加州，埃爾塞貢多: 2022年4月22日：納微半導(dǎo)體今天正式宣布，旗下新一代增加GaNSense技術(shù)的智能GaNFast氮化鎵功率芯片已用于vivo全新發(fā)布的首款折疊屏旗艦vivo X Fold
2022-04-24 10:45:24
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2022年1月18日，納微半導(dǎo)體正式宣布，其新一代增加GaNSense技術(shù)的智能GaNFast氮化鎵功率芯片已用于vivo公司旗下iQOO子品牌iQOO 9 Pro手機(jī)所標(biāo)配的120W超快閃充迷你充電器中。
2022-01-19 09:29:022551 
GaNFast?功率芯片為一加ACE手機(jī)實(shí)現(xiàn)超快充，電量從1%到100%只需充電17分鐘 ? 加利福尼亞州埃爾塞貢多 2022年8月11號(hào)訊 - 納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼: NVTS），氮化
2022-08-12 16:36:508132 
的RAM將不會(huì)滿足所需，宏旺半導(dǎo)體ICMAX LPDDR4X 8GB滿足5G時(shí)代手機(jī)、平板和超薄筆記本對運(yùn)行內(nèi)存的要求， 大容量國內(nèi)行業(yè)領(lǐng)先單顆8GB，可提供每秒34.1GB的數(shù)據(jù)傳輸速率，同時(shí)最大
2019-08-17 10:10:01
65W氮化鎵電源原理圖
2022-10-04 22:09:30
氧化鎵是一種新型超寬禁帶半導(dǎo)體材料，是被國際普遍關(guān)注并認(rèn)可已開啟產(chǎn)業(yè)化的第四代半導(dǎo)體材料。與碳化硅、氮化鎵等第三代半導(dǎo)體相比，氧化鎵的禁帶寬度遠(yuǎn)高于后兩者，其禁帶寬度達(dá)到4.9eV，高于碳化硅
2023-03-15 11:09:59
今日，國內(nèi)原創(chuàng)耳機(jī)品牌1MORE 萬魔耳機(jī)在上海發(fā)布了首款電競耳機(jī)——1MORE Spearhead 電競頭戴式耳機(jī)?；顒?dòng)現(xiàn)場，華語流行天王暨“1MORE創(chuàng)意官”也親臨現(xiàn)場，與之一起開啟“1MORE的電競時(shí)代”。
2020-05-20 06:06:16
你的運(yùn)動(dòng)軌跡，同時(shí)將數(shù)據(jù)同步到手機(jī)端生成地圖，支持微信運(yùn)動(dòng)模式，與好友共享運(yùn)動(dòng)樂趣！F1智能手表是一款可以打電話的智能電話手表，就像手機(jī)一樣獨(dú)立插卡及自由撥打，接聽電話，短信接收等功能，實(shí)現(xiàn)就算不帶
2018-05-18 11:32:23
(IGBT)，現(xiàn)在出現(xiàn)了氮化鎵(GaN)晶體管，可讓切換電源的體積大幅縮小。 例如，Navitas半導(dǎo)體推出尺寸最小的65W USB-PD (Type-C)電源轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)NVE028A，正是
2018-10-23 16:12:16
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍(lán)寶石硅（SoS）等工藝技術(shù)給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導(dǎo)體器件的集成度越來越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網(wǎng)絡(luò)向長期
2019-08-20 08:01:20
手機(jī)快充是如何實(shí)現(xiàn)的？
2021-09-26 07:17:28
手機(jī)電池充不進(jìn)電去，測電池電壓為0V，怎么處理一下呀
2014-08-05 21:06:31
，以及基于硅的 “偏轉(zhuǎn)晶體管 “屏幕產(chǎn)品的消亡。
因此，氮化鎵是我們在電視、手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦和顯示器中，使用的高分辨率彩色屏幕背后的核心技術(shù)。在光子學(xué)方面，氮化鎵還被用于藍(lán)光激光技術(shù)（最明顯
2023-06-15 15:50:54
；這也說明市場對于充電器功率的市場需求及用戶使用的范圍；隨著小米65W的充電器的發(fā)布，快速的走進(jìn)氮化鎵快充充電器時(shí)代。目前市面上已經(jīng)量產(chǎn)商用的氮化鎵方案主要來自PI和納微半導(dǎo)體兩家供應(yīng)商。其中PI
2020-03-18 22:34:23
