FRAM的工作原理，為什么要使用FRAM？

　　使用微控制器（MCU）的設(shè)計(jì)人員已經(jīng)開(kāi)始嚴(yán)重依賴閃存來(lái)存儲(chǔ)代碼，因?yàn)?IC 制造商已經(jīng)擴(kuò)展了非易失性存儲(chǔ)器的制造工藝，并且正在 MCU IC 上生產(chǎn)相當(dāng)大的閃存陣列。盡管如此，閃存仍遠(yuǎn)非完美，其他非易失性存儲(chǔ)器類型，如鐵電 RAM （FRAM），提供優(yōu)于閃存的優(yōu)勢(shì)，包括低功耗操作、類似 DRAM 的每位訪問(wèn)和更快的訪問(wèn)時(shí)間。盡管 FRAM 成本較高且容量與閃存不匹配，但當(dāng)?shù)凸暮透咝阅苁顷P(guān)鍵設(shè)計(jì)考慮因素時(shí)，您最好考慮 FRAM 技術(shù)。

　　首先讓我們簡(jiǎn)要回顧一下 FRAM 的工作原理。FRAM 存儲(chǔ)單元的構(gòu)造與 DRAM 單元類似，每個(gè)位使用一個(gè)電容器和一個(gè)晶體管。然而，F(xiàn)RAM 單元需要一種鐵電材料，該材料基本上可以存儲(chǔ)極性狀態(tài)，并且不需要刷新或電源來(lái)維持內(nèi)容。迄今為止，由于多種原因，半導(dǎo)體制造商無(wú)法將 FRAM 擴(kuò)展到 DRAM 和閃存所達(dá)到的水平。鐵電材料是一種添加材料，在半導(dǎo)體制造過(guò)程中可能會(huì)出現(xiàn)問(wèn)題。隨著材料尺寸的減小，此類材料會(huì)失去鐵電特性，因?yàn)檩^小的單元特征尺寸對(duì)于縮放到更高的密度很重要。

　　既然我們從不利因素開(kāi)始，您可能會(huì)問(wèn)為什么要使用 FRAM？答案是，除了制造問(wèn)題之外，F(xiàn)RAM 在幾乎所有方面都優(yōu)于閃存。閃存在寫入過(guò)程中需要高電壓。該電壓會(huì)影響歸因于內(nèi)存的功耗，并且還會(huì)導(dǎo)致較長(zhǎng)的寫入周期。FRAM 支持類似 DRAM 的訪問(wèn)時(shí)間和低功耗，并且不受重寫周期數(shù)的限制。

　　其他閃存限制

　　Flash 也可能是程序員的后勤難題。您不能只重寫閃存中的值。您通常必須將新值寫入新閃存塊中的某個(gè)位置，并在某個(gè)時(shí)候返回并擦除舊塊以供重用——當(dāng)然，在處理將所有重要數(shù)據(jù)從舊塊移動(dòng)到新區(qū)塊。大多數(shù) MCU 制造商都包含代碼庫(kù)來(lái)處理內(nèi)務(wù)。盡管如此，就代碼大小而言，閃存處理本質(zhì)上是低效的。

　　FRAM 可以按位讀取或?qū)懭?。使?FRAM 陣列的程序員不必?fù)?dān)心單獨(dú)的代碼和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。程序員可以使用通用內(nèi)存映射，甚至可以根據(jù)應(yīng)用程序的需要?jiǎng)討B(tài)地將內(nèi)存部分分配給代碼或數(shù)據(jù)。

　　如果 FRAM 密度可以接近閃存的成本或密度，我們可能會(huì)在一夜之間看到向 FRAM 的廣泛遷移。相反，您需要確保了解 FRAM 中當(dāng)前最先進(jìn)的技術(shù)，并根據(jù)應(yīng)用需要進(jìn)行部署。

　　今天，您可以通過(guò)兩種方式利用 FRAM 的優(yōu)勢(shì)。包括富士通半導(dǎo)體和 Ramtron 在內(nèi)的公司生產(chǎn)的專用 FRAM IC 可以與基于閃存等不同存儲(chǔ)技術(shù)的 MCU 結(jié)合使用。與此同時(shí)，德州儀器（TI）在一些 16 位 MCU 上集成了 FRAM。

