本文是關(guān)于ZigBee技術(shù)的一些基礎(chǔ)知識(shí)、行業(yè)應(yīng)用方面的精華匯總。希望通過本文的分析，能讓大家對(duì)ZigBee技術(shù)的起源、發(fā)展、特點(diǎn)、前景及其在通信網(wǎng)絡(luò)中的相關(guān)應(yīng)用有全面直觀的了解。
2012-11-23 10:36:40
3824 本文則以 SDR SDRAM 為例，描述 DRAM Device 與 Host 端的接口，以及其內(nèi)部的其他模塊，包括 Control Logic、IO、Row & Column Decoder 等。
2020-09-22 15:34:594192 
DRAM（Dynamic Random Access Memory） 即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，它和 SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)一樣都是常見的系統(tǒng)內(nèi)存，也就是說我們個(gè)人電腦里的內(nèi)存條通常都是DRAM
2020-11-12 14:33:356527 
DRAM（Dynamic Random Access Memory） 即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，它和 SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)一樣都是常見的系統(tǒng)內(nèi)存，也就是說我們個(gè)人電腦里的內(nèi)存條通常都是DRAM
2020-12-01 15:18:294257 
SDRAM（synchronous dynamic random-access memory）即同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存。在介紹SDRAM前，我們先了解下DRAM（Dynamic random-access memory），DRAR中文譯為動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存
2023-09-27 15:02:321005 
由于實(shí)現(xiàn)工藝問題，容量較SRAM大。但是讀寫速度不如SRAM。一般的嵌入式產(chǎn)品里面的內(nèi)存都是用的SDRAM。電腦的內(nèi)存也是用的這種RAM，叫DDR SDRAM，其集成度非常高，因?yàn)槭莿?dòng)態(tài)的，所以必須有
2012-08-15 17:11:45
DRAM內(nèi)存原理 不管你信不信，RDRAM (Rambus)、DDR SDRAM甚至是EDO RAM它們?cè)诒举|(zhì)上講是一樣的。RDRAM、DDR RAM
2009-10-21 18:27:06
RAM有哪些分類？特點(diǎn)是什么？DRAM和SRAM對(duì)比分析哪個(gè)好？
2022-01-20 07:16:10
DRAM是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲(chǔ)電荷的多寡來代表一個(gè)二進(jìn)制bit是1還是0。與SRAM相比的DRAM的優(yōu)勢(shì)在于結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，每一個(gè)bit的數(shù)據(jù)都只需一個(gè)電容跟一個(gè)晶體管來處
2020-12-10 15:49:11
DRAM 連接32位SDRAM時(shí)，最大支持64Mx32bit？
2023-05-26 07:27:07
。盡管本文絕不是對(duì)所有內(nèi)存技術(shù)的全面討論，但在討論所提出的內(nèi)存技術(shù)時(shí)，DRAM，SRAM和FLASH可以為我們提供有用的比較點(diǎn)。DRAM盡管有各種各樣的可用RAM類型（具有不同的速度），但它們幾乎總是
2020-09-25 08:01:20
結(jié)構(gòu)體一、SDRAM 同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（也是一個(gè)芯片）問題：它出什么地方來的呢？為什么會(huì)用到它？它怎么工作的？stm32控制芯片內(nèi)部有一定大小的SRAM和FLASH作為內(nèi)存和程序儲(chǔ)存空間，但是有時(shí)候后可能程序比較大，內(nèi)存就不夠用了，就要在stm32芯片的外部擴(kuò)展儲(chǔ)存器了，其實(shí)跟電腦擴(kuò)展內(nèi)存加內(nèi)存
2022-01-20 08:22:13
第一次畫帶SDRAM的板子，按照sram的方式地址移位了，也就是fmc的A1接SDRAM的A0了，還有救嗎？
2018-10-24 08:10:43