的選擇。 生活更環(huán)保 為了打破成本和大規(guī)模采用周期，一種新型功率半導(dǎo)體技術(shù)需要解決最引人注目應(yīng)用中現(xiàn)有設(shè)備的一些缺點(diǎn)。氮化鎵為功率調(diào)節(jié)的發(fā)展創(chuàng)造了機(jī)會(huì)，使其在高電壓應(yīng)用中的貢獻(xiàn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超越硅材料。用于
2018-11-20 10:56:25
65W 雙口氮化鎵充電器可以同時(shí)對兩臺(tái)設(shè)備進(jìn)行 PD 快充，支持手機(jī) + 手機(jī)、筆記本 + 手機(jī)等不同設(shè)備搭配使用。偵測到兩臺(tái)設(shè)備同時(shí)供電需求時(shí)，智能調(diào)整輸出功率為45W + 18W，實(shí)現(xiàn)雙口同時(shí)快充
2022-06-14 11:11:16
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，應(yīng)用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26
容易使用。通過簡單的“數(shù)字輸入、電源輸出”操作，布局和控制都很簡單。dV/dt 回轉(zhuǎn)率控制和欠壓鎖定等功能，確保了氮化鎵功率芯片能最大限度地提高“一次性成功”的設(shè)計(jì)的機(jī)會(huì)，從而極為有效地縮短了產(chǎn)品上市
2023-06-15 15:32:41
`從研發(fā)到商業(yè)化應(yīng)用，氮化鎵的發(fā)展是當(dāng)下的顛覆性技術(shù)創(chuàng)新，其影響波及了現(xiàn)今整個(gè)微波和射頻行業(yè)。氮化鎵對眾多射頻應(yīng)用的系統(tǒng)性能、尺寸及重量產(chǎn)生了明確而深刻的影響，并實(shí)現(xiàn)了利用傳統(tǒng)半導(dǎo)體技術(shù)無法實(shí)現(xiàn)
2017-08-15 17:47:34
從將PC適配器的尺寸減半，到為并網(wǎng)應(yīng)用創(chuàng)建高效、緊湊的10 kW轉(zhuǎn)換，德州儀器為您的設(shè)計(jì)提供了氮化鎵解決方案。LMG3410和LMG3411系列產(chǎn)品的額定電壓為600 V，提供從低功率適配器到超過2 kW設(shè)計(jì)的各類解決方案。
2019-08-01 07:38:40
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場格局近年發(fā)生了顯著變化。 數(shù)十年來，橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si
2018-08-17 09:49:42
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產(chǎn)品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料。 當(dāng)用于電源時(shí)，GaN 比傳統(tǒng)硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
納微集成氮化鎵電源解決方案及應(yīng)用
2023-06-19 11:10:07
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產(chǎn)品相比，這些GaN內(nèi)部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內(nèi)部匹配（IM）FET與其他技術(shù)相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
板上看出，得益于使用合封氮化鎵器件，芯片無需輔助散熱措施即可滿足27W的連續(xù)輸出，并且合封將控制器和開關(guān)管集成在一顆芯片內(nèi)，初級(jí)的元件也十分精簡，可滿足高性價(jià)比的氮化鎵快充設(shè)計(jì)。鈺泰半導(dǎo)體
2021-11-28 11:16:55
GaNFast功率半導(dǎo)體建模(氮化鎵)
2023-06-19 07:07:27
GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢
2023-06-19 09:28:46
納維半導(dǎo)體?氮化鎵功率集成電路的性能影響?氮化鎵電源集成電路的可靠性影響?應(yīng)用示例：高密度手機(jī)充電器?應(yīng)用實(shí)例：高性能電機(jī)驅(qū)動(dòng)器?應(yīng)用示例；高功率開關(guān)電源?結(jié)論
2023-06-16 10:09:51