　　FRAM 存儲(chǔ)器 IC

　　讓我們首先檢查存儲(chǔ)器 IC。富士通的產(chǎn)品線在MB85R1002ANC-GE1中突破了 1 Mbit 的容量IC，配置為 64k x 16，MB85R1001ANC-GE1配置為 128k x 8。這些 IC 支持 150 ns 訪問(wèn)時(shí)間。與 MCU 的接口是通過(guò)一個(gè)字節(jié)寬的并行連接。

　　富士通還提供了幾種通過(guò)串行接口連接到 MCU 的 FRAM IC，從而最大限度地減少了存儲(chǔ)器連接所需的引腳數(shù)。對(duì)于串行外圍接口（SPI）鏈路，富士通在MB85RS256APNF-G-JNE1 IC 中提供最大容量為 256 kbits，配置為 32k x 8。SPI 接口以最高 25 MHz 運(yùn)行，設(shè)置有效訪問(wèn)時(shí)間。在以 400 kHz 運(yùn)行的MB85RC128PNF-G-JNE1中，基于 I2C 的 FRAM 最高為 128 kbits，配置為 16k x 8 。

　　Ramtron 提供更高容量的 FRAM IC，同時(shí)具有更快的訪問(wèn)時(shí)間。例如FM23MLD16-60-BGTR存儲(chǔ)8Mbits，配置512k x 16。IC采用并聯(lián)，支持60ns的訪問(wèn)速度。SPI 產(chǎn)品在具有 40-MHz 接口的FM25V20-DGTR中最高可達(dá) 2 Mbits。或者，您可以使用 3.4-MHz I2C 連接到 1-Mbit FM24V10-GTR。

　　將上述 FRAM IC 之一添加到 MCU 可以提供更高的系統(tǒng)級(jí)性能和更簡(jiǎn)單的編程模型。此外，雖然您將 IC 添加到物料清單中，但與使用片上存儲(chǔ)器的 MCU 實(shí)現(xiàn)的系統(tǒng)相比，您仍可能實(shí)現(xiàn)更低的系統(tǒng)功耗。您可以選擇具有小型片上閃存陣列的 MCU，并依靠 FRAM 存儲(chǔ)器進(jìn)行大部分操作 - 消除對(duì)閃存的耗電寫入。

　　FRAM MCU

　　現(xiàn)在讓我們討論具有集成 FRAM 陣列的 MCU。這樣做可以讓您更好地了解低功耗優(yōu)勢(shì)，并設(shè)定您對(duì)當(dāng)今使用有限片上 FRAM 的此類產(chǎn)品可以攻擊的應(yīng)用程序的復(fù)雜程度的預(yù)期水平。TI 在其MSP430

　　的一小部分上集成了 FRAM基于 16 位內(nèi)核的 MCU 系列。TI 吹捧該器件能夠滿足類似 8 位的成本和低功耗要求。MSP430FR57xx FRAM MCU（圖 1）的最高 FRAM 為 128 kb，配置為 16k x 8。與 MCU 一樣，具有多種 I/O 功能和集成外設(shè)的 128 kb 產(chǎn)品有許多選項(xiàng)。

　　圖 1：MSP430FR57xx FRAM MCU 集成了多達(dá) 128 kb 的非易失性存儲(chǔ)器，該系列成員包括各種外設(shè)配置，包括集成多達(dá) 14 個(gè)通道的 10 位 A/D 轉(zhuǎn)換器。

　　TI 提供額定時(shí)鐘速度為 8 和 24 MHz 的 MCU，最多具有 32 條 I/O 線。部分產(chǎn)品包括 A/D 轉(zhuǎn)換器，其MSP430FR5739IRHAR最高可達(dá)到 14 個(gè) 10 位通道。通常，該子系列中的所有 MCU 都包括 PWM、上電復(fù)位和看門狗定時(shí)器外設(shè)，接口的補(bǔ)充包括 SPI、I2C 和 UART。

　　FRAM 的真正優(yōu)勢(shì)體現(xiàn)在有功功耗規(guī)格中。FRAM 系列的功耗為 82 μA/MHz。許多基于 MSP430 閃存的產(chǎn)品在活動(dòng)模式下使用的功率要高出兩到三倍。公平地說(shuō)，專用低壓閃光燈系列的功耗降低了 50%，盡管這些產(chǎn)品的工作頻率僅限于 4 MHz。

