STM32F427VIT6支持HyperBus或者Octal xSPI接口的PSRAM嗎
2024-03-20 07:32:06
通過光學(xué)反射原理將圖像回饋至設(shè)備處理，與設(shè)定的邏輯判斷原則或資料圖形相比較，找出缺點(diǎn)位置
2024-03-15 10:51:40
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如下圖所示，GD32F4系列內(nèi)部SRAM分為通用SRAM空間和TCMSRAM空間，其中通用SRAM為從0x20000000開始的空間，TCMSRAM為從0x10000000開始的64KB空間。大家
2024-02-24 09:43:16186 
與運(yùn)放相比，為什么比較器可以采用多級級聯(lián)（3級，甚至4級），而運(yùn)放一般不這樣操作？ 比較器和運(yùn)放都是常見的電子元件，用于信號處理和放大。盡管它們在某些方面有相似的功能，但它們之間有一些關(guān)鍵的區(qū)別
2024-01-31 14:47:59224 MEMS差分振蕩器與傳統(tǒng)差分振蕩器的比較? MEMS（微機(jī)電系統(tǒng)）差分振蕩器是一種基于微納米加工技術(shù)制造的振蕩器，相比于傳統(tǒng)的差分振蕩器，具有獨(dú)特的優(yōu)勢。傳統(tǒng)差分振蕩器通常采用晶體管或電容等元件
2024-01-26 14:20:52128 相比前后臺(tái)系統(tǒng)中后臺(tái)順序執(zhí)行的程序主體，在多線程系統(tǒng)中，根據(jù)程序的功能，我們把這個(gè)程序主體分割成一個(gè)個(gè)獨(dú)立的，無限循環(huán)且不能返回的小程序，這個(gè)小程序我們稱之為線程。
2024-01-24 18:21:03229 
我的數(shù)學(xué)模型在 dsam 中有許多全局變量，ADS 會(huì)自動(dòng)擴(kuò)展并將這些變量放到 psram 中，但是 psram 的這些變量總是異常，例如下面的代碼部分，在這個(gè)模型中我必須得到 \" 1
2024-01-23 07:58:20
我把這個(gè)函數(shù)放進(jìn)了 PSRAM 地址，我檢查了地圖，它起作用了。
但是十六進(jìn)制文件不包括 PSRAM地址。
我怎樣才能配置 lsl 或工具來獲取 HEX 文件中的 PSRAM 地址？
2024-01-22 06:05:00
相比較，GaN具有更加優(yōu)異的性能；包含更高的擊穿場強(qiáng)；更高的飽和電子漂移效率和更高的導(dǎo)熱系數(shù)。與GaAs晶體管相比較，GaN HEMT還推出更高的功率密度和更寬的帶寬。CGHV96050F1使用金屬/陶瓷
2024-01-19 09:27:13
熱電分離銅基板與普通銅基板相比有何優(yōu)勢？ 熱電分離銅基板與普通銅基板相比，在許多方面都具有顯著的優(yōu)勢。以下將詳細(xì)介紹熱電分離銅基板的優(yōu)點(diǎn)，并向您解釋其為何在許多應(yīng)用中被廣泛采用。 首先，熱電分離
2024-01-18 11:43:47126 SD卡（secure digital card）是SD卡協(xié)會(huì)開發(fā)的低成本，非易失性存儲(chǔ)卡格式（相比較于RAM，SD卡掉電數(shù)據(jù)不丟失）。
2024-01-18 10:17:27602 
與無源探頭相比，有源探頭負(fù)載電容方面的優(yōu)勢和應(yīng)用? 有源探頭是一種電子測量設(shè)備，用于檢測和測量電路中的電壓、電流、電阻等參數(shù)。與無源探頭相比，有源探頭在負(fù)載電容方面具有許多優(yōu)勢和應(yīng)用。在本文中，我們
2024-01-08 17:21:59360 已用這種模式成功驅(qū)動(dòng)了一些psram，但是SRAM始終驅(qū)動(dòng)不了。
SRAM驅(qū)動(dòng)架構(gòu)
XMC復(fù)用模式讀時(shí)序，其中一個(gè)HCLK=4.16ns（240Mhz）
