)考慮,如果從存儲(chǔ)層查不到數(shù)據(jù)
2021-02-08 11:40:00
2617 IGBT關(guān)斷時(shí),如果關(guān)斷過(guò)快,di/dt過(guò)大會(huì)導(dǎo)致Vce電壓過(guò)大超過(guò)斷態(tài)電壓Uces時(shí)就有可能導(dǎo)致靜態(tài)雪崩擊穿。
2021-05-15 14:51:27
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眾所周知,對(duì)于傳統(tǒng)的二極管來(lái)說(shuō),雪崩擊穿是一種常見(jiàn)的由載流子碰撞主導(dǎo)的擊穿方式。然而,除了雪崩擊穿外,還存在另一種造成功率二級(jí)管電流瞬間增大的效應(yīng),即齊納擊穿。齊納擊穿是在強(qiáng)電場(chǎng)和隧道效應(yīng)的作用
2021-06-10 16:11:53
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一些功率半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)為在有限時(shí)間內(nèi)承受一定量的雪崩電流,因此可以達(dá)到雪崩額定值。其他人會(huì)在雪崩開(kāi)始后很快失敗。性能差異源于特定的設(shè)備物理、設(shè)計(jì)和制造。
2021-06-23 14:28:22
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時(shí)三極管各極電壓及電流發(fā)現(xiàn):C極電流在高溫上電時(shí)突然急劇升高,導(dǎo)致三極管擊穿。 在低溫與常溫上電時(shí)無(wú)此問(wèn)題,分析原因?yàn)楹蠖穗娊怆娙菰诟邷叵侣╇娏鞔髮?dǎo)致。 解決方案: 在三極管Q1與電解電容C43之間串聯(lián)電阻進(jìn)行限流可解決此問(wèn)題。 限流電阻參數(shù)選擇注意點(diǎn):
2021-11-26 10:08:50
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在博文 利用LED來(lái)作為單光子雪崩檢測(cè)器[2] 中介紹了 油管上Robotix的LED單光子現(xiàn)象[3] 。?對(duì)于LED反向SPAD效應(yīng)之前沒(méi)有注意過(guò),?下面通過(guò)實(shí)驗(yàn)來(lái)觀(guān)察手邊 一些LED反向擊穿過(guò)程是否會(huì)出現(xiàn)單光子脈沖現(xiàn)象。
2023-01-31 17:29:00
1216 功率器件作為電力電子裝置的核心器件,其在設(shè)計(jì)使用過(guò)程中的魯棒性能一直是工程師關(guān)心的問(wèn)題,雪崩能力其中一個(gè)很重要的指標(biāo),如何理解雪崩,單次雪崩和重復(fù)雪崩是如何定義的,以及雪崩會(huì)帶來(lái)哪些危害
2023-02-06 13:54:24
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當(dāng)向MOSFET施加高于絕對(duì)最大額定值BVDSS的電壓時(shí),就會(huì)發(fā)生擊穿。當(dāng)施加高于BVDSS的高電場(chǎng)時(shí),自由電子被加速并帶有很大的能量。這會(huì)導(dǎo)致碰撞電離,從而產(chǎn)生電子-空穴對(duì)。這種電子-空穴對(duì)呈雪崩
2023-02-13 09:30:07
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今天給大家介紹一下如何在SpringBoot中解決Redis的緩存穿透、緩存擊穿、緩存雪崩的問(wèn)題。
2023-04-28 11:35:19
496 解決方案 對(duì)空值進(jìn)行緩存 設(shè)置白名單 使用布隆過(guò)濾器 網(wǎng)警 雪崩解決方案 進(jìn)行預(yù)先的熱門(mén)詞匯的設(shè)置,進(jìn)行key時(shí)長(zhǎng)的調(diào)整 實(shí)時(shí)調(diào)整,監(jiān)控哪些數(shù)據(jù)是熱門(mén)數(shù)據(jù),實(shí)時(shí)的調(diào)整key的過(guò)期時(shí)長(zhǎng) 使用鎖機(jī)制 擊穿解決方案 進(jìn)行預(yù)先的熱門(mén)詞匯的設(shè)置,進(jìn)行key時(shí)長(zhǎng)的調(diào)整 實(shí)時(shí)調(diào)整,監(jiān)控
2023-05-23 09:54:00
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EAS單脈沖雪崩擊穿能量, EAS標(biāo)定了器件可以安全吸收反向雪崩擊穿能量的高低。以低于Tj(max)為極限。
2023-05-24 09:51:30
