富士通高級產品工程師伍宏杰先生表示，“恰恰是
FRAM高速讀寫的特性，決定了
FRAM可以實現在無電池或是突然斷電的情況下實現讀寫，避免數據的丟失?！?/div>
2014-07-29 16:59:27
1410 0.13μm非易失性FRAM產品的增強的耐久性能
2021-02-04 07:15:14
64－Kbit FRAM是什么？為什么要開發一種64－Kbit FRAM？64－Kbit FRAM到底有什么用途？
2021-06-17 08:27:24
FRAM RFID與傳統EEPROM相比，有哪些亮點？FRAM RFID有哪些創新應用案例？
2021-05-21 06:53:14
FRAM器件消耗的工作電流大約是EEPROM的1/3，而FRAM的待機/睡眠電流規格與EEPROM的待機/睡眠電流規格差不多。有功電流中的差異對功耗產生巨大影響，特別是當應用程（如:智能電子式電表
2020-10-09 14:27:35
中來工作。閃存或EEPROM存儲器使用電荷泵在芯片上產生高電壓（10 V或更高），并迫使電荷載流子通過柵極氧化物。這產生長的寫入延遲并且需要高的寫入功率，這對存儲單元具有破壞性。相比之下，FRAM
2020-08-12 17:41:09
你好，我正在設計一個16或32個FRAM（SPI）設備的存儲器陣列，用于電池操作的數據表，用于遠程戶外位置。我已經查閱了CY15B104Q（512K×8）數據表中的直流特性，特別是I/O電壓閾值
2019-10-10 09:57:35
FRAM器件提供非易失性存儲，用10年的數據保存時間，在與熟悉的閃存和EEPROM替代所需的功率的一小部分。利用現有的基于FRAM存儲器和MCU器件，工程師們可以放心地在他們盡管間歇性的斷電操作
2021-12-09 08:28:44
SRAM+電池+電源管理IC+EEPROM有什么特點？NVRAM+電池管理有什么特點？FRAM的存儲方式有什么特點？
2021-05-12 06:49:09
以及改進整個系統。而這正是我們采用 FRAM 的微控制器超越業界其他解決方案的優勢所在。 FRAM 是一種非易失性 RAM，相較于其他非易失性存儲器技術，可實現更快速的數據存儲和幾乎無限的壽命。 這
2018-09-10 11:57:26
FRAM的特點是速度快，能夠像RAM一樣操作，讀寫功耗極低，不存在如E2PROM的最大寫入次數的問題；但受鐵電晶體特性制約，FRAM仍有最大訪問（讀）次數的限制。
2019-09-11 11:30:59
DEMO演示FRAM 特性——“多、快、省”寬泛的FRAM產品線——涵蓋SPI、IIC、并行接口，容量向16Mb邁進技術優勢解決系列應用瓶頸創新的FRAM 認證芯片促進應用創新
2021-03-04 07:54:14
主頻較高時對應使用快速型邏輯芯片（F系列）。結語FRAM產品為我們提供了可使用的存儲器的一種新選擇，在原來使用E2PROM的應用中表現會更出色，為某些原來認為需要使用SRAM的E2PROM的應用系統
2014-04-25 13:46:28
當我發送讀取請求或 RDID 請求時，我沒有收到從 FRAM 芯片返回的數據。
我不確定自己做錯了什么。
我已經將我的波形 HOLD_N、CS_N、FRAM 中的串行數據、串行數據附加到 FRAM、CLK、WP_N 中。
2024-01-25 07:07:12
MRAM與FRAM技術比較
2021-01-25 07:33:07
操作是通過在MTJ兩端施加非常低的電壓來完成的，從而在部件使用壽命內支持無限的操作。圖3：MRAM讀寫周期FRAM技術FRAM或鐵電隨機存取存儲器使用1個晶體管–1個鐵電電容器（1T-1FC）架構，該
2022-11-17 15:05:44
和 SPI）提供的 FRAM 內容在系統即便未加電的情況下用于讀取日志消息（例如，通過溫度或壓力發送器讀取）。此外，在系統完成安裝并加電之前（或之后），也可在試運行時對配置參數進行編程。通過此類功能，無需為
