20nm能讓我們超越什么？對于像賽靈思（Xilinx）這樣剛剛在28nm上花了巨資量產(chǎn)的公司，為什么又要去追20nm呢？20nm FPGA會帶給我們什么樣的科技進步？20nm FPGA背后到底蘊藏了哪些巨大能量？
2013-01-22 08:36:34
1317 臺積電（TSMC）的高管對即將來臨的20nm芯片生產(chǎn)與銷售信心滿滿，臺積電CEO張忠謀上周就曾做過一個預測，他說最新的20nm工藝芯片2014年的成績會比先前28nm芯片頭兩年賣得還要好。
2013-01-23 08:57:45699 賽靈思公司今天宣布下一代20nm All Programmable器件推出的三大里程碑事件。賽靈思20nm產(chǎn)品系列建立在其業(yè)經(jīng)驗證的28nm突破性技術基礎之上，在系統(tǒng)性能、低功耗和可編程系統(tǒng)集成方面擁有著領先一代的優(yōu)勢。
2013-01-31 15:52:16893 臺積電的20nm芯片生產(chǎn)設施或將與本月20日開始安裝,有可能在今年第2季度末期拿出20nm SoC產(chǎn)品樣品,正常情況下將在2014年進入量產(chǎn)。
2013-04-07 09:41:26910 三星與臺積電工藝之戰(zhàn)從三星跳過20nm工藝而直接開發(fā)14nmFinFET打響，從10nm到如今的7nm之爭，無論誰領先一步，都是半導體工藝的重大突破。 在半導體代工市場上，臺積電一直都以領先的工藝
2017-03-02 01:04:491675 近日，***進一步削減其2013年上網(wǎng)電價補貼，削減幅度為9.23%至11.88%，而同時將其太陽能發(fā)電裝機容量目標提高30%。 據(jù)***媒體報道，***經(jīng)濟部能源局（BureauofEnergy
2012-12-04 19:50:52
，二階段試驗完成。二是進一步加大技術研發(fā)、開放合作、融合創(chuàng)新的力度，在ITU和3GPP的框架下，積極推動形成全球統(tǒng)一的5G標準，與國內(nèi)外產(chǎn)業(yè)界共同推動移動通信產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。
2019-01-13 15:23:13
的傳輸速率，更因簡化了糾錯算法，進而降低了功耗，一舉數(shù)得。進一步凸顯了成本效益。3D NAND FLASH是現(xiàn)在和未來，19nm 的2D NAND FLASH是過去和現(xiàn)在。目前，在車規(guī)的應用中，旺宏有
2020-11-19 09:09:58
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:53 編輯
一步一步教你開發(fā)嵌入式linux應用程序
2012-08-13 16:15:18
及設備用電安全的需要，更進一步提高電源的可靠性，及時發(fā)現(xiàn)供電隱患，提高設備的運行壽命，對電源進行在線管理已經(jīng)成為普遍的需求。針對早期的UPS電源的RS232標準，已經(jīng)無法滿足目前計算機硬件及軟件技...
2021-12-28 08:05:27
進一步理解量子力學經(jīng)典理論與應用 多方面豐富相關圖表為了進一步深入理解量子力學理論經(jīng)典及其應用，從多個方面豐富內(nèi)容，附圖頁碼一致，符合國際標準。聲學，聲波自然現(xiàn)象，以及經(jīng)典原子理論的應用等對理解量子力學經(jīng)典之波的概念有益。大灣區(qū)2020-8-2
2020-08-02 07:05:50
讓我們進一步聆聽大師對量子力學歸屬的現(xiàn)代物理的解說，及其常用圖表iii（待續(xù)3）“現(xiàn)代物理”術語通常指的是二十世紀物理學快速的概念發(fā)展。相對的，在1900年之前艱辛地發(fā)明的所有的物理學都標記
2020-06-28 17:48:16
已經(jīng)在友好的ARM中開發(fā)了android布局，以顯示M24LR內(nèi)存中的溫度和消息。我想知道如何進一步開發(fā)工作應用程序。 是CR95HF DLL文件有幫助嗎。 我們檢查了PC軟件，NFC＆amp; amp;的可用代碼。數(shù)據(jù)記錄器應用程序。#software＃raspberry-pi＃cr95hf
2019-08-22 11:10:49
適合對C語言有一定基礎積累的童鞋 想進一步學習C語言的 可以看哈
2012-09-10 22:26:29