　　在您閱讀本文時(shí)，TI 很可能已經(jīng)可以購(gòu)買其下一代 MSP430FR58xx 產(chǎn)品。這些產(chǎn)品將提供與現(xiàn)有基于 FRAM 的 MCU 類似的有功功率規(guī)格，但將添加與 FRAM 無(wú)關(guān)的元素，從而進(jìn)一步降低待機(jī)功率。

　　評(píng)估套件

　　如果您不熟悉 FRAM 并想要評(píng)估該技術(shù)，TI 有幾個(gè)套件可能會(huì)感興趣。MSP-EXP430FR5739 FRAM 實(shí)驗(yàn)板（圖 2）包括一個(gè)具有 128 kb FRAM 的 MSP430FR5739 MCU 。圖 2 中所示的電路板具有許多外設(shè)，例如加速度計(jì)和熱敏電阻，這些外設(shè)可能在典型應(yīng)用中很有用。

　　圖 2：MSP-EXP430FR5739 FRAM 實(shí)驗(yàn)板包括一個(gè)三軸加速度計(jì)、一個(gè)熱敏電阻、LED、開(kāi)關(guān)和一個(gè)用于面向連接的子卡的擴(kuò)展連接器。

　　MSP- FET430U40A工具套件包包括一個(gè)閃存仿真器和編程器，具有諷刺意味的是，它不需要與雙板載 MSP430FR5739 MCU 一起使用。但是，flash 工具還包括一個(gè) USB 調(diào)試接口，可以方便地進(jìn)行系統(tǒng)開(kāi)發(fā)。同時(shí)，CC3000 Wi-Fi FRAM 模塊是實(shí)驗(yàn)套件中的板和通過(guò)夾層連接器安裝的 Wi-Fi 模塊的組合。

　　如果您對(duì)閃存的其他替代品感興趣，您可能還想研究磁阻 RAM （ MRAM ），它提供與 FRAM 類似的好處。目前還沒(méi)有人提供具有集成 MRAM 的 MCU，但Everspin Technologies提供容量高達(dá) 16 Mbits 的專用 MRAM IC。

　　結(jié)論

　　Flash 一直是并將繼續(xù)成為廣泛應(yīng)用領(lǐng)域的一項(xiàng)重要技術(shù)，特別是考慮到它以低成本制造的令人難以置信的密度。這并不意味著閃存總是正確的選擇。您可能會(huì)發(fā)現(xiàn) FRAM 可以降低系統(tǒng)功耗并提高性能，甚至可能在某些應(yīng)用中降低系統(tǒng)成本。消除閃存內(nèi)務(wù)工作會(huì)導(dǎo)致代碼更簡(jiǎn)單，并且您可能會(huì)發(fā)現(xiàn)您的應(yīng)用程序適合使用 FRAM 的更小的內(nèi)存占用空間。

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存儲(chǔ)器(161623) 存儲(chǔ)器(161623)
fram(79042) fram(79042)

評(píng)論

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2022-03-02 06:51:48

超低功耗M24C16-WMN6TP FRAM微控制器介紹

超低功耗M24C16-WMN6TP FRAM微控制器（MCU）系列包含幾款器件，采用嵌入式非易失性FRAM和不同的外設(shè)集，面向各種感應(yīng)和測(cè)量應(yīng)用。該架構(gòu)、FRAM和外設(shè)，結(jié)合大量低功耗模式，可以延長(zhǎng)

2021-11-03 07:28:04

采用FRAM的MCU為何就能具有諸多優(yōu)勢(shì)呢

采用FRAM的MCU為何就能具有諸多優(yōu)勢(shì)呢?舉例說(shuō)明:TI做了一個(gè)實(shí)驗(yàn)，如果要寫13Kbps的數(shù)據(jù)到DRAM里需要花1秒時(shí)間，大約要用2200uA的功耗去做寫的功能，但如果用FRAM來(lái)做只要10ms

2021-11-24 07:19:40

采用MSP430 FRAM技術(shù)的IO-Link固件更新參考設(shè)計(jì)包括BOM及層圖

Updating FRAM takes 100x less time and there is no pre-erase requiredData can be written to FRAM