2015-05-05 15:13:56
SRAM和FRAM之間的相似之處 SRAM和FRAM在許多設計中表現出許多相似的特性。串行SRAM和FRAM具有相似的存儲密度，可以支持完全隨機的讀寫訪問，并且可以獲得所有結果而沒有額外的延遲
2020-12-17 16:18:54
MEMORY FRAM FOR TOWER SYSTEM
2023-03-22 19:57:21
Everspin的8Mb MRAM MR3A16ACMA35可以在較慢的富士通8Mb FRAM MB85R8M2T上運行，但還允許系統設計人員利用MRAM的四倍隨機存取周期時間。Everspin
2023-04-07 16:26:28
電源范圍內工作。此外，與存儲電荷的存儲器設備，FRAM裝置具有耐α粒子和通常表現出軟錯誤率(SER)檢測極限以下。FRAM的優勢的影響漣漪通過的系統，例如無線傳感器節點，需要高速寫入和低功耗工作的組合
2016-02-25 16:25:49
之前在論壇里面發帖問了關于如何延長EEPROM壽命的問題，后面經大神推薦選擇了用FRAM來替代。前兩天在某公司申請的FRAM樣片到了，今天就拿來做測試。我原本的測試方案就是跟以前測試EEPROM一樣
2013-09-03 10:52:35
目前使用的quartus版本為12.1 FPGA為cyclone5系列 5CEBA4U15C8NFRAM為 Cypress: FM21LD16-60(2Mbit)附上FRAM datasheet
2014-12-15 20:06:08
所做工作的配置文件。EEPROM與閃存需要工作電壓為10至14V的電荷泵，使其比較容易檢測到。FRAM極其快速的讀寫速度（分別為50 ns和200 ns以下）以及較低的工作電壓 (1.5 V) 使其被
2014-09-01 17:44:09
Ephesus 系統中，Anaren Air 模塊（基于 TI 的低于 1 GHz CC1101 射頻收發器）與一個超低功耗 MSP430FRxx FRAM 微控制器配對使用，旨在確保低功耗無線照明
2018-09-10 11:57:29
寫入FRAM的零時鐘周期延遲 一個典型的EEPROM需要5毫秒的寫周期時間，以將其頁面數據轉移到非易失性EEPROM內。當需要寫入幾千字節的數據時，會導致寫入時間較長。相比之下的FRAM不會使這種寫
2020-09-28 14:42:50
富士通FRAM存儲器有哪些特點？富士通FRAM存儲器在智能電表中有什么應用？
2021-07-11 06:09:49
如今，有多種存儲技術均具備改變嵌入式處理領域格局的潛力。然而，迄今為止還沒有哪一種技術脫穎而出成為取代微控制器（MCU）中閃存技術的強勁競爭者，直到FRAM的出現這種情況才得以改變。鐵電
2019-08-22 06:16:14
數據嗎？ 不會。FRAM 是一款非易失性存儲器，即使在斷電后也可保持其中的數據。 與可在個人計算機、工作站和非手持游戲控制臺（例如 PlayStation 和 Xbox）的大型（主）存儲器中使用的常用
2018-08-20 09:11:18
FRAM微控制器的主要特性及優勢當從 FRAM 中執行代碼時，可將目前業界最佳功耗水平降低50%之多 -- 工作流耗為100μA/MHz （主動模式）和3μA（實時時鐘模式） 超過100萬億次的可寫入次數能
2011-05-04 16:37:37
`最近學習RFID搜集了不少資料，發出來供有興趣了解物聯網RFID相關應用的朋友們學習，也希望拋磚引玉啊，大家都上傳手上的寶貝吧，一起打造個RFID技術學習的分享站。資料中有幾個是與富士通FRAM
2013-10-24 15:16:41