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM是什么？有何優(yōu)缺點(diǎn)？動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM是什么？有何優(yōu)缺點(diǎn)？
2021-12-24 07:04:20
驅(qū)動(dòng)器和磁泡存儲(chǔ)器。從1970年代開始，主流的集成半導(dǎo)體存儲(chǔ)器則主要分為三類：動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (DRAM)、靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (SRAM) 和閃存。計(jì)算機(jī)內(nèi)存主要是DRAM和SRAM。SRAM則
2021-12-08 07:23:46
DRAM芯片，但近來系統(tǒng)設(shè)計(jì)也有使用快取隱藏式芯片鑲嵌在內(nèi)存模塊上內(nèi)存模塊是安裝在PC 的主機(jī)板上的專用插槽(Slot)上鑲嵌在Module上 DRAM芯片(chips)的數(shù)量和個(gè)別芯片(chips
2011-02-26 15:42:48
外頻同步，取消等待時(shí)間，所以其傳輸速率比EDO DRAM更快。ARM里的ram和SDRAM有什么區(qū)別ram包括SRAM和DRAM，前者是靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，主要是依靠觸發(fā)器存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，無需刷新，而后者是動(dòng)態(tài)
2022-10-25 15:08:10
DDR SDRAM內(nèi)存發(fā)展歷程
2021-01-06 06:04:22
一、DDR內(nèi)存SRAM：內(nèi)部隨機(jī)存儲(chǔ)器，速度高，可以與CPU同頻，通常作為內(nèi)部RAM或者是Cache使用。但是內(nèi)存小，成本高。SDRAM：同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，第四代的SDRAM發(fā)展了好幾代到了
2022-02-07 06:15:06
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:01 編輯
EEPROM、EPROM、FLASH、SRAM、DRAM、SDRAM的區(qū)別.
2012-12-20 15:19:20
FPGA典型設(shè)計(jì)方案精華匯總
2012-08-16 16:29:32
最近剛開始使用Altera的FPGA，再看他們網(wǎng)站時(shí)候看到他們10年的創(chuàng)新比賽中有個(gè)這個(gè)獎(jiǎng)項(xiàng)：FPGA 內(nèi)存設(shè)計(jì)創(chuàng)新獎(jiǎng): 評(píng)審條件: 1. 能有效運(yùn)用 DE 板卡上 ISSI 之DRAM 或
2011-04-20 16:12:14
1、RAM（random access memory）：（都屬于易失性存儲(chǔ)器）SRAM：靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，6個(gè)晶體管存儲(chǔ)一位數(shù)據(jù)，功耗大，面積大DRAM：動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，一個(gè)晶體管和一個(gè)電容存儲(chǔ)一位數(shù)
2021-12-17 06:35:02
ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH的區(qū)別
2021-02-05 06:11:16
說DRAM相比SRAM要便宜很多，計(jì)算機(jī)內(nèi)存就是DRAM的。 DRAM分為很多種，常見的主要FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等
2015-11-04 10:09:56
一般來說DRAM芯片的工作原理，比SRAM要復(fù)雜。這主要是由于DRAM在存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的過程中需要對(duì)于存儲(chǔ)的信息不停的刷新，這就成為了DRAM芯片和SRAM芯片之間的最大區(qū)別。一
2010-07-15 11:40:15
原子阿波羅stm32f429一、為什么使用SDRAMSTM32控制器芯片內(nèi)部有一定大小的SRAM及FLASH作為內(nèi)存和程序存儲(chǔ)空間，但當(dāng)程序較大，內(nèi)存和程序空間...