2018-09-29 09:59:31

采用MSP430FR4133基于FRAM MCU的水表參考設(shè)計(jì)包含BOM表

上。此設(shè)計(jì)工作在低功耗模式下，并可減少 CPU 工作量，進(jìn)而有助于降低總體功耗。主要特色磁脈沖測(cè)量2.9uA 待機(jī)電流非易失性片上 FRAM 實(shí)時(shí)存儲(chǔ)支持 NFC 和低于 1GHz BoosterPack電池電壓監(jiān)視器此終端設(shè)備設(shè)計(jì)已經(jīng)過(guò)測(cè)試，并包含硬件、固件、GUI、演示和用戶指南

2018-08-23 12:08:52

鐵電存儲(chǔ)器FRAM的結(jié)構(gòu)及特長(zhǎng)

鐵電存儲(chǔ)器FRAM是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，它將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM的快速讀取和寫入訪問(wèn)——它是個(gè)人電腦存儲(chǔ)中最常用的類型——與在電源關(guān)掉后保留數(shù)據(jù)能力（就像其他穩(wěn)定的存儲(chǔ)設(shè)備一樣，如只讀存儲(chǔ)器

2020-05-07 15:56:37

鐵電存儲(chǔ)器FRAM 及其與MCU 的接口技術(shù)

鐵電存儲(chǔ)器FRAM 是具有低功耗、高寫入速度、高耐久力的新型非易失性存儲(chǔ)器，應(yīng)用范圍廣泛。本文介紹FRAM 及其應(yīng)用，并給出FRAM 與MCS-51 單片機(jī)的接口電路和軟件設(shè)計(jì)。

2009-05-13 16:25:45

FRAM在DSP開(kāi)發(fā)系統(tǒng)中的應(yīng)用

本文首先介紹了FRAM 的特點(diǎn)；然后在分析了FRAM 配置及DSP 的SPI 通信模塊的基礎(chǔ)上，給出了FM25L256 與TMS320F2812 DSP 的接口電路的硬件設(shè)計(jì)。最后，文章給出了SPI模塊的初始化程序及DSP

2009-09-14 16:01:20

鐵電存儲(chǔ)器FRAM詳解

鐵電存儲(chǔ)器FRAM詳解: 鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）產(chǎn)品將ROM的非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)特性和RAM的無(wú)限次讀寫、高速讀寫

2008-01-30 09:13:50

4172

什么是閃存卡/U盤/SD卡/FIFO/FRAM

什么是閃存卡/U盤/SD卡/FIFO/FRAM 閃存卡（Flash Card）是利用閃存（Flash Memory）技術(shù)達(dá)到存儲(chǔ)電子信息的存儲(chǔ)器，一般應(yīng)用在數(shù)碼相機(jī)

2010-03-24 16:49:50

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在嵌入式設(shè)計(jì)中將FRAM用作閃存的替代方案

鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（FRAM）是一種非易失性的獨(dú)立型存儲(chǔ)技術(shù)，本文將論述FRAM的主要技術(shù)屬性，同時(shí)探討可充分展現(xiàn)FRAM優(yōu)勢(shì)的具體用例。

2012-10-08 15:34:55

1835

MSP430FRAM microcontrollers with

MSP430FRAM microcontrollers with CapTIvate

2016-06-06 14:50:53

圓我“鐵電夢(mèng)”，關(guān)于FRAM網(wǎng)友有話說(shuō)！

近幾年，FRAM（鐵電存儲(chǔ)器）比較火，特別是在三表的應(yīng)用中。網(wǎng)上也有不少對(duì)FRAM技術(shù)的討論。這不，小編看到了一篇分享，是某網(wǎng)友總結(jié)的FRAM應(yīng)用的心得，發(fā)布在這里供正在使用和將來(lái)要使用FRAM的筒子們參考~

2017-03-24 18:27:17

1915

在高端醫(yī)療設(shè)備中，FRAM有著100%的應(yīng)用！

傳統(tǒng)的閃存和EEPROM等存儲(chǔ)器是利用電荷注入來(lái)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的，而FRAM是利用外部電場(chǎng)產(chǎn)生極化來(lái)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的，因此它與傳統(tǒng)存儲(chǔ)器相比，不易α射線，x射線，γ射線，重離子等射線的影響。在醫(yī)院工作