有人有使用 SPI-FRAM 的示例代碼或 IDF 組件嗎？我閱讀了帶有 QSPI 總線的 SPI-PSRAM 的文檔，但這不是我們所擁有的。Adafruit 有一個用于 Arduino
2023-03-01 07:09:17
最近抽空參加了2013富士通半導體的MCU/FRAM鐵電存儲器技術研討會，演講的是一個華裔日本人，趕腳講的還是比較中肯滴，他說：“由于FRAM產品采用并行接口，I2C和SPI，采用8引腳SOP封裝
2013-07-15 10:19:16
如何使FRAM MCU速度更快所需功耗最低
2020-12-30 07:11:15
調試FRAM經驗總結：1、跑完FRAM讀寫代碼之后，邏分儀發現總線上只有簡單、短暫的電平變化，明顯不是SPI的通信數據。（經提醒發現連片選拉高拉低都沒有執行到位）后來發現是因為片選引腳沒有初始化
2022-03-02 06:51:48
超低功耗M24C16-WMN6TP FRAM微控制器（MCU）系列包含幾款器件，采用嵌入式非易失性FRAM和不同的外設集，面向各種感應和測量應用。該架構、FRAM和外設，結合大量低功耗模式，可以延長
2021-11-03 07:28:04
采用FRAM的MCU為何就能具有諸多優勢呢?舉例說明:TI做了一個實驗，如果要寫13Kbps的數據到DRAM里需要花1秒時間，大約要用2200uA的功耗去做寫的功能，但如果用FRAM來做只要10ms
2021-11-24 07:19:40
Updating FRAM takes 100x less time and there is no pre-erase requiredData can be written to FRAM
2018-09-29 09:59:31
上。此設計工作在低功耗模式下，并可減少 CPU 工作量，進而有助于降低總體功耗。主要特色磁脈沖測量2.9uA 待機電流非易失性片上 FRAM 實時存儲支持 NFC 和低于 1GHz BoosterPack電池電壓監視器此終端設備設計已經過測試，并包含硬件、固件、GUI、演示和用戶指南
2018-08-23 12:08:52
鐵電存儲器FRAM是一種隨機存取存儲器，它將動態隨機存取存儲器DRAM的快速讀取和寫入訪問——它是個人電腦存儲中最常用的類型——與在電源關掉后保留數據能力（就像其他穩定的存儲設備一樣，如只讀存儲器
2020-05-07 15:56:37
鐵電存儲器FRAM 是具有低功耗、高寫入速度、高耐久力的新型非易失性存儲器，應用范圍廣泛。本文介紹FRAM 及其應用， 并給出FRAM 與MCS-51 單片機的接口電路和軟件設計。
2009-05-13 16:25:45
25 本文首先介紹了FRAM 的特點；然后在分析了FRAM 配置及DSP 的SPI 通信模塊的基礎上，給出了FM25L256 與TMS320F2812 DSP 的接口電路的硬件設計。最后，文章給出了SPI模塊的初始化程序及DSP
2009-09-14 16:01:2018 鐵電存儲器FRAM詳解:
鐵電存儲器（FRAM）產品將ROM的非易失性數據存儲特性和RAM的無限次讀寫、高速讀寫
2008-01-30 09:13:504172 
什么是閃存卡/U盤/SD卡/FIFO/FRAM
閃存卡（Flash Card）是利用閃存（Flash Memory）技術達到存儲電子信息的存儲器，一般應用在數碼相機
2010-03-24 16:49:501649 鐵電隨機存取存儲器（FRAM）是一種非易失性的獨立型存儲技術，本文將論述FRAM的主要技術屬性，同時探討可充分展現FRAM優勢的具體用例。
2012-10-08 15:34:551835 
MSP430FRAM microcontrollers with CapTIvate
2016-06-06 14:50:5315 近幾年，FRAM（鐵電存儲器）比較火，特別是在三表的應用中。網上也有不少對FRAM技術的討論。這不，小編看到了一篇分享，是某網友總結的FRAM應用的心得，發布在這里供正在使用和將來要使用FRAM的筒子們參考~