專家：1、這個指標的紋波是否在設計許可的范圍之內(nèi)？在一般情況下，DC-DC電源轉換的紋波在一個什么范圍內(nèi)可以認為是正常的？2、從原理圖上，pcb圖上，這個設計是否還能夠進一步優(yōu)化降低紋波？還請指出。
2014-10-28 15:59:25
你好E4406A有問題----當我啟動時 - 設備按我的意愿啟動自動對齊，但是當它達到adc對齊時它不會更進一步。根本沒有消息。可以用abort終止它，并且分析儀似乎正常工作---- ??我可以用
2018-12-28 16:06:57
我有一個設計，生成一堆以下消息：錯誤：包：1107- 包無法將下面列出的符號組合成單個IOB組件，因為所選的站點類型不兼容。但他們沒有進一步的信息說明哪些符號。我還有一堆尚未連接的符號。是否由于斷開
2018-10-15 11:45:18
SOP位移傳感器防水功能將進一步提高位移傳感器應用的行業(yè)越來越廣，使用的環(huán)境也是各種各樣，SOP位移傳感器有些系列可以適用于潮濕、油污、灰塵等各種惡劣環(huán)境，但是有好些客戶問咱們的位移傳感器防水
2019-08-20 16:40:48
有什么方法可以進一步降低待機模式的功耗
2023-10-12 07:23:28
你好，我有一個小問題。我使用100m時鐘芯片。每個時鐘只有10ns，ad9106寄存器的最小輸出波形只有100Hz。如何將波形頻率設置為進一步降低到10Hz？我已將配置設置為相關寄存器的最大值。拍
2023-12-01 06:12:19
imx_pll1416x_tbl 還報告了額外的時鐘頻率。
是否可以在 opp-table 中引入這些額外的頻率以進一步降低時鐘頻率？
如果是，哪些值應該用于屬性 opp-microvolts、opp-supported-hw、clock-latency-ns？
2023-04-23 11:14:12
借這個機會，申請這塊開發(fā)版，便于日常學習，而且我即將大四了，希望用這塊開發(fā)版能更進一步的學習，一則方便之后的課設，二則便于找工作，三則嵌入式也是自己敢興趣。衷心希望能獲得這次機會，謝謝。項目描述：之前
2015-06-24 17:06:36
【OK210試用體驗】u-boot篇 -- u-boot進一步定制 從u-boot單板的自定義，到SPL的移植，都還沒有完全定制出自己的S5PV210單板信息，還是摻雜著S5PC100
2015-09-07 11:38:52
項目名稱：進一步深入學習紫外線的檢測試用計劃：我以前自己動手做過紫外線的檢測傳感器，可是制作出來的傳感器受干擾十分嚴重，通過光譜分析之后發(fā)現(xiàn)，是因為我所選用的濾光片達不到要求性能。所以一直想找個機會重新學習一下，對紫外線的檢測原理。細致的完成整個系統(tǒng)的分析，進而吸收這個板子所含的學問。謝謝。
2017-04-10 15:41:43
項目名稱：進行進一步學習和研究試用計劃：此前一直從事單片機開發(fā)，想進一步深入學習各種MCU，看到有此活動，特來申請。也為下一步項目無人機攝像頭驅動選擇合適的芯片。
2020-04-23 10:36:17
【單片機開發(fā)300問】怎樣進一步降低功耗功耗，在電池供電的儀器儀表中是一個重要的考慮因素。PIC16C××系列單片機本身的功耗較低（在5V，4MHz振蕩頻率時工作電流小于2mA）。為進一步降低
2011-12-07 13:59:56
今年7月，東南大學有序物質科學研究中心研究團隊發(fā)現(xiàn)了一類新型分子壓電材料，首次在壓電性能上達到了傳統(tǒng)無機壓電材料的水平，這一材料將有望使電子產(chǎn)品體積進一步縮小、彎折衣服就可對手機充電等應用成為可能。那么，壓電材料是什么？新型分子壓電材料是什么樣子的？它具有哪些優(yōu)勢？
2020-08-19 07:58:38
兆易創(chuàng)新推出全國產(chǎn)化24nm SPI NAND Flash
2021-01-07 06:34:47
初學linux，安裝了Ubuntu系統(tǒng)界面，請教該如何進一步快速學習，大家有什么好的初學的資料分享一下，謝謝啦
2015-08-24 18:39:29
初學者除了學好書本上的基本知識外，如何能進一步學習Protel
2017-03-03 09:19:29
替代品的需求日益高漲。那么，首先簡單介紹一下疊層陶瓷電容器的結構。如圖所示，涂有粉狀陶瓷材料的片狀電介質與電極組成重疊交替的結構。為使大家進一步了解結構與靜電電容的關系，使用以下公式來說明。從公式中可以
2018-12-03 14:35:18
各路神仙，我想問下在寫flash擦除命令字 ‘60’之前 。要不要寫使能命令“06”
2020-06-15 06:59:52