2017-03-28 15:26:18

1564

在RFID中嵌入FRAM，有必要嗎？

富士通半導(dǎo)體內(nèi)嵌FRAM的RFID產(chǎn)品相比其單體FRAM產(chǎn)品是比較新的，而市場(chǎng)上常用的RFID產(chǎn)品嵌入的是EEPROM。與內(nèi)嵌EEPROM的RFID產(chǎn)品相比，內(nèi)嵌FRAM的RFID讀寫速度快很多，并且其抗輻射性比EEPROM高出不止一個(gè)數(shù)量級(jí)。

2017-03-28 17:56:15

955

FRAM RFID應(yīng)用案例大放送！

上一篇文章我們介紹了嵌入了FRAM的RFID相比傳統(tǒng)嵌入EEPROM的RFID的優(yōu)勢(shì)。這篇文章我們將介紹FRAM RFID的具體應(yīng)用。

2017-03-28 18:00:43

1652

FRAM不怕輻射，解決醫(yī)療應(yīng)用難題！

今天，像EEPROM和SRAM這些標(biāo)準(zhǔn)存儲(chǔ)器器件已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于醫(yī)療設(shè)備。而使用FRAM將可能改變普通最終用戶和醫(yī)療專家對(duì)助聽(tīng)器噪聲，或是需要更換所用設(shè)備中的備用電池而頻頻抱怨的情況。FRAM產(chǎn)品

2017-03-28 18:11:58

1494

試過(guò)在網(wǎng)上專店買FRAM嗎？購(gòu)買攻略拿去！

富士通半導(dǎo)體的FRAM產(chǎn)品現(xiàn)在可以直接在網(wǎng)上專店（ESHOP）下單購(gòu)買了，購(gòu)買攻略馬上奉上。顏值很重要，先看我們的FRAM網(wǎng)上專店（ESHOP）長(zhǎng)什么樣子？

2017-03-28 18:17:28

986

媒體聚焦 | FRAM應(yīng)用淺記——只談創(chuàng)新案例

近年來(lái)隨著智能三表、物聯(lián)網(wǎng)、醫(yī)療器械及醫(yī)療電子標(biāo)簽、汽車后裝設(shè)備、以及工業(yè)傳感網(wǎng)絡(luò)的快速增長(zhǎng)，FRAM存儲(chǔ)器以及FRAM微控制器的應(yīng)用越來(lái)越多。似乎幾年前電子工程專輯的報(bào)道還傾向于把FRAM（那時(shí)候

2017-03-28 18:41:57

1055

FRAM占領(lǐng)醫(yī)療領(lǐng)域和智能電表行業(yè)

富士通半導(dǎo)體因FRAM在醫(yī)療領(lǐng)域和智能電表中的解決方案及應(yīng)用而備受業(yè)界矚目。FRAM在這兩個(gè)領(lǐng)域備受關(guān)注，這與它在醫(yī)療領(lǐng)域和智能電表行業(yè)內(nèi)的有著巨大的優(yōu)勢(shì)是分不開(kāi)的。

2017-03-29 11:12:12

1117

FRAM在醫(yī)療領(lǐng)域和智能電表中的應(yīng)用及發(fā)展

與傳統(tǒng)非易失性存儲(chǔ)器相比，FRAM的功耗要低很多，而且寫入速度更快。對(duì)于類似的寫入，FRAM功耗只有EEPROM的1/1000。FRAM的寫入時(shí)間是EEPROM的1/40000，達(dá)到SRAM

2017-03-29 11:46:29

1659

采用FRAM微控制器實(shí)現(xiàn)的溫度調(diào)節(jié)裝置

此參考設(shè)計(jì)采用 MSP430FR4133 基于 FRAM 的 MCU，是可遠(yuǎn)程控制的全功能、電池供電的恒溫器。此設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)了高精度溫度測(cè)量、超低功耗特性和大型 LCD 顯示屏，可延長(zhǎng)應(yīng)用的電池壽命