2017-03-24 18:27:171915 傳統的閃存和EEPROM等存儲器是利用電荷注入來實現數據存儲的，而FRAM是利用外部電場產生極化來實現數據存儲的，因此它與傳統存儲器相比，不易α射線，x射線，γ射線，重離子等射線的影響。在醫院工作
2017-03-28 15:26:181564 
富士通半導體內嵌FRAM的RFID產品相比其單體FRAM產品是比較新的，而市場上常用的RFID產品嵌入的是EEPROM。與內嵌EEPROM的RFID產品相比，內嵌FRAM的RFID讀寫速度快很多，并且其抗輻射性比EEPROM高出不止一個數量級。
2017-03-28 17:56:15955 
上一篇文章我們介紹了嵌入了FRAM的RFID相比傳統嵌入EEPROM的RFID的優勢。這篇文章我們將介紹FRAM RFID的具體應用。
2017-03-28 18:00:431652 
今天，像EEPROM和SRAM這些標準存儲器器件已經被廣泛應用于醫療設備。而使用FRAM將可能改變普通最終用戶和醫療專家對助聽器噪聲，或是需要更換所用設備中的備用電池而頻頻抱怨的情況。FRAM產品
2017-03-28 18:11:581494 
富士通半導體的FRAM產品現在可以直接在網上專店（ESHOP）下單購買了，購買攻略馬上奉上。顏值很重要，先看我們的FRAM網上專店（ESHOP）長什么樣子？
2017-03-28 18:17:28986 
近年來隨著智能三表、物聯網、醫療器械及醫療電子標簽、汽車后裝設備、以及工業傳感網絡的快速增長，FRAM存儲器以及FRAM微控制器的應用越來越多。似乎幾年前電子工程專輯的報道還傾向于把FRAM（那時候
2017-03-28 18:41:571055 富士通半導體因FRAM在醫療領域和智能電表中的解決方案及應用而備受業界矚目。FRAM在這兩個領域備受關注，這與它在醫療領域和智能電表行業內的有著巨大的優勢是分不開的。
2017-03-29 11:12:121117 與傳統非易失性存儲器相比，FRAM的功耗要低很多，而且寫入速度更快。對于類似的寫入，FRAM功耗只有EEPROM的1/1000。FRAM的寫入時間是EEPROM的1/40000，達到SRAM
2017-03-29 11:46:291659 
此參考設計采用 MSP430FR4133 基于 FRAM 的 MCU，是可遠程控制的全功能、電池供電的恒溫器。此設計中實現了高精度溫度測量、超低功耗特性和大型 LCD 顯示屏，可延長應用的電池壽命
2017-05-05 16:59:3215 這兒有最最最最最熱門的三款FRAM產品。
2017-08-22 15:19:248536 
FRAM是集合了ROM和RAM兩種存儲器的優勢。擅于進行高速寫入、具有長的耐久力和低功耗。富士通半導體可提供采用串行（I2C和SPI）和并行外設的FRAM產品。 不同接口的產品各自都有哪些特點呢？
2017-09-17 16:34:229447 
富士通在開發高質量、高可靠性存儲器FRAM的方面，具有17年以上的豐富量產經驗，并在智能卡及IC卡等卡片領域、電力儀表及產業設備等產業領域，已取得卓越的應用成果。與時俱進，富士通正積極投入
2017-09-20 12:43:0815 FRAM是ferroelectric random access memor}r（鐵電隨機存取存儲器）的首字母縮寫，它是非易失性存儲器，即便在斷電后也能保留數據。盡管從名稱上說，FRAM是鐵電存儲器，但它不受磁場的影響，因為芯片中不含鐵基材料（鐵）。鐵電材料可在電場中切換極性，但是它們不受磁場的影響。
2018-04-04 09:07:309 FRAM 應用介紹
2018-08-15 08:28:005742 MSP430 (3) 超低功耗FRAM