SRAM讀時(shí)序參數(shù)
SRAM讀時(shí)序圖
XMC
2024-01-04 10:46:19
VXLAN相比VLAN有什么優(yōu)勢？靜態(tài)vlan和動(dòng)態(tài)vlan區(qū)別? VXLAN（Virtual Extensible LAN）是一種虛擬化擴(kuò)展局域網(wǎng)的技術(shù)，相比傳統(tǒng)的VLAN（Virtual
2023-12-19 14:26:43306 雙卡網(wǎng)關(guān)相比單卡網(wǎng)關(guān)有哪些優(yōu)勢？ 雙卡網(wǎng)關(guān)是指具備同時(shí)連接兩個(gè)SIM卡的網(wǎng)關(guān)設(shè)備，而單卡網(wǎng)關(guān)則是只支持一張SIM卡的設(shè)備。雙卡網(wǎng)關(guān)相比單卡網(wǎng)關(guān)具有許多優(yōu)勢，下面將詳細(xì)介紹。 首先，雙卡網(wǎng)關(guān)具備更強(qiáng)
2023-12-19 14:26:36216 SRAM (Static Random Access Memory)是一種高速、隨機(jī)訪問的存儲(chǔ)器，它以其快速的讀寫操作和不需要刷新的特點(diǎn)而受到廣泛使用。本文將詳細(xì)介紹SRAM的讀寫電路設(shè)計(jì)
2023-12-18 11:22:39496 的設(shè)計(jì)縮小更多尺寸。然而，當(dāng)我們轉(zhuǎn)向更小尺寸的節(jié)點(diǎn)時(shí)，保持這種區(qū)別變得越來越具有挑戰(zhàn)性?，F(xiàn)在，SRAM 正在遵循越來越多的邏輯設(shè)計(jì)規(guī)則，并且與基于邏輯晶體管的設(shè)計(jì)相比，進(jìn)一步縮小存儲(chǔ)器的優(yōu)勢并不明顯。
2023-12-15 09:43:42175 大家好，遇到一個(gè)疑惑，要對原來做的系統(tǒng)改進(jìn)，原系統(tǒng)用的是偽差分ADC，單端信號輸入，現(xiàn)在想改為真差分ADC，但是傳感器輸出的是單端信號，所以在ADC之前要用一個(gè)單端轉(zhuǎn)差分的模塊，就想問一下，這么做的效果在理論上是不是會(huì)好點(diǎn)，還有全差分ADC與偽差分ADC相比優(yōu)勢在哪里，謝謝。
2023-12-15 08:22:16
SRAM是采用CMOS工藝的內(nèi)存。自CMOS發(fā)展早期以來，SRAM一直是開發(fā)和轉(zhuǎn)移到任何新式CMOS工藝制造的技術(shù)驅(qū)動(dòng)力。
2023-12-06 11:15:31635 4K60 HDMI光纖傳輸器與其他傳輸設(shè)備相比有什么優(yōu)勢？ 隨著科技的不斷進(jìn)步和發(fā)展，高清晰度視頻的傳輸需求也日益增長，而4K60 HDMI光纖傳輸器作為一種新型傳輸設(shè)備，相較于其他傳輸設(shè)備有著獨(dú)特
2023-12-04 14:40:39221 與UWB超寬帶定位技術(shù)相比，藍(lán)牙AOA定位技術(shù)有哪些優(yōu)勢？ 藍(lán)牙AOA（Angle of Arrival）定位技術(shù)是一種基于藍(lán)牙（Bluetooth）的定位方案，通過測量信號到達(dá)設(shè)備的角度來確定設(shè)備
2023-11-30 11:28:12317 紫外光通信系統(tǒng)是一種新型的通信手段，與常規(guī)的通信系統(tǒng)相比，有很多優(yōu)勢。
2023-11-28 09:38:20538 
的優(yōu)勢。在本文中，我們將詳細(xì)討論Code::Blocks相比VS的優(yōu)勢，并提供最少1500字的詳盡、詳實(shí)和細(xì)致信息。 Code::Blocks是一個(gè)自由開源的C++ IDE，它支持多種編程語言和平臺(tái)，包括
2023-11-26 09:52:111021 什么是三相電？與單相電相比，三相電具有哪些優(yōu)勢？為什么大功率電器要用三相呢？ 三相電是指在電力系統(tǒng)中使用的一種電流類型，它是由三根相位相差120度的電源線提供的。與之相對，單相電是由一根相位線和一根