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢，并可與成本極低、技術(shù)成熟度極高的硅基半導(dǎo)體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉(zhuǎn)換與管理系統(tǒng)、電動(dòng)機(jī)
2018-11-05 09:51:35
本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 編輯
整合意法半導(dǎo)體的制造規(guī)模、供貨安全保障和電涌耐受能力與MACOM的硅上氮化鎵射頻功率技術(shù)，瞄準(zhǔn)主流消費(fèi)
2018-02-12 15:11:38
應(yīng)用。MACOM的氮化鎵可用于替代磁控管的產(chǎn)品，這顆功率為300瓦的硅基氮化鎵器件被用來作為微波爐里磁控管的替代。用氮化鎵器件來替代磁控管帶來好處很多：半導(dǎo)體器件可靠性更高，氮化鎵器件比磁控管驅(qū)動(dòng)電壓
2017-09-04 15:02:41
的射頻器件越來越多，即便集成化仍然很難控制智能手機(jī)的成本。這跟功能機(jī)時(shí)代不同，我們可以將成本做到很低，在全球市場都能夠保證低價(jià)。但如果到了5G時(shí)代，需要的器件越來越多，價(jià)格越來越高。半導(dǎo)體材料硅基氮化鎵
2017-07-18 16:38:20
測試背景地點(diǎn)：國外某知名品牌半導(dǎo)體企業(yè)，深圳氮化鎵實(shí)驗(yàn)室測試對象：氮化鎵半橋快充測試原因：因高壓差分探頭測試半橋上管Vgs時(shí)會(huì)炸管，需要對半橋上管控制信號(hào)的具體參數(shù)進(jìn)行摸底測試測試探頭：麥科信OIP
2023-01-12 09:54:23
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:14:59
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:24:16
由于換了三星手機(jī)，之前的充電器都不支持快充了，一直想找一款手機(jī)電腦都能用的快充充電器，「倍思GaN2 Pro氮化鎵充電器」就是這樣一款能滿足我的充電器，這篇文章就來說下這款充電器的選購過程
2021-09-14 08:28:31
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：氮化鎵發(fā)展技術(shù)編號(hào)：JFSJ-21-041作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在單個(gè)芯片上集成多個(gè)
2021-07-06 09:38:20
的設(shè)計(jì)和集成度，已經(jīng)被證明可以成為充當(dāng)下一代功率半導(dǎo)體，其碳足跡比傳統(tǒng)的硅基器件要低10倍。據(jù)估計(jì)，如果全球采用硅芯片器件的數(shù)據(jù)中心，都升級(jí)為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數(shù)據(jù)中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
1MHz 以上。新的控制器正在開發(fā)中。微控制器和數(shù)字信號(hào)處理器（DSP），也可以用來實(shí)現(xiàn)目前軟開關(guān)電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，而目前廣泛采用的、為1-2 MHz范圍優(yōu)化的磁性材料，已經(jīng)可被使用了。
氮化鎵功率芯片
2023-06-15 15:53:16
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍(lán)寶石硅（SoS）等工藝技術(shù)給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導(dǎo)體器件的集成度越來越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網(wǎng)絡(luò)向
2019-08-02 08:23:59
運(yùn)行時(shí)的電性能和效率要比傳統(tǒng)的硅材料高得多。對于已被實(shí)際使用的碳化硅半導(dǎo)體和氮化鎵半導(dǎo)體來說，其耐受電壓（高于標(biāo)稱電壓，用于保持可靠性的基礎(chǔ)電壓）的需求是不同的。例如，碳化硅耐電壓大于或等于1000
2023-02-23 15:46:22
行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，成為落地量產(chǎn)設(shè)計(jì)的催化劑