2018-08-14 01:50:009499 MSP430 (4) FRAM 家族
2018-08-02 01:10:006173 MSP430 (5) FRAM家族成員具體特性
2018-08-02 01:04:005951 關鍵詞：FRAM , 存儲器 引言： FRAM存儲器可為可穿戴電子產品帶來低功耗、小尺寸、高耐用性與低成本。 正文： 鐵電RAM(FRAM)存儲器廣泛應用于工業控制系統、工業自動化、關鍵任務空間
2018-09-28 15:56:01270 FM24CL FRAM 存儲模塊
I2C接口 可排針或排座接入目標板 FRAM外擴存儲
型號 FM24CLXX FRAM Board
2019-12-30 09:45:531331 
相比于其他市場，汽車市場更為關注技術成熟度。目前FRAM在汽車行業的銷售數量已超過8億臺，技術已相當成熟，汽車行業的客戶完全可以對此放心無憂 為什么要在汽車中使用FRAM? 與EEPROM
2020-05-26 11:03:431080 
Everspin器件是一個40MHz/50MHz MRAM，工作于2.7V-3.6V，標稱Vdd=3.3V，而SPI FRAM具有更寬的工作電壓范圍（1.8V至3.6V）。在使用SPI-MRAM替換
2020-09-19 10:07:311628 FRAM器件提供非易失性存儲，用10年的數據保存時間，在與熟悉的閃存和EEPROM替代所需的功率的一小部分。利用現有的基于FRAM存儲器和MCU器件，工程師們可以放心地在他們盡管間歇性的斷電操作
2020-09-19 11:56:481727 具有優勢。FRAM結合了ROM和RAM的特點，具有高速寫數據，低功耗，高速讀/寫周期等優點。 富士通型號MB85RS2MLY全新的2Mbit FRAM，可在125℃高溫下正常工作，工作電壓可低至1.7V至1.95V，并設有串行外設接口（SPI）。這種全新的FRAM產品是汽車電子控制單元的最
2020-09-27 14:32:311634 采用FRAM的MCU為何就能具有諸多優勢呢？舉例說明：TI做了一個實驗，如果要寫13Kbps的數據到DRAM里需要花1秒時間，大約要用2200uA的功耗去做寫的功能，但如果用FRAM來做只要10ms
2020-12-02 16:33:25327 獨特性能成就技術“硬核”，FRAM 是存儲界的實力派。除非易失性以外， FRAM 還具備三大主要優勢：高讀寫入耐久性、高速寫入以及低功耗，這是絕大多數同類型存儲器無法比擬的。
2021-03-11 09:23:313503 本應用筆記介紹了如何用EERAM代替FRAM，以及如何通過跳線和修改代碼來創建一個集成EERAM 和FRAM（第二個源）的設計。
2021-04-16 10:04:567 FRAM鐵電存儲器。它是一種采用鐵電材料（PZT等）的鐵電性和鐵電效應來進行非易失性數據存儲的存儲器。FRAM具有ROM和RAM的特點，在高速讀寫入、高讀寫耐久性、低功耗和防竄改方面具有優勢
2021-05-04 10:17:001850 
不進行擦除或重寫，數據就不會改變。FRAM是一種與Flash相同的非易失性存儲器。 富士通FRAM技術和工作原理 FRAM是運用鐵電材料（PZT等）的鐵電性和鐵電效應來進行非易失性數據存儲又可以像RAM一樣操作。 ?當一個電場被加到鐵電晶體時，
2021-05-04 10:16:00515 
FRAM鐵電存儲器是一種采用鐵電材料（PZT等）的鐵電性和鐵電效應來進行非易失性數據存儲的存儲器。FRAM具有ROM和RAM的特點，在高速讀寫入、高讀寫耐久性、低功耗和防竄改方面具有優勢。那么
2021-04-26 14:31:28544 FRAM的學術名字叫做FERAM，利用鐵電晶體的鐵電效應實現數據存儲，其的特點是速度快，能夠像RAM一樣操作，讀寫功耗極低，不存在 如EEPROM的最大寫入次數的問題；但受鐵電晶體特性制約，FRAM