2023-11-20 14:19:061042 市場調(diào)查機(jī)構(gòu) Counterpoint Research 近日發(fā)布報(bào)告，表示蘋果 iPhone 15 Pro Max 的物料成本，相比較 增加了 37.7 美元。
2023-11-14 14:18:21381 
六類網(wǎng)線相比超五類網(wǎng)線具有以下優(yōu)勢： 傳輸帶寬：六類網(wǎng)線的傳輸帶寬為1000Mbps，比超五類網(wǎng)線的傳輸帶寬高，能夠滿足千兆網(wǎng)絡(luò)的要求。 傳輸速率：六類網(wǎng)線的傳輸速率更快，高達(dá)250MHz，比超五類
2023-11-13 10:26:30353 SRAM 的數(shù)量是任何人工智能處理解決方案的關(guān)鍵要素，它的數(shù)量在很大程度上取決于您是在談?wù)摂?shù)據(jù)中心還是設(shè)備，或者是訓(xùn)練還是推理。但我想不出有哪些應(yīng)用程序在處理元件旁邊沒有至少大量的 SRAM，用于運(yùn)行人工智能訓(xùn)練或推理。
2023-11-12 10:05:05452 為什么使用高壓直流輸電？與交流輸電相比，有哪些優(yōu)勢？ 高壓直流輸電（High Voltage Direct Current Transmission，簡稱HVDC）是通過直流電流將電能從發(fā)電廠輸送
2023-11-10 15:49:02747 恒流源和恒壓源是電子設(shè)備中常用的兩種電源類型，它們各自具有不同的優(yōu)勢和應(yīng)用。
2023-11-10 10:36:26790 
儀表放大器的抗干擾能力與單端放大器相比有什么優(yōu)勢嗎？ 儀表放大器（Instrumentation Amplifier，簡稱IA）是一種用于測量和放大微小信號的電路。與單端放大器相比，儀表放大器
2023-11-09 10:08:42437 開關(guān)電容電源變換器，相比較傳統(tǒng)的電感式變換器，有哪些優(yōu)點(diǎn)呢？ 開關(guān)電容電源變換器與傳統(tǒng)的電感式變換器相比，具有以下幾個(gè)優(yōu)點(diǎn)： 1. 尺寸更?。洪_關(guān)電容電源變換器采用的是高頻開關(guān)技術(shù)，使得整個(gè)電源
2023-11-07 10:35:07284 GaN為何物？應(yīng)用于新一代電力電子的GaN相比于傳統(tǒng)的Silicon有何優(yōu)勢？ GaN, 全名氮化鎵（Gallium Nitride），是一種半導(dǎo)體材料，被廣泛用于新一代電力電子設(shè)備中。相比傳統(tǒng)
2023-11-07 10:21:41269 聯(lián)發(fā)科天璣1200雙5G和紫光展銳T820相比較，誰性能更強(qiáng)？
2023-11-03 16:25:19949 
系統(tǒng)的優(yōu)勢 1. 低損耗 相比較于交流系統(tǒng)，直流系統(tǒng)在輸電時(shí)具有更低的能量損耗。原因是直流的電流只在一定的時(shí)間內(nèi)流動(dòng)，不會(huì)像交流電一樣來回振蕩。由于輸電損耗是一種電阻性質(zhì)的損耗，因此直流輸電引發(fā)的能量損耗更少，使得
2023-10-30 09:47:051087 RTOS相比裸機(jī)有什么優(yōu)點(diǎn)？RTOS相比裸機(jī)更方便嗎？ RTOS代表實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)，專門為需要高可靠性和可預(yù)測性的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。相比之下，裸金屬或“裸”系統(tǒng)的硬件或軟件層最少，嚴(yán)重依賴開發(fā)人員的代碼來處
2023-10-29 16:33:12873 pwm相比dac的優(yōu)勢有么？