2021-08-04 08:49:40
在復(fù)制代碼到SDRAM以后，CPU內(nèi)部的SRAM也有和SDRAM一模一樣的代碼了，為什么執(zhí)行l(wèi)dr pc,=on_sdram就跳到SDRAM，他怎么知道跳哪里呢？CPU內(nèi)部不也有on_sdram這段代碼嗎？
2019-08-01 23:13:53
以任何順序訪問，而不管前一次訪問的是哪一個(gè)位置，RAM在掉電之后就會(huì)丟失數(shù)據(jù)。而對(duì)于RAM，又分為SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）和DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）兩大類。SRAM是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存
2022-10-26 16:37:40
1. 嵌入式的內(nèi)存內(nèi)存的發(fā)展從DRAM到廣泛使用的SDRAM，到之后一代的DDR（或稱DDR1），然后是DDR2和DDR3進(jìn)入大眾市場(chǎng)，2015年開始DDR4進(jìn)入消費(fèi)市場(chǎng)。單片機(jī)領(lǐng)域中，使用較多
2021-12-17 07:44:44
, PSRAM - Pseudo SRAM是一種具有SRAM接口協(xié)議（無需刷新，無需DRAM控制器）、具有DRAM單管存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)器，比SRAM容量大很多，價(jià)格便宜很多，比SDRAM容易使用，功耗也低很多。不失為外擴(kuò)單片機(jī)內(nèi)存的一種解決方案。
2018-09-18 14:03:15
哈弗結(jié)構(gòu)是什么意思？加劇CPU和主存之間速度差異的原因有哪些？導(dǎo)致DRAM比SRAM慢的原因有哪些？虛擬存儲(chǔ)器的最大容量是由什么原因決定的？
2021-08-11 08:07:31
1.SDRAM引入1.1 常見存儲(chǔ)器介紹：DRAM介紹同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(synchronous dynamic random-access memory，簡(jiǎn)稱SDRAM)，有一個(gè)同步接口的動(dòng)態(tài)
2022-05-16 15:03:13
屬于動(dòng)態(tài)內(nèi)存（相對(duì)于靜態(tài)內(nèi)存SRAM），都需要先運(yùn)行一段初始化代碼來初始化才能使用不像SRAM開機(jī)上電后就可以直接運(yùn)行。類似于SDRAM和SRAM的區(qū)別的，還有NorFlash和NandFlash（硬盤
2022-05-16 14:15:08
本文概括闡述了DRAM 的概念，及介紹了SDRAM、DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM、DDR4 SDRAM、LPDDR、GDDR。
2021-04-20 06:30:52
是一個(gè)晶體管加一個(gè)電容，并用電容有無電荷來表示數(shù)字信息0和1，電容漏電很快，為了防止電容漏電而導(dǎo)致讀取信息出錯(cuò)，需要周期性地給DRAM充電，故DRAM的充電速度比SRAM慢。另一方面，這種簡(jiǎn)單的存儲(chǔ)
2019-09-18 09:05:09
本篇文章是為了記錄flash，sram，dram，rom，ram在單片機(jī)等的應(yīng)用ROM和RAM都是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。ROM停止供電仍然可以保持?jǐn)?shù)據(jù)，RAM掉電之后丟失數(shù)據(jù)，如：計(jì)算機(jī)的內(nèi)存1、ROM
2022-01-11 06:25:18
內(nèi)存，寫這部分主要是為了和從片外 SDRAN 申請(qǐng)內(nèi)存進(jìn)行對(duì)比。選擇以開發(fā)板創(chuàng)建工程后，選擇 STM32F429-ATK-APOLLO 開發(fā)板，工程創(chuàng)建后默認(rèn)是沒有開啟片外的 SDRAM 的，此時(shí)工程中
2022-05-11 14:45:46
oDRAM0_CLK = SRAM_CLK;// SDRAM0 Clock 232assign oDRAM1_CLK = SRAM_CLK;// SDRAM1 Clock dram
2018-07-03 09:50:29
存儲(chǔ)器）512Mbit-4Gbit完全兼容Lyontek、Samsung、ISSI、Cypress SRAM SDRAM，大量降低成本。如有需要請(qǐng)隨時(shí)和我們聯(lián)系. 我們?cè)瓘S供貨，價(jià)格&交期較有
2013-08-30 10:31:33
第二部分：DRAM 內(nèi)存模塊的設(shè)計(jì)技術(shù)..............................................................143第一章 SDR 和DDR 內(nèi)存
2008-08-05 11:41:30
0 基于SRAM 和DRAM 結(jié)構(gòu)的大容量FIFO 的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)作者：楊奇 楊瑩摘要：本文分別針對(duì)Hynix 公司的兩款SRAM 和DRAM 器件，介紹了使用CPLD 進(jìn)行接口連接和編程控制，來構(gòu)成低成本