2017-05-05 16:59:32

帶你了解最熱門的三款FRAM產(chǎn)品

這兒有最最最最最熱門的三款FRAM產(chǎn)品。

2017-08-22 15:19:24

8536

獨(dú)立FRAM存儲(chǔ)器方案設(shè)計(jì),特點(diǎn)有哪些？

FRAM是集合了ROM和RAM兩種存儲(chǔ)器的優(yōu)勢(shì)。擅于進(jìn)行高速寫入、具有長(zhǎng)的耐久力和低功耗。富士通半導(dǎo)體可提供采用串行（I2C和SPI）和并行外設(shè)的FRAM產(chǎn)品。不同接口的產(chǎn)品各自都有哪些特點(diǎn)呢？

2017-09-17 16:34:22

9447

FRAM FRID在物聯(lián)網(wǎng)的應(yīng)用

　　富士通在開(kāi)發(fā)高質(zhì)量、高可靠性存儲(chǔ)器FRAM的方面，具有17年以上的豐富量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，并在智能卡及IC卡等卡片領(lǐng)域、電力儀表及產(chǎn)業(yè)設(shè)備等產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域，已取得卓越的應(yīng)用成果。與時(shí)俱進(jìn)，富士通正積極投入

2017-09-20 12:43:08

FRAM 中常見(jiàn)的問(wèn)題及解答

FRAM是ferroelectric random access memor}r（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）的首字母縮寫，它是非易失性存儲(chǔ)器，即便在斷電后也能保留數(shù)據(jù)。盡管從名稱上說(shuō)，FRAM是鐵電存儲(chǔ)器，但它不受磁場(chǎng)的影響，因?yàn)樾酒胁缓F基材料（鐵）。鐵電材料可在電場(chǎng)中切換極性，但是它們不受磁場(chǎng)的影響。

2018-04-04 09:07:30

FRAM的特點(diǎn)及應(yīng)用介紹

FRAM 應(yīng)用介紹

2018-08-15 08:28:00

5742

MSP430 FRAM業(yè)界最低功耗的MCU

MSP430 (3) 超低功耗FRAM

2018-08-14 01:50:00

9499

關(guān)于MSP430 FRAM的特點(diǎn)及應(yīng)用介紹

MSP430 (4) FRAM 家族

2018-08-02 01:10:00

6173

FRAM家族：MSP430的特性及應(yīng)用介紹

MSP430 (5) FRAM家族成員具體特性

2018-08-02 01:04:00

5951

可穿戴電子應(yīng)用的FRAM

關(guān)鍵詞：FRAM , 存儲(chǔ)器引言： FRAM存儲(chǔ)器可為可穿戴電子產(chǎn)品帶來(lái)低功耗、小尺寸、高耐用性與低成本。正文：鐵電RAM(FRAM)存儲(chǔ)器廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制系統(tǒng)、工業(yè)自動(dòng)化、關(guān)鍵任務(wù)空間

2018-09-28 15:56:01

270

微雪電子FRAM存儲(chǔ)模塊存儲(chǔ)器FM24CLXX簡(jiǎn)介

FM24CL FRAM 存儲(chǔ)模塊 I2C接口可排針或排座接入目標(biāo)板 FRAM外擴(kuò)存儲(chǔ) 型號(hào) FM24CLXX FRAM Board

2019-12-30 09:45:53

1331

FRAM鐵電存儲(chǔ)器在汽車應(yīng)用方面的優(yōu)勢(shì)

相比于其他市場(chǎng)，汽車市場(chǎng)更為關(guān)注技術(shù)成熟度。目前FRAM在汽車行業(yè)的銷售數(shù)量已超過(guò)8億臺(tái)，技術(shù)已相當(dāng)成熟，汽車行業(yè)的客戶完全可以對(duì)此放心無(wú)憂為什么要在汽車中使用FRAM? 與EEPROM

2020-05-26 11:03:43

1080

SPI-MRAM如何替換SPI-FRAM

Everspin器件是一個(gè)40MHz/50MHz MRAM，工作于2.7V-3.6V，標(biāo)稱Vdd=3.3V，而SPI FRAM具有更寬的工作電壓范圍（1.8V至3.6V）。在使用SPI-MRAM替換

2020-09-19 10:07:31

1628

FRAM器件提供非易失性存儲(chǔ)