2023-10-28 07:49:58
我們再從對可綜合代碼的支持角度看看SystemVerilog相比于Verilog的優(yōu)勢。針對硬件設(shè)計(jì)，SystemVerilog引入了三種進(jìn)程always_ff，always_comb
2023-10-26 10:05:09289 
SPWM調(diào)制技術(shù)相比較SVPWM，省略了扇區(qū)判斷，矢量合成等步驟，相對來說更加簡單
2023-10-25 14:24:01709 
PSRAM/SRAM與XMC硬件連接的推薦方法描述了在AT32系列100引腳封裝芯片上以XMC連接PSRAM的硬件推薦方法，達(dá)到器件容易取得及價(jià)格合理的目標(biāo)。
2023-10-24 06:17:32
CC3200和esp8266相比性能有優(yōu)勢么？
2023-10-23 08:08:40
LLC諧振變換器與傳統(tǒng)諧振變換器相比有哪些優(yōu)勢？ LLC諧振變換器（LLC resonant converter）是一種高效的電力電子轉(zhuǎn)換器，占據(jù)了現(xiàn)在市場上大部分綠色電源的位置。相比傳統(tǒng)的諧振
2023-10-22 12:52:141064 如何修改AT32的SRAM空間大小如何修改SRAM大小？
2023-10-20 07:39:21
si522優(yōu)勢點(diǎn)：
相比于rc522 si522完全替換，不需要做任何更改，同時(shí)接收模式下功耗低10ma左右，si522為16MA。
相比于rc522 si522增加ACD模式，低功耗自動(dòng)尋卡模式
2023-10-08 09:28:53
如何提高SRAM的讀取速度
2023-09-28 06:28:57
使用MM32F3270 FSMC驅(qū)動(dòng)SRAM
2023-09-18 16:29:50918 
頻率可達(dá)216MHz/2(fCLK = HCLK /2)? 支持的存儲(chǔ)器類型? 靜態(tài)存儲(chǔ)支持? SRAM? PSRAM? NOR/ONENAND? ROM? LCD接口? 支持8080和6800模式
2023-09-11 06:58:26
本文介紹在使用 STM32U5 的 HexaSPI(HSPI)總線連接 PSRAM 外設(shè)時(shí),做 PCB 布線上需要注意的一些技術(shù)要求。
2023-09-07 08:20:04
本篇博文使用ESP32-S3搭建網(wǎng)絡(luò)攝像頭，相比較局域網(wǎng)攝像頭，本篇博文將分享如何搭建外網(wǎng)可以訪問的網(wǎng)絡(luò)攝像頭。
2023-09-06 12:48:552543 
SOLIDWORKS是一款廣泛應(yīng)用于工業(yè)設(shè)計(jì)領(lǐng)域的三維計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)（CAD）軟件。它具有許多優(yōu)勢，使其在與其他工業(yè)設(shè)計(jì)軟件相比時(shí)脫穎而出。眾聯(lián)億誠將介紹SOLIDWORKS的優(yōu)勢，并探討為什么它成為眾多工程師和設(shè)計(jì)師喜愛的工具。
2023-08-29 16:58:59430 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《光纖通道與iSCSI相比在支持企業(yè)工作負(fù)載的全閃存存儲(chǔ)陣列方面性能優(yōu)勢.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-08-28 16:44:06
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應(yīng)用: EBI SRAM 上的高空空間
BSP 版本: NUC472/NUC442系列BSP CMSIS v3.03.000
硬件: nuvoton 核 NUC472 演示委員會(huì)V1.0