2010-02-06 10:41:1045 嵌入式測(cè)試和測(cè)量挑戰(zhàn)目錄引言3-4DRAM發(fā)展趨勢(shì) 3DRAM4-6SDRAM 6-9DDR SDRAM6DDR2 SDRAM 7DDR3 SDRAM 8DDR4 SDRAM 9GDDR 和LPDDR 9DIMMs 9-13DIMM 物理尺寸 9DIMM
2010-06-30 09:28:0894 本基礎(chǔ)指南共23頁，它全面介紹了動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）概念，描述了DRAM的未來發(fā)展方向，并概述了如何藉由驗(yàn)證來改善內(nèi)存設(shè)計(jì)。
SDRAM 內(nèi)存系統(tǒng): 嵌入式測(cè)試和測(cè)量
2010-08-05 15:13:1286 DRAM (動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器)對(duì)設(shè)計(jì)人員特別具有吸引力，因?yàn)樗峁┝藦V泛的性能，用于各種計(jì)算機(jī)和嵌入式系統(tǒng)的存儲(chǔ)系統(tǒng)設(shè)計(jì)中。本DRAM 內(nèi)存入門手冊(cè)概括介紹了DRAM 的概念，展
2010-08-06 08:27:54104 DIMM DRAM 168線內(nèi)存條引腳定義
正面，左方：
Pin
2007-11-21 12:39:411489 DIMM SDRAM 168線內(nèi)存條引腳定義
正面，左方：
Pin
2007-11-21 12:40:485912
DIMM DRAM 168線內(nèi)存條
2009-02-12 10:39:121132 什么是SDRAM內(nèi)存
SDRAM是“Synchronous Dynamic random access memory”的縮寫，意思是“同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器”，就是我們平時(shí)所說的“同步內(nèi)存”，這種
2009-12-17 11:14:39716 什么是DDR SDRAM內(nèi)存
DDR是一種繼SDRAM后產(chǎn)生的內(nèi)存技術(shù)，DDR，英文原意為“DoubleDataRate”，顧名思義，就是雙數(shù)據(jù)傳輸模式。之所以稱其為“雙”，也
2009-12-17 11:15:531646 SDRAM內(nèi)存 SDRAM是Synchronous Dynamic Random Access Memor
2009-12-17 16:15:28636 DDR SDRAM內(nèi)存
DDR SDRAM是Double Dat
2009-12-17 16:20:33684 SRAM,SRAM原理是什么?
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM。
SRAM主要用于二級(jí)高速緩存(Level2 C ache)。它利用晶體管來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。與DRAM相比，SRAM的速度快
2010-03-24 16:11:328479 現(xiàn)代的處理器(SoC)或DSP都內(nèi)建有內(nèi)存控制器，它是外部SDRAM、FLASH、EEPROM、SRAM……等內(nèi)存的控制接口。但不同處理器內(nèi)部的內(nèi)存控制方式都不盡相同
2011-04-21 11:42:011125 雖然目前SDRAM內(nèi)存條價(jià)格已經(jīng)接底線，內(nèi)存開始向DDR和Rambus內(nèi)存過渡。但是由于DDR內(nèi)存是在SDRAM基礎(chǔ)上發(fā)展起來的，所以詳細(xì)了解SDRAM內(nèi)存的接口和主板設(shè)計(jì)方法對(duì)于設(shè)計(jì)基于DDR內(nèi)存的主
2012-01-05 16:21:11247 《mosfet的應(yīng)用_mosfet品牌-精華匯總》技術(shù)專題包括mosfet品牌、mosfet的應(yīng)用、mosfet基礎(chǔ)知識(shí)（含mosfet工作原理和mosfet參數(shù)）、mosfet驅(qū)動(dòng)（含驅(qū)動(dòng)電路
2012-08-10 14:30:46
SDRAM內(nèi)存詳解資料
2017-10-30 15:45:178 高、功耗低，從而成本也低，適于作大容量存儲(chǔ)器。所以主內(nèi)存通常采用SDRAM，而高速緩沖存儲(chǔ)器（Cache）則使用SRAM，在存取速度上，SRAM》SDRAM。另外，內(nèi)存還應(yīng)用于顯卡、聲卡及CMOS等設(shè)備中，用于充當(dāng)設(shè)備緩存或保存固定的程序及數(shù)據(jù)。
2017-11-03 18:26:435231 內(nèi)存SRAM-NOR-NAND資料匯總（附程序及原理圖）
2017-11-29 17:49:5012 DRAM (動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器)對(duì)設(shè)計(jì)人員特別具有吸引力，因?yàn)樗峁┝藦V泛的性能，用于各種計(jì)算機(jī)和嵌入式系統(tǒng)的存儲(chǔ)系統(tǒng)設(shè)計(jì)中。本文概括闡述了DRAM 的概念，及介紹了SDRAM、DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM、DDR4 SDRAM、LPDDR、GDDR。