（使用FPGA引腳和DAC）任何人都可以給出一些答案如何進一步使用以上兩個文件查看DSO上的輸出 提前感謝你Counter.v 3 KB以上來自于谷歌翻譯以下為原文Hello to all
2019-07-03 08:41:24
各位大俠好，最近公司要求將CC2640R2模塊的功耗進一步縮減，我應公司要求做了一個最簡電路，目前外圍電阻、電位器、LED等繁雜的元件已盡數(shù)砍掉，現(xiàn)在測量出僅中心的綠板CC2640R2模塊待機功耗在
2019-10-21 10:02:32
如何進一步加強對RFID的安全隱私保護？
2021-05-26 06:09:27
時間為9:00到11:00），也可以刷卡打開閘機。閘機配有發(fā)卡器和讀卡器。請問附件中的通訊協(xié)議是屬于TCP/IP協(xié)議嗎？如果方便遠端的計算機控制閘機，是不是要進一步封裝附件中的通訊協(xié)議呢？例如，建立一個
2017-12-08 00:26:24
GN1302 晶振引腳連接 2 個 30pf 電容，每天大約慢 4 秒，如何進一步提高精度?時鐘每天慢 4 秒是因為晶振的外部負載電容過大，即 30pf 電容過大。如果使用的晶振的負載電容參數(shù)為
2022-12-29 17:36:43
一、引言內(nèi)存是嵌入式系統(tǒng)中的關鍵資源，內(nèi)存占用主要是指軟件系統(tǒng)的內(nèi)存使用情況。本篇博客將介紹如何分析內(nèi)存使用以便進行進一步優(yōu)化內(nèi)存占用相關的基礎概念和相關工具。二、內(nèi)存占用內(nèi)存占用是應用程序運行時
2021-12-15 06:05:33
如何讓計算機視覺更進一步接近人類視覺？
2021-06-01 06:27:08
傳感器為震動速度傳感器，待提取信號頻率0.1~200Hz ,幅度幾十uV，原來采用AD620放大，現(xiàn)在希望進一步降低功耗與噪聲，采用什么片子好？
2018-10-25 09:25:24
網(wǎng)絡時間協(xié)議NTP是什么意思？NTP授時的原理是什么？怎樣去進一步提高NTP的授時精度呢？
2021-11-01 07:12:40
、電視手機。這些采用多種RF技 術的手機在提供便利的同時也使得手機的設計變得復雜，如何進一步集成射頻元件也變得至關重要。
2019-08-27 08:33:19
級放大再加給AD7714時，測得人分辨率還要低一些。由于是用干電池得到AD7714的輸入信號，該信號相對來說很穩(wěn)定，而且板上的噪聲也不是太大。請問各位大蝦，還有什么方法可以進一步提高AD7714的分辨率啊？不勝感激！
2023-12-25 06:33:32
IC尺寸微縮仍面臨挑戰(zhàn)。為了使芯片微縮，總是利用光刻技術來推動。然而近期Sematech在一次演講中列舉了可維持摩爾定律的其他一些技術。1. 零低k界面：在目前Intel的45nm設計中，采用硅襯底
2014-01-04 09:52:44
軟件還遠遠不夠。。。它的性能被進一步提升，使用起來比之前任何時候都要簡單。首先，在WEBENCH? Filter Designer登錄頁內(nèi)，你可以輕松進入濾波器設計工具軟件。圖1顯示的是你的第一個濾波器
2018-09-04 14:59:10
英特爾SSD 800P，900P，905P系列的存儲介質都是相變存儲器，我看到英特爾SSD DC P4800X系列只有128Gb 20nm Intel 3D Xpoint相變存儲器。所以我不知道
2018-11-19 14:18:38
C6748通過攝像頭采集的圖像如何進一步處理，比如如何導入到MATLAB里面處理？？
2018-07-25 06:23:56
像我們看到的Xilinx 28nm Virtex 7 28mm或者20nm 的UltraScale啊。nm在FPGA里面具體指什么呢
2018-10-08 17:18:18
如何進一步減小DTC控制系統(tǒng)的轉矩脈動？
2023-10-18 06:53:31
LSI推出新型MegaRAID控制卡和主機總線適配器，進一步擴展6Gb/s SAS產(chǎn)品系列
LSI 公司日前宣布推出新型 MegaRAID 控制卡和主機總線適配器 (HBA)，進一步壯大了業(yè)界最豐富的 6G
2010-01-22 09:05:061068 臺積電又跳過22nm工藝 改而直上20nm
為了在競爭激烈的半導體代工行業(yè)中提供最先進的制造技術，臺積電已經(jīng)決定跳過22nm工藝的研
2010-04-15 09:52:16867 GlobalFoundries日前試產(chǎn)了20nm測試芯片，該芯片采用Cadence，Magma，Mentor Graphics和Synopsys的設計工具。此次試制的測試芯片使用了雙重圖形(Double Patterning)，每家EDA合作伙伴都提供了大量的布局