2023-08-23 06:35:44
請問MCU200T上的PSRAM怎么用，有現(xiàn)成的控制模塊嗎
2023-08-16 07:08:29
QSPI0可以映射到512Mb（0x2000_0000開始）地址空間直接訪問，其他QSPI是怎樣映射的？不是很清楚8M的psram對應(yīng)的地址空間是什么
2023-08-16 06:43:18
讓一顆SRAM型FPGA在太空長期穩(wěn)定運(yùn)行的難度，就類似練成獨(dú)孤九劍的難度。
2023-08-15 10:36:081898 
SRAM型FPGA屬于核心元器件，因此對SRAM型FPGA進(jìn)行抗輻照加固設(shè)計(jì)非常必要。今天貧道主要給大家布道一下SRAM型FPGA在軌會(huì)遇到的問題及其影響。
2023-08-11 10:32:461086 
SRAM型FPGA屬于核心元器件，因此對SRAM型FPGA進(jìn)行抗輻照加固設(shè)計(jì)非常必要。今天貧道主要給大家布道一下SRAM型FPGA在軌會(huì)遇到的問題及其影響。
2023-08-11 10:30:451264 
采用一個(gè)方形、單面、水平具有阻焊層的銅箔散熱層與一個(gè)有黑色油性涂料覆蓋的散熱銅箔，并采用1.3米/秒的空氣散熱的方案相比較，后者的散熱效果。
2023-08-09 14:27:08318 比較器分為同相比較器和反相比較器。
2023-08-08 15:36:383452 
寬帶隙半導(dǎo)體使許多以前使用硅（Si）無法實(shí)現(xiàn)的高功率應(yīng)用成為可能。本博客比較了兩種材料的特性，并說明了為什么碳化硅二極管（SiC）在多個(gè)指標(biāo)上具有明顯的優(yōu)勢。
2023-08-04 11:04:17483 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《STM32U5 HexaSPI總線到PSRAM的PCB布線規(guī)則.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-08-01 09:06:330 本次操作的SRAM的型號是IS62WV51216，是高速，8M位靜態(tài)SRAM。它采用ISSI（Intergrated Silicon Solution, Inc）公司的高性能CMOS技術(shù)，按照512K個(gè)字（16）位進(jìn)行組織存儲(chǔ)單元。
2023-07-22 14:58:561092 
FSMC稱為靈活的靜態(tài)存儲(chǔ)器，它能夠與同步或異步存儲(chǔ)器和16位PC存儲(chǔ)器卡連接，STM32F4的FSMC接口支持包括SRAM、NAND FLASH、NOR FLASH和PSRAM等存儲(chǔ)器。
2023-07-22 14:46:531961 
在保護(hù)套上面電纜目前分為鎧裝和非鎧裝兩大類，那鎧裝電纜跟非鎧裝電纜相比有什么區(qū)別?又有哪些優(yōu)勢?科蘭綜合布線小編將圍繞這些問題進(jìn)行如下分析。 鎧裝電纜跟非鎧裝電纜相比有什么區(qū)別? 鎧裝電纜
2023-07-10 10:29:01870 英尚微提供的串行PSRAM存儲(chǔ)器件，該器件有SPI,QPI接口，支持單片機(jī)SPI,QPI接口，該RAM可配置為1位輸入和輸出獨(dú)立接口或4位I/O通用接口。所有必要的刷新操作都由設(shè)備本身負(fù)責(zé)。具有封裝小，容量大，成本低的優(yōu)勢。該產(chǎn)品是低成本低功耗高容量的ram資源外擴(kuò)的存儲(chǔ)解決方案。
2023-07-07 17:08:14629 IP_數(shù)據(jù)表(M-1):SRAM and TCAM
2023-07-06 20:12:090 在電子測試領(lǐng)域中，無源探頭和有源探頭是兩種常見的工具，用于測量電路中的各種參數(shù)。本文將重點(diǎn)討論與無源探頭相比，有源探頭在負(fù)載電容方面的優(yōu)勢和應(yīng)用。