2018-06-07 22:10:0091644 隨著大規(guī)模集成電路和高速、低功耗、高密度存儲(chǔ)技術(shù)的發(fā)展，SDRAM動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器因容量大、速度快、價(jià)格低廉等優(yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為PC內(nèi)存的主流。然而SDRAM存儲(chǔ)器內(nèi)部控制邏輯十分復(fù)雜，時(shí)序要求也非常嚴(yán)格，因此需要設(shè)計(jì)專門的SDRAM控制器來實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)對(duì)SDRAM的訪問。
2018-04-30 10:58:005070 
3.2.2 onchip_sram文件匯總
2018-04-10 09:58:293 3.2.3 SRAM文件匯總
2018-04-10 10:08:2713 ，但是SRAM也有它的缺點(diǎn)，即它的集成度較低，相同容量的DRAM內(nèi)存可以設(shè)計(jì)為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積，且功耗較大。所以在主板上SRAM存儲(chǔ)器要占用一部分面積。
2018-05-30 07:18:0019347 
在使用MCU的嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，當(dāng)程序或者數(shù)據(jù)內(nèi)存占用太大而無法放入片上閃存或SRAM時(shí)，開發(fā)者通常考慮使用SDRAM。
2019-01-09 15:19:404314 
同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（synchronous dynamic random-access memory，簡(jiǎn)稱SDRAM）是有一個(gè)同步接口的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（DRAM）。通常DRAM是有一個(gè)異步接口
2019-03-07 15:12:463025 的。 SDRAM，同步的DRAM，即數(shù)據(jù)的讀寫需要時(shí)鐘來同步。 DRAM和SDRAM由于實(shí)現(xiàn)工藝問題，容量較SRAM大。但是讀寫速度不如SRAM，但是現(xiàn)在，SDRAM的速度也已經(jīng)很快了，時(shí)鐘好像已經(jīng)有150兆的了。那么就是讀寫周期小于10ns了。SDRAM雖然工作頻率高，但是實(shí)際吞吐率要打折扣。
2019-04-01 16:24:2935283 SRAM主要用于二級(jí)高速緩存。它利用晶體管來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。與DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面積中SRAM的容量要比其他類型的內(nèi)存小。
2019-04-01 16:28:479614 在使用MCU的嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，當(dāng)程序或者數(shù)據(jù)內(nèi)存占用太大而無法放入片上閃存或SRAM時(shí)，開發(fā)者通常考慮使用SDRAM。
2019-04-16 11:14:213955 
SRAM具有較高的性能，但是SRAM也有它的缺點(diǎn)，即它的集成度較低，功耗較DRAM大，相同容量的DRAM內(nèi)存可以設(shè)計(jì)為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積。同樣面積的硅片可以做出更大容量的DRAM，因此SRAM顯得更貴。
2019-12-17 07:06:002478 
同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（synchronous dynamic random-access memory，簡(jiǎn)稱SDRAM）是有一個(gè)同步接口的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（DRAM）。通常DRAM是有一個(gè)異步接口
2019-09-20 07:06:001389 
同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（synchronous dynamic random-access memory，簡(jiǎn)稱SDRAM）是有一個(gè)同步接口的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（DRAM）。通常DRAM是有一個(gè)異步接口
2019-09-11 07:07:001919 
在使用MCU的嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，當(dāng)程序或者數(shù)據(jù)內(nèi)存占用太大而無法放入片上閃存或SRAM時(shí)，開發(fā)者通常考慮使用SDRAM。
2019-08-29 10:33:404438 DRAM、SRAM和Flash都屬于存儲(chǔ)器，DRAM通常被稱為內(nèi)存，也有些朋友會(huì)把手機(jī)中的Flash閃存誤會(huì)成內(nèi)存。SRAM的存在感相對(duì)較弱，但他卻是CPU性能發(fā)揮的關(guān)鍵。
2020-07-29 11:14:1611869 SRAM的S是Static的縮寫，全稱是靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。而DRAM的D是Dynamic的縮寫，全稱是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。這兩者有什么區(qū)別呢？首先我們看看SRAM的結(jié)構(gòu)，你可以網(wǎng)上搜索一下有很多資料介紹SRAM的，比較出名的是6場(chǎng)效應(yīng)管組成一個(gè)存儲(chǔ)bit單元的結(jié)構(gòu)：