2020-09-19 11:56:48

1727

FRAM是一種鐵電存儲(chǔ)器，它的自身優(yōu)勢(shì)是什么

具有優(yōu)勢(shì)。FRAM結(jié)合了ROM和RAM的特點(diǎn)，具有高速寫數(shù)據(jù)，低功耗，高速讀/寫周期等優(yōu)點(diǎn)。富士通型號(hào)MB85RS2MLY全新的2Mbit FRAM，可在125℃高溫下正常工作，工作電壓可低至1.7V至1.95V，并設(shè)有串行外設(shè)接口（SPI）。這種全新的FRAM產(chǎn)品是汽車電子控制單元的最

2020-09-27 14:32:31

1634

如何提升FRAM MCU的速度并降低其所需的功耗

采用FRAM的MCU為何就能具有諸多優(yōu)勢(shì)呢？舉例說(shuō)明：TI做了一個(gè)實(shí)驗(yàn)，如果要寫13Kbps的數(shù)據(jù)到DRAM里需要花1秒時(shí)間，大約要用2200uA的功耗去做寫的功能，但如果用FRAM來(lái)做只要10ms

2020-12-02 16:33:25

327

FRAM技術(shù)和工作原理

獨(dú)特性能成就技術(shù)“硬核”，FRAM 是存儲(chǔ)界的實(shí)力派。除非易失性以外， FRAM 還具備三大主要優(yōu)勢(shì)：高讀寫入耐久性、高速寫入以及低功耗，這是絕大多數(shù)同類型存儲(chǔ)器無(wú)法比擬的。

2021-03-11 09:23:31

3503

從FRAM遷移到EERAM

本應(yīng)用筆記介紹了如何用EERAM代替FRAM，以及如何通過(guò)跳線和修改代碼來(lái)創(chuàng)建一個(gè)集成EERAM 和FRAM（第二個(gè)源）的設(shè)計(jì)。

2021-04-16 10:04:56

什么是FRAM，它的優(yōu)勢(shì)都有哪些

FRAM鐵電存儲(chǔ)器。它是一種采用鐵電材料（PZT等）的鐵電性和鐵電效應(yīng)來(lái)進(jìn)行非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的存儲(chǔ)器。FRAM具有ROM和RAM的特點(diǎn)，在高速讀寫入、高讀寫耐久性、低功耗和防竄改方面具有優(yōu)勢(shì)

2021-05-04 10:17:00

1850

關(guān)于富士通FRAM技術(shù)和工作原理的詳細(xì)講解

不進(jìn)行擦除或重寫，數(shù)據(jù)就不會(huì)改變。FRAM是一種與Flash相同的非易失性存儲(chǔ)器。富士通FRAM技術(shù)和工作原理 FRAM是運(yùn)用鐵電材料（PZT等）的鐵電性和鐵電效應(yīng)來(lái)進(jìn)行非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)又可以像RAM一樣操作。 ?當(dāng)一個(gè)電場(chǎng)被加到鐵電晶體時(shí)，

2021-05-04 10:16:00

515

富士通FRAM一路走來(lái)，它是如何崛起的

FRAM鐵電存儲(chǔ)器是一種采用鐵電材料（PZT等）的鐵電性和鐵電效應(yīng)來(lái)進(jìn)行非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的存儲(chǔ)器。FRAM具有ROM和RAM的特點(diǎn)，在高速讀寫入、高讀寫耐久性、低功耗和防竄改方面具有優(yōu)勢(shì)。那么

2021-04-26 14:31:28

544

FRAM性能比EEPROM好的三個(gè)優(yōu)勢(shì)是什么

FRAM的學(xué)術(shù)名字叫做FERAM，利用鐵電晶體的鐵電效應(yīng)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，其的特點(diǎn)是速度快，能夠像RAM一樣操作，讀寫功耗極低，不存在如EEPROM的最大寫入次數(shù)的問(wèn)題；但受鐵電晶體特性制約，FRAM

2021-04-30 17:10:17

1083

鐵電存儲(chǔ)器FRAM的優(yōu)劣勢(shì)