2011-09-01 09:53:111269 晶圓代工巨擘臺積電（TSMC）日前表示，將在 20nm 節(jié)點提供單一製程，這與該公司過去針對不同製程節(jié)點均提供多種製程服務的策略稍有不同。
2012-04-22 11:09:441076 GlobalFoundries 已開始在紐約的 Fab 8 廠房中安裝硅穿孔（TSV）設備。如果一切順利，該公司希望在2013下半年開始採用 20nm 及 28nm 製程技術製造3D堆疊晶片。
2012-05-01 10:13:121039 GlobalFoundries 公司正在仔細考慮其 20nm 節(jié)點的低功耗和高性能等不同製程技術，而在此同時，多家晶片業(yè)高層也齊聚一堂，共同探討即將在2014年來臨的 3D IC ，以及進一步往 7nm 節(jié)點發(fā)
2012-05-06 11:06:351253 據(jù)臺灣媒體報道，臺積電（TSMC）預計會在下月試產(chǎn)20nm芯片制程，即將成為全球首家進入20nm技術的半導體公司。若該芯片試產(chǎn)成功，將超越英特爾（Intel）的22nm制程，拉開與三星電子（
2012-07-18 09:44:33840 8月14日消息，ARM和芯片工廠Globalfoundries日前宣布，雙方將聯(lián)手研發(fā)20nm工藝節(jié)點和FinFET技術。 ARM之前和臺積電進行了緊密合作，在最近發(fā)布了若干使用臺積電28nm工藝節(jié)點制作的硬宏處理
2012-08-14 08:48:11636 臺積電積極開發(fā)20nm制程，花旗環(huán)球證券指出，在技術領先優(yōu)勢下，未來1~2年內(nèi)有機會獨吞蘋果（Apple）A7處理器訂單。野村證券評估，臺積電明年第1季開始試產(chǎn)A7，順利的話，后年上半
2012-09-28 09:40:061048 近期，Altera發(fā)布其下一代20nm產(chǎn)品中規(guī)劃的幾項關鍵創(chuàng)新技術，延續(xù)在硅片融合上的承諾，克服了20nm設計五大挑戰(zhàn)，實現(xiàn)了系統(tǒng)集成、串行帶寬、DSP性能三大突破。
2012-10-16 11:29:101077 電子發(fā)燒友網(wǎng)訊：關于摩爾定律的經(jīng)濟活力問題，有很多的討論。在過去的一年中，20nm節(jié)點進入到這個辯論的前沿和中心。無論說辭如何，包括賽靈思在內(nèi)的行業(yè)領導在20nm研發(fā)上的積極
2012-11-14 11:19:521196 據(jù)《韓國日報》報道，NVIDIA在新制造工藝上已經(jīng)選中了臺積電的20nm，雙方的長期合作將繼續(xù)深入下去，而這也意味著，NVIDIA代號麥克斯韋（Maxwell）的下代GPU仍將出自臺積電之手。
2012-12-07 17:00:14839 Xilinx公布其在20nm產(chǎn)品的表現(xiàn)上還將保持領先一代的優(yōu)勢，究竟在20 nm制程上，Xilinx的產(chǎn)品有哪些演進使其保持領先競爭對手一代的優(yōu)勢？詳見本文
2013-01-10 09:33:43961 賽靈思公司今天宣布，延續(xù)28nm工藝一系列行業(yè)創(chuàng)新，在20nm工藝節(jié)點再次推出兩大行業(yè)第一：投片半導體行業(yè)首款20nm器件，也是可編程邏輯器件(PLD)行業(yè)首款20nm All
2013-07-09 20:01:503807 20nm會延續(xù)摩爾定律在集成上發(fā)展趨勢，但是要付出成本代價。2.5D封裝技術的發(fā)展，進一步提高了集成度，但是也增大了成本，部分解決了DRAM總線電源和帶寬問題，在一個封裝中集成了種類更多的IC。隨著系統(tǒng)性能的提高，這一節(jié)點也增加了體系結構的復雜度。目前為止，它也是功耗管理最復雜的節(jié)點。
2017-09-15 09:54:30
10 4.4 實驗內(nèi)容使用JTAG燒寫Nand Flash 1．實驗目的 通過使用JTAG燒寫Flash的實驗，了解嵌入式硬件環(huán)境，熟悉JTAG的使用，為今后的進一步學習打下良好的基礎。本書
2017-10-18 17:03:486 在28nm技術突破的基礎上，賽靈思又宣布推出基于20nm節(jié)點的兩款業(yè)界首創(chuàng)產(chǎn)品。賽靈思是首家推出20nm商用芯片產(chǎn)品的公司。此外，該新型器件也是賽靈思將向市場推出的首款采用UltraScale技術
2