2020-08-22 09:21:0018044 
的，但高頻交易卻無法做到這一點(diǎn)。 更好的替代方法是同步SRAM存儲(chǔ)器。盡管基于DRAM芯片的內(nèi)存提供更高的內(nèi)存容量，但它們無法
2020-09-28 15:05:58696 
SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。SRAM具有較高的性能，功耗較小。SRAM主要用于二級(jí)高速緩存。它利用晶體管來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。但是SRAM也有它的缺點(diǎn)，集成度較低，相同容量的DRAM內(nèi)存
2021-01-11 16:48:1819308 PSRAM它具有類SRAM的接口協(xié)議：給出地址、讀、寫命令，就可以實(shí)現(xiàn)存取，不像DRAM需要memory controller來控制內(nèi)存單元定期數(shù)據(jù)刷新，因此結(jié)口簡(jiǎn)單；但它的內(nèi)核是DRAM架構(gòu)
2021-01-20 16:24:271872 內(nèi)存可分為DRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存和SRAM靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存兩種。兩種存儲(chǔ)器都是揮發(fā)性的內(nèi)存，SRAM的主要使用flip-flop正反器，通常用于快取（Cache），而DRAM則是使用電容器及晶體管
2021-02-22 15:35:483111 
pSRAM與SRAM相比，PSRAM采用的是1T+1C的技術(shù)，所以在體積上更小，同時(shí)，PSRAM的I/O接口與SRAM相同.PSRAM就是偽SRAM，內(nèi)部的內(nèi)存顆粒跟SDRAM的顆粒相似，但外部
2021-04-08 15:26:599271 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供一文讀懂SRAM和DRAM資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計(jì)、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-15 08:40:1416 高級(jí)創(chuàng)意，單片機(jī)電子DIY制作精華資料匯總今天給大家分享創(chuàng)意小生活，電子DIY制作精華資料匯總，資料有點(diǎn)多，將近400個(gè)電子創(chuàng)意，夠同學(xué)們學(xué)習(xí)和交作業(yè)的了，需要的可以在闖客網(wǎng)技術(shù)論壇下載
2021-11-04 19:06:0020 完整教程下載地址：http://forum.armfly.com/forum.php?mod=viewthread&tid=86980 第27章 STM32H7的TCM，SRAM等五塊內(nèi)存
2021-12-16 16:53:348 自旋轉(zhuǎn)移扭矩隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（STT-RAM）技術(shù)希望用其下一代MRAM取代DRAM，最終取代NAND。它結(jié)合了DRAM的成本優(yōu)勢(shì)，SRAM的快速讀寫性能以...
2022-01-26 18:32:390 在使用MCU的嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，當(dāng)程序或者數(shù)據(jù)內(nèi)存占用太大而無法放入片上閃存或SRAM時(shí)，開發(fā)者通常考慮使用SDRAM。
2022-02-08 16:31:032 在使用MCU的嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，當(dāng)程序或者數(shù)據(jù)內(nèi)存占用太大而無法放入片上閃存或SRAM時(shí)，開發(fā)者通常考慮使用SDRAM。
2022-02-10 10:09:441 存儲(chǔ)在其內(nèi)部的信息不需要更新電路。SRAM具有很高的特點(diǎn)。 ? 同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（SDRAM）有一個(gè)同步接口，在響應(yīng)控制輸入之前等待一個(gè)時(shí)鐘信號(hào)，以便與計(jì)算機(jī)系統(tǒng)總線同步。時(shí)鐘用于驅(qū)動(dòng)有限狀態(tài)機(jī)，并執(zhí)行進(jìn)入命令的管道操作。 英尚存儲(chǔ)芯片供
2022-12-08 16:03:24551 DRAM包括：SDRAM、DDRx、SDR、LPDDRx、LPSDR、GDDR、RLDRAMx（Reduced Latency DRAM）、EDO DRAM、FPM DRAM、Mobile DRAM等等。
2023-01-12 09:12:485428 
內(nèi)存電路結(jié)構(gòu)**
首先，從電路結(jié)構(gòu)上看來，內(nèi)存分為DRAM和SRAM，DRAM由線陣列MOS管和電容組成
2023-02-17 15:39:251002 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論