氮化鎵芯片是提高整個(gè)系統(tǒng)性能的關(guān)鍵，是創(chuàng)造出接近“理想開關(guān)”的電路構(gòu)件，即一個(gè)能將最小能量的數(shù)字信號(hào)，轉(zhuǎn)化為無損功率傳輸?shù)碾娐窐?gòu)件。
納微半導(dǎo)體利用橫向650V
2023-06-15 14:17:56
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場多年，無論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì)，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
=rgb(51, 51, 51) !important]射頻氮化鎵技術(shù)是5G的絕配，基站功放使用氮化鎵。氮化鎵（GaN）、砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）是射頻應(yīng)用中常用的半導(dǎo)體材料。[color
2019-07-08 04:20:32
有龐大的半導(dǎo)體需求， 是另二個(gè)發(fā)展的亮點(diǎn)。至于智能手機(jī)，則在短短幾個(gè)月內(nèi)就成了過氣明星，不再是臺(tái)積電的成長動(dòng)能之一，意味著2018年來自智能手機(jī)的半導(dǎo)體需求將會(huì)明顯趨緩，也就是今年的手機(jī)市場將會(huì)非常沒有
2018-01-29 15:41:31
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
概述：NV6127是一款升級(jí)產(chǎn)品，導(dǎo)通電阻更小，只有 125 毫歐，是氮化鎵功率芯片IC。型號(hào)2：AON6268絲?。?268屬性：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 - 晶體管封裝：DFN-8參數(shù)FET 類型：N 通道
2021-01-13 17:46:43
朋友叫我做一塊板子，要求輸入5V電壓，輸出30路5V1A，每一路輸出有單獨(dú)開關(guān)。沒想到這塊板子他是拿去給手機(jī)充電的，充電過程中充壞了幾個(gè)手機(jī)，檢查說是手機(jī)電路板漏電燒了，我一時(shí)也想不明白為什么會(huì)充壞
2020-12-07 17:07:48
客戶希望通過原廠FAE盡快找到解決方案，或者將遇到技術(shù)挫折歸咎為芯片本身設(shè)計(jì)問題，盡管不排除芯片可能存在不適用的領(lǐng)域，但是大部分時(shí)候是應(yīng)用層面的問題，和芯片沒有關(guān)系。這種情況對新興的第三代半導(dǎo)體氮化鎵
2023-02-01 14:52:03
，DPAK MOSFET的優(yōu)勢在于組件厚度和封裝工藝的簡便性。在此參考設(shè)計(jì)中，F(xiàn)PC級(jí)使用兩個(gè)并聯(lián)的IPD50R280CE，LLC級(jí)使用2個(gè)IPD50R1K4CE。 120W TV電源參考設(shè)計(jì)之主要組件
2018-11-30 17:19:29
，DPAK MOSFET的優(yōu)勢在于組件厚度和封裝工藝的簡便性。在此參考設(shè)計(jì)中，F(xiàn)PC級(jí)使用兩個(gè)并聯(lián)的IPD50R280CE，LLC級(jí)使用2個(gè)IPD50R1K4CE。 120W TV電源參考設(shè)計(jì)之主要組件
2018-10-10 15:09:08
的測試，讓功率半導(dǎo)體設(shè)備更快上市并盡量減少設(shè)備現(xiàn)場出現(xiàn)的故障。為幫助設(shè)計(jì)工程師厘清設(shè)計(jì)過程中的諸多細(xì)節(jié)問題，泰克與電源行業(yè)專家攜手推出“氮化鎵電源設(shè)計(jì)從入門到精通“8節(jié)系列直播課，氮化鎵電源設(shè)計(jì)從入門到
2020-11-18 06:30:50
如何實(shí)現(xiàn)小米氮化鎵充電器是一個(gè)c to c 的一個(gè)充電器拯救者Y7000提供了Type-c的端口，但這個(gè)口不可以充電，它是用來轉(zhuǎn)VGA,HDMI,DP之類了，可以外接顯示器，拓展塢之類的。要用氮化鎵
2021-09-14 06:06:21
氮化鎵技術(shù)非常適合4.5G或5G系統(tǒng)，因?yàn)轭l率越高，氮化鎵的優(yōu)勢越明顯。那對于手機(jī)來說射頻GaN技術(shù)還需解決哪些難題呢？
2019-07-31 06:53:15
大幅降低電流在保護(hù)板上的損耗，隨著手機(jī)充電功率達(dá)到200W，電池端的電流達(dá)到20A。傳統(tǒng)硅MOS溫升明顯，甚至需要輔助導(dǎo)熱措施來為其散熱。使用氮化鎵代替硅MOS之后，可以無需導(dǎo)熱材料，降低快充過程中
2023-02-21 16:13:41