2023-07-06 13:58:47264 完成高磁通密度，并能選用緊封裝來完成高功率密度。而慣例改換變壓器是無法和它相比較的。150W的平板變壓器模塊，它的體積為5.38(長)×1.60(寬)×1.17(高)立方厘米。五、平板變壓器技術(shù)能
2023-06-09 11:40:02
PSRAM的時(shí)序比較簡單,主要根據(jù)各個(gè)時(shí)序圖理解每個(gè)時(shí)序階段,及其參數(shù)。重點(diǎn)要理解DQS/DM是誰驅(qū)動(dòng)的,代表什么意思, 數(shù)據(jù)采樣的時(shí)間即DQS上升沿延遲數(shù)據(jù)建立時(shí)間之后采樣。
2023-06-08 11:30:5519840 
以上分享了PSRAM接口一些關(guān)鍵的知識點(diǎn)，大部分是容易理解錯(cuò)誤，且導(dǎo)致問題的點(diǎn)，基本上理解這些點(diǎn)就能解決大部分問題了，作為入門參考也可以先看這篇，先有個(gè)大概了解。作為遇到問題不知如何解決時(shí)也可以參考這篇文章，基本上能解決大部分問題。
2023-06-08 11:25:043795 
SRAM（Static RAM）不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)？其中的“刷新電路”什么意思？謝謝~
2023-05-10 14:56:06
_ADDR;
for (i = 0; i < EXT_SRAM_SIZE / 4; i++) {
*pSRAM = ~*pSRAM;
pSRAM++;
}
/* 再次比較SRAM的數(shù)據(jù) */
err
2023-05-08 20:01:14
我們正在使用 iMXRT1176。我們的要求是使用片上SRAM和QSPI flash。
我們在 SDK 中使用 sd_jpeg 示例并且它運(yùn)行完美。
給出了兩個(gè) icf 文件：
1) 內(nèi)存
2023-05-05 06:38:08
常見的工業(yè)通訊協(xié)議都可以支持，如南向采集協(xié)議PLC協(xié)議（西門子、三菱等）、BACnet、DL/T645、串口透傳；北向協(xié)議BACnet/IP、MQTT、Modbus RTU/TCP、OPC UA。
2023-04-28 16:32:41663 如何使用 QDR(TM) II SRAM 和 DDR II SRAM 用戶手冊
2023-04-27 20:25:406 EMI Serial SRAM是為串行接口的SRAM，外擴(kuò)SRAM可以通過使用SPI的接口來將外部RAM添加到幾乎所有應(yīng)用中。串行訪問的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器采用先進(jìn)的CMOS技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)和制造，以提供高速性能和低功耗。
2023-04-27 17:37:44615 
我正在使用 S32k358 uC，我想禁用內(nèi)存區(qū)域的數(shù)據(jù)緩存。在框圖中，我看到樹形 SRAM 塊 SRAM0、SRAM1、SRAM2。是否可以禁用 SRAM2 的數(shù)據(jù)緩存并保留 SRAM 0 和 SRAM1 的數(shù)據(jù)緩存？
2023-04-23 08:01:09
由此可見，工業(yè)網(wǎng)關(guān)和DTU雖都是專用于工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)環(huán)境的設(shè)備，但DTU只能做數(shù)據(jù)透傳，而智能網(wǎng)關(guān)BL110不僅可以數(shù)據(jù)透傳，還支持?jǐn)?shù)據(jù)采集、協(xié)議轉(zhuǎn)換、將數(shù)據(jù)標(biāo)準(zhǔn)化上云等功能，及支持二次開發(fā)。
2023-04-19 15:25:46687 