2021-04-30 17:10:171083 FRAM是一種新型存儲器，具有高速、高密度、低功耗和抗輻射等優點，與EEPROM、FLASH相比，FRAM的讀寫更快、壽命更長，FRAM已經應用于IC卡和MCU中，預計未來具有廣闊的市場前景。FRAM產品具有明顯的高新技術特點，符合科創板屬性，目前上市公司中尚沒有從事該產品的開發。
2021-05-11 17:32:202107 FRAM是電力計量系統中使用的主要存儲器，由于具有高耐用性、快速寫入和低能耗等優點，FRAM在此領域迅速占領了市場；隨著電子設備和存儲數據需求的增多使得FRAM受到廣泛應用，FRAM能用于如智能電表、水表和煤氣表等的常見的計量系統中。
2021-05-12 16:52:49616 FRAM是一種寫入速度快的非易失性存儲器。與傳統的非易失性存儲器（如EEPROM、閃存）相比，FRAM不需要用于數據保存的備用電池，具有更高的讀/寫耐久性、更快的寫入速度和更低的功耗。
2021-07-27 10:36:091055 FRAM （鐵電RAM） 是一種具有快速寫入速度的非易失性存儲器。與傳統的非易失性存儲器 （如EEPROM、閃存）相比，FRAM不需要備用電池來保留數據，并且具有更高的讀/寫耐久性，更快的寫入速度
2021-10-28 10:26:562565 超低功耗M24C16-WMN6TP FRAM微控制器（MCU）系列包含幾款器件，采用嵌入式非易失性FRAM和不同的外設集，面向各種感應和測量應用。該架構、FRAM和外設，結合大量低功耗模式，可以延長
2021-10-28 19:21:046 采用FRAM的MCU為何就能具有諸多優勢呢?舉例說明:TI做了一個實驗，如果要寫13Kbps的數據到DRAM里需要花1秒時間，大約要用2200uA的功耗去做寫的功能，但如果用FRAM來做只要10ms
2021-11-16 10:21:018 ? ? ? ?FRAM是一種非易失性存儲器產品，具有讀寫耐久性高、寫入速度快、功耗低等優點。 ? ? ? ? ?富士通并行接口的8Mbit?FRAM?MB85R8M2T。保證寫入壽命超過10萬億
2022-01-12 15:12:20351 本篇文章宇芯電子主要介紹用FRAM替換閃存或EEPROM的情況，以及如果將FRAM器件成功集成到新的汽車EDR設計中將需要滿足的要求。
2022-01-26 18:30:086 鐵電存儲器FRAM是一種具有快速寫入速度的非易失性存儲器。與傳統的非易失性存儲器相比，FRAM不需要備用電池來保留數據，并且具有更高的讀/寫耐久性，更快的寫入速度操作和更低的功耗。今天進行并口
2022-03-15 15:43:44741 鐵電存儲器稱FRAM或FeRAM，FRAM采用鐵電晶體材料作為存儲介質，利用鐵電晶體材料電壓與電流關系具有特征滯后回路的特點來實現信息存儲。 ?? FRAM結構圖 FRAM技術特點： 非易失性：斷電
2022-11-10 17:00:141785 
FRAM存儲器提供即時寫入功能，無限的耐用性和接近零的軟錯誤率，以支持對功能安全標準的遵守。引起人們對用于汽車EDR的FRAM非易失性存儲技術的興趣，因為其使用解決了這些缺點。
2022-11-25 14:19:41327 
FRAM具有其他傳統內存產品所不具備的四個突出特性。特點是：“非易失性”、“高讀寫耐久性”、“寫入速度快”和“低功耗”。
2023-12-15 11:35:46417 FRAM的“耐力”定義為疲勞后的記憶狀態保持能力，或在許多開關周期后維持鐵電開關電荷的非易失性部分的能力。
2024-02-19 10:21:1781 
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