、努比亞、魅族在內(nèi)的六款氮化鎵快充充電器。加上華為在P40手機(jī)發(fā)布會(huì)上，也發(fā)布了一款65W 1A1C氮化鎵快充充電器，成為第七家入局氮化鎵快充的手機(jī)廠商。從各大知名手機(jī)品牌的布局來看，氮化鎵快充普及趨勢
2021-04-16 09:33:21
2C1A二合一氮化鎵超極充、綠聯(lián)140W 2C1A氮化鎵充電器，英集芯的其它系列快充芯片已被小米、華為、三星等大品牌的產(chǎn)品使用，性能質(zhì)量獲得客戶的高度認(rèn)可。
輸出VBUS開關(guān)管均來自威兆半導(dǎo)體
2023-06-16 14:05:50
，其中第一梯隊(duì)有英諾賽科、納微、EPC等代表企業(yè)。其中英諾賽科是目前全球首家采用8英寸增強(qiáng)型硅氮化鎵外延與芯片大規(guī)模量產(chǎn)的企業(yè)，也是躋身氮化鎵產(chǎn)業(yè)第一梯隊(duì)的國產(chǎn)半導(dǎo)體企業(yè)代表。
2019-07-05 04:20:06
，以及分享GaN FET和集成電路目前在功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域替代硅器件的步伐。
誤解1：氮化鎵技術(shù)很新且還沒有經(jīng)過驗(yàn)證
氮化鎵器件是一種非常堅(jiān)硬、具高機(jī)械穩(wěn)定性的寬帶隙半導(dǎo)體，于1990年代初首次用于生產(chǎn)高
2023-06-25 14:17:47
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來，橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。
2019-09-02 07:16:34
GaN將在高功率、高頻率射頻市場及5G 基站PA的有力候選技術(shù)。未來預(yù)估5-10年內(nèi)GaN 新型材料將快速崛起并占有多半得半導(dǎo)體市場需求。。。以下內(nèi)容均摘自網(wǎng)絡(luò)媒體，如果不妥，請聯(lián)系站內(nèi)信進(jìn)行刪除
2019-04-13 22:28:48
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學(xué)術(shù)研究，始于 2009 年左右的香港科技大學(xué)，但強(qiáng)大的高壓氮化鎵功率芯片平臺(tái)的量產(chǎn)，則是由成立于 2014 年的納微半導(dǎo)體最早進(jìn)行研發(fā)的。納微半導(dǎo)體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
本帖最后由 小佑_ 于 2021-11-12 11:54 編輯
氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體器件，憑借其優(yōu)異的性能，在PD快充領(lǐng)域得到了廣泛關(guān)注。作為國內(nèi)領(lǐng)先的ACDC快充品牌，茂睿芯一直潛心研發(fā)
2021-11-12 11:53:21
的獨(dú)特性意味著，幾乎所有這些材料都不能用作半導(dǎo)體。不過，透明導(dǎo)電氧化物氧化鎵（Ga2O3）是一個(gè)特例。這種晶體的帶隙近5電子伏特，如果說氮化鎵（3.4eV）與它的差距為1英里，那么硅（1.1eV）與它的差距
2023-02-27 15:46:36
半導(dǎo)體（Navitas）今日市值也就9.4億美元，而且包括了第三代半導(dǎo)體的另一重要組成部分、收購自GeneSiC的碳化硅業(yè)務(wù)（想要更多了解的讀者可以參考《從納微看半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)并購》）。僅有氮化鎵業(yè)務(wù)
2023-03-03 16:48:40
會(huì)產(chǎn)生熱量。這些發(fā)熱限制了系統(tǒng)的性能。比如說，當(dāng)你筆記本電腦的電源變熱時(shí)，其原因在于流經(jīng)電路開關(guān)內(nèi)的電子會(huì)產(chǎn)生熱量，并且降低了它的效率。由于氮化鎵是一款更好、效率更高的半導(dǎo)體材料，它的發(fā)熱量更低，所以
2018-08-30 15:05:50
設(shè)備、網(wǎng)聯(lián)汽車、?PC和可穿戴設(shè)備，并帶來卓越體驗(yàn)。驍龍品牌標(biāo)識(shí)醒目地出現(xiàn)在車隊(duì)的2023款賽車——梅賽德斯-AMG F1 W14 E PERFORMANCE的車身上，這款車于今日在英國銀石賽道亮相
2023-02-16 09:48:03
DU28120T射頻功率 MOSFET 晶體管 120W，2-175MHz，28V數(shù)字金屬氧化物半導(dǎo)體 射頻功率 MOSFET 晶體管 120W，2-175MHz，28V 數(shù)字