FRAM是一種新型存儲(chǔ)器，具有高速、高密度、低功耗和抗輻射等優(yōu)點(diǎn)，與EEPROM、FLASH相比，FRAM的讀寫更快、壽命更長(zhǎng)，FRAM已經(jīng)應(yīng)用于IC卡和MCU中，預(yù)計(jì)未來(lái)具有廣闊的市場(chǎng)前景。FRAM產(chǎn)品具有明顯的高新技術(shù)特點(diǎn)，符合科創(chuàng)板屬性，目前上市公司中尚沒(méi)有從事該產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)。

2021-05-11 17:32:20

2107

FRAM的應(yīng)用場(chǎng)景

FRAM是電力計(jì)量系統(tǒng)中使用的主要存儲(chǔ)器，由于具有高耐用性、快速寫入和低能耗等優(yōu)點(diǎn)，FRAM在此領(lǐng)域迅速占領(lǐng)了市場(chǎng)；隨著電子設(shè)備和存儲(chǔ)數(shù)據(jù)需求的增多使得FRAM受到廣泛應(yīng)用，FRAM能用于如智能電表、水表和煤氣表等的常見(jiàn)的計(jì)量系統(tǒng)中。

2021-05-12 16:52:49

616

富士通FRAM存儲(chǔ)器的詳細(xì)介紹

FRAM是一種寫入速度快的非易失性存儲(chǔ)器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器（如EEPROM、閃存）相比，FRAM不需要用于數(shù)據(jù)保存的備用電池，具有更高的讀/寫耐久性、更快的寫入速度和更低的功耗。

2021-07-27 10:36:09

1055

FRAM存儲(chǔ)器都用在了哪里

FRAM （鐵電RAM）是一種具有快速寫入速度的非易失性存儲(chǔ)器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器（如EEPROM、閃存）相比，FRAM不需要備用電池來(lái)保留數(shù)據(jù)，并且具有更高的讀/寫耐久性，更快的寫入速度

2021-10-28 10:26:56

2565

ST系列FRAM MCU開(kāi)發(fā)方案

2021-10-28 19:21:04

如何使FRAM MCU速度更快所需功耗最低

2021-11-16 10:21:01

使用非易失性FRAM替換SRAM時(shí)的問(wèn)題和解決方案

? ? ? ?FRAM是一種非易失性存儲(chǔ)器產(chǎn)品，具有讀寫耐久性高、寫入速度快、功耗低等優(yōu)點(diǎn)。 ? ? ? ? ?富士通并行接口的8Mbit?FRAM?MB85R8M2T。保證寫入壽命超過(guò)10萬(wàn)億

2022-01-12 15:12:20

351

將FRAM存儲(chǔ)器芯片集成到汽車EDR設(shè)計(jì)中

本篇文章宇芯電子主要介紹用FRAM替換閃存或EEPROM的情況，以及如果將FRAM器件成功集成到新的汽車EDR設(shè)計(jì)中將需要滿足的要求。

2022-01-26 18:30:08

并口FRAM vs SRAM—并口FRAM與SRAM的比較

鐵電存儲(chǔ)器FRAM是一種具有快速寫入速度的非易失性存儲(chǔ)器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器相比，FRAM不需要備用電池來(lái)保留數(shù)據(jù)，并且具有更高的讀/寫耐久性，更快的寫入速度操作和更低的功耗。今天進(jìn)行并口

2022-03-15 15:43:44

741

鐵電存儲(chǔ)器FRAM

鐵電存儲(chǔ)器稱FRAM或FeRAM，FRAM采用鐵電晶體材料作為存儲(chǔ)介質(zhì)，利用鐵電晶體材料電壓與電流關(guān)系具有特征滯后回路的特點(diǎn)來(lái)實(shí)現(xiàn)信息存儲(chǔ)。 ?? FRAM結(jié)構(gòu)圖 FRAM技術(shù)特點(diǎn)：非易失性：斷電

2022-11-10 17:00:14

1785

提供即時(shí)寫入功能的FRAM存儲(chǔ)器

FRAM存儲(chǔ)器提供即時(shí)寫入功能，無(wú)限的耐用性和接近零的軟錯(cuò)誤率，以支持對(duì)功能安全標(biāo)準(zhǔn)的遵守。引起人們對(duì)用于汽車EDR的FRAM非易失性存儲(chǔ)技術(shù)的興趣，因?yàn)槠涫褂媒鉀Q了這些缺點(diǎn)。

2022-11-25 14:19:41

327