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10.1.1碰撞電離和雪崩擊穿10.1SiC功率器件的阻斷電壓和邊緣終端第10章功率器件的優(yōu)化和比較《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線(xiàn):1、國(guó)產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP
2022-04-02 11:05:59
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01 ? 反 向雪崩擊穿 一、背景介紹 根據(jù) ? Using LED as a Single Photon Detector [1] ?所介紹的紅色LED的單光子雪崩反向擊穿電流效應(yīng)
2023-06-30 07:35:04
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就Java而言,其常用的緩存解決方案有很多,例如數(shù)據(jù)庫(kù)緩存框架EhCache,分布式緩存Memcached等,這些緩存方案實(shí)際上都是為了提升吞吐效率,避免持久層壓力過(guò)大。
2023-07-29 11:21:07
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在日常的電源設(shè)計(jì)中,半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件的雪崩能力、VDS電壓降額設(shè)計(jì)是工程師不得不面對(duì)的問(wèn)題,本文旨在分析半導(dǎo)體器件擊穿原理、失效機(jī)制,以及在設(shè)計(jì)應(yīng)用中注意事項(xiàng)。
2023-09-19 11:44:38
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電壓(即電子從N型到P型流,空穴從P型到N型流)時(shí),電流開(kāi)始猛增。反向擊穿的形式有多種,下面將進(jìn)行詳細(xì)介紹。 1. 雪崩擊穿 雪崩擊穿是PN結(jié)的一種常見(jiàn)反向擊穿形式。在PN結(jié)中,正電子和電子在p區(qū)和n區(qū)之間運(yùn)動(dòng),并且它們相互碰撞后會(huì)發(fā)生電離
2023-09-21 16:09:47
1703 為什么PN結(jié)的雪崩擊穿和齊納擊穿在溫度升高的情況下,擊穿電壓變化方向相反?? PN結(jié)是半導(dǎo)體器件中最基本的組成部件之一,廣泛應(yīng)用于電力、電信、信息處理等領(lǐng)域。PN結(jié)的雪崩擊穿和齊納擊穿是PN結(jié)失效
2023-09-21 16:09:51
1818 什么是雪崩擊穿?單脈沖雪崩與重復(fù)雪崩有何不同?雪崩擊穿失效機(jī)理是什么? 雪崩擊穿是指在電力系統(tǒng)中,由于過(guò)電壓等原因?qū)е陆^緣擊穿,進(jìn)而引發(fā)設(shè)備失效的一種故障現(xiàn)象。在電力系統(tǒng)中,絕緣是保證設(shè)備正常運(yùn)行
2023-11-24 14:15:36
820 何謂PN結(jié)的擊穿特性?雪崩擊穿和齊納擊穿各有何特點(diǎn)? PN結(jié)的擊穿特性是指當(dāng)在PN結(jié)上施加的電壓超過(guò)一定的值時(shí),PN結(jié)將發(fā)生擊穿現(xiàn)象,電流迅速增大,導(dǎo)致結(jié)電壓快速降低。擊穿是指在正向或反向電壓
2023-11-24 14:20:27
1224 使用Redis或AmazonElastiCache來(lái)作為緩存加速已經(jīng)是業(yè)界主流的解決方案,二者各有什么優(yōu)勢(shì)?又有哪些區(qū)別呢?文況速覽:Redis是什么?RedisEnterprise
2023-11-26 08:06:20
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崩擊穿和齊納擊穿是半導(dǎo)體器件中常見(jiàn)的兩種擊穿現(xiàn)象,它們?cè)谖锢頇C(jī)制、電壓特性和應(yīng)用方面有很大的區(qū)別。本文將對(duì)這兩種擊穿現(xiàn)象進(jìn)行詳細(xì)的介紹和分析。 一、雪崩擊穿 物理機(jī)制 雪崩擊穿是指在高電場(chǎng)作用
2023-12-30 17:06:00
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緩存預(yù)熱就是系統(tǒng)上線(xiàn)后,提前將相關(guān)的緩存數(shù)據(jù)直接加載到緩存系統(tǒng)。
2023-12-25 09:41:02
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雪崩擊穿(Avalanche Breakdown)是半導(dǎo)體器件中一個(gè)關(guān)鍵的物理現(xiàn)象,特別是在PN結(jié)二極管和各種類(lèi)型的功率晶體管中。當(dāng)這些器件的反向電壓超過(guò)一定的臨界值時(shí),會(huì)突然有大量電流流過(guò)原本
2024-02-23 17:06:03
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評(píng)論