2022-11-29 10:41:01
2021年1月11日晚，iQOO正式發(fā)布了iQOO 7手機(jī)，這是今年第一款驍龍888旗艦機(jī)，還帶來了120W超級(jí)快充，15分鐘即可充滿。
2021-01-12 10:05:432157 小米、紫米近日接連發(fā)布 33W 氮化鎵充電器，以 5W 充電頭的小巧體積實(shí)現(xiàn)了 33W 快充。據(jù)微博 @數(shù)碼閑聊站 爆料，小米即將發(fā)布 120W GaN 氮化鎵充電器，可以給小米 10 Ultra
2021-02-28 11:34:284005 納微半導(dǎo)體今日宣布，小米正式發(fā)布新款智能手機(jī)小米 Civi，配備采用納微 GaNFast 氮化鎵功率芯片的 55W 氮化鎵充電器。
2021-10-08 11:45:091905 
隨著發(fā)布會(huì)預(yù)告更新，可見我們即將迎來22年度的首批新品發(fā)布熱潮，上周三星S22系列發(fā)布，這兩日Redmi與紅魔紛紛發(fā)布新機(jī)。一邊是RedmiK50電競版，一邊是游戲手機(jī)紅魔的最新系列，不知誰才會(huì)
2022-02-17 17:59:362834 
為熱愛狂奔的人，總會(huì)在同一賽道上迎面擁抱，極速相遇。K50電競版新伙伴，正式官宣。
2022-02-19 14:12:062106 隨著3月的到來，手機(jī)廠商加速了新機(jī)發(fā)布的節(jié)奏，Redmi今天官宣了K50宇宙“超大杯”的性能表現(xiàn)，讓網(wǎng)友們期盼的搭載天璣9000的K50超大杯終于開始預(yù)熱了！根據(jù)Redmi紅米手機(jī)官微公布的信息來看
2022-03-11 14:36:271735 
近期，關(guān)于聯(lián)發(fā)科天璣9000旗艦芯量產(chǎn)終端的消息越來越多，大量的粉絲和用戶都在關(guān)注著各大手機(jī)廠商。就在昨天，紅米公布了Redmi K50超大杯的實(shí)測成績，實(shí)屬驚艷！60分鐘《原神》測試，59幀溫度
2022-03-11 17:04:021448 
天璣9000的紅米K50 Pro和全球首發(fā)天璣8100的紅米K50正式發(fā)布。下面就讓我們來看看這兩款手機(jī)都有哪些亮點(diǎn)。 聯(lián)發(fā)科天璣9000與天璣8100組成天璣戰(zhàn)隊(duì)，為紅米 K50 Pro和紅米 K50帶來“狠”超想象的強(qiáng)勁性能和出色能效，搭配三星2K直屏、OIS光學(xué)防抖相機(jī)、VC液冷立體散
2022-03-18 13:15:244082 “豪橫高性能、恐怖低功耗”，這是Redmi官方在Redmi K50系列發(fā)布會(huì)上對于天璣9000芯片的夸贊。多年來，對于旗艦芯片、手機(jī)來說，高性能和低功耗之間似乎總是有著天生的矛盾，旗艦手機(jī)為用戶帶來
2022-03-21 09:12:306861 
近期發(fā)布會(huì)非常多，也好久沒有分享拆解類內(nèi)容，今天小e翻出了疫情前拆解的Redmi K50電競版，大致整理出了拆解步驟，這次就來看看關(guān)于Redmi K50 電競版的拆解吧！ 作為電競版手機(jī)，需要性能
2022-05-06 16:04:113783 
下半年紅米將會(huì)推出K50系列新機(jī)型Redmi K50 Ultra。 據(jù)預(yù)測，Redmi K50 Ultra將配有2K高刷柔性直屏，處理器將搭載驍龍8+，該處理器以臺(tái)積電4nm制程工藝打造，性能及功耗方面都得到了進(jìn)一步的優(yōu)化，并且在K50系列不盡人意的攝像方面，本次Redmi K50 Ultra將一雪前恥
2022-06-06 16:24:372144 8月11日，在“2022 雷軍年度演講”上，Redmi K50至尊版震撼發(fā)布，首發(fā)天馬全新一代柔性1.5K OLED直屏。
2022-08-12 11:34:552449 ? 集成的GaNFast氮化鎵功率芯片讓充電更快、更高效、更便捷。 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者 — 納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）宣布旗下
2023-02-28 17:57:13823 杰華特聯(lián)合英諾賽科推出120W氮化鎵快充方案，打造大功率高端當(dāng)前，高功率快充標(biāo)配在市場上受到不少關(guān)注，不久前努比亞為其新品紅魔游戲手機(jī)標(biāo)配的正是120W快充方案（內(nèi)置InnoGaNINN650D02
2022-04-18 16:51:29744 
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