等變化影響。獨(dú)有的“微振動(dòng)分析”技術(shù)、“自校準(zhǔn)精度”技術(shù)、“小盲區(qū)”技術(shù)使之能夠可靠應(yīng)對多種液體工況的液位精確測量。與其他原理的幾種液位計(jì)相比較，在測量裝有涉及毒性氣體、液化氣體、劇毒液體的一級或者二級重大危
2023-04-19 14:24:28364 /components/esp_system/port/cpu_start.c:142I (253) cpu_start: App cpu up.I (1172) esp_psram: SPI SRAM
2023-04-13 09:00:47
我有一些 AiThinker Esp32cam 在這里工作。如果將它們與開發(fā)板連接到arduino 控制臺(tái)中的 USB，則會(huì)出現(xiàn)此錯(cuò)誤：E (60) psram：PSRAM ID 讀取錯(cuò)誤
2023-04-12 06:33:56
來源：中國電子報(bào) 近日，國內(nèi)三大封測企業(yè)長電科技、通富微電、天水華天紛紛發(fā)布2022年年報(bào)。相比較于2021年的迅猛增長，三家企業(yè)略顯“疲態(tài)”，而這樣的趨勢或?qū)⒊掷m(xù)到2023年。為此，三家企業(yè)紛紛
2023-04-11 17:45:38603 
8Mb MRAM MR3A16ACMA35采用48引腳BGA封裝。MR3A16ACMA35的優(yōu)點(diǎn)與富士通FRAM相比，升級到Everspin MRAM具有許多優(yōu)勢：?更快的隨機(jī)訪問操作時(shí)間?高可靠性和數(shù)
2023-04-07 16:26:28
SRAM可以分為低速、中速、高速。===========================================================16位寬的SRAM//16BITSRAM指針
2023-04-06 15:13:03554 
你好。QSPI PSRAM芯片作為程序RAM有什么辦法嗎？你有沒有提供驅(qū)動(dòng)程序的例子？由于處理量大，我想將 ram 擴(kuò)展到 32/64Mbytes。感謝幫助。
2023-04-04 06:32:03
前兩期，我們分別對OTP和MTP，RAM和ROM進(jìn)行了比較。這一次，我們來談?wù)凪emory Compiler，以及通過它生成的Register file和SRAM。
2023-03-31 10:56:378516 提到光纖收發(fā)器，人們常常不免會(huì)將光纖收發(fā)器與帶光口的交換機(jī)進(jìn)行比較，下面科蘭布線小編主要談一下光纖收發(fā)器相對于光口交換機(jī)的優(yōu)勢。 光纖收發(fā)器優(yōu)勢： 首先，光纖收發(fā)器加普通交換機(jī)在價(jià)格上遠(yuǎn)遠(yuǎn)比光口交
2023-03-31 10:30:04933 我想知道S32K3xx EMIOS模塊與S32K1xx FTM模塊相比有什么優(yōu)勢？
2023-03-31 09:08:42
今天就帶你詳細(xì)了解一下到底什么是SRAM，在了解SRAM之前，有必要先說明一下RAM：RAM主要的作用就是存儲(chǔ)代碼和數(shù)據(jù)供CPU在需要的時(shí)候調(diào)用。
2023-03-30 14:11:51587 
ESP-12K-PSRAM-IPEX
2023-03-29 16:27:53
親愛的社區(qū)，我有幾個(gè)關(guān)于 SRAM ECC 的問題。1) SRAM 上的ECC 是否默認(rèn)啟用？哪些代碼使 SRAM 上的 ECC 啟用？2) 我試圖從 M7 內(nèi)核啟動(dòng) A53 內(nèi)核，所以我必須
2023-03-27 09:15:16
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工商網(wǎng)監(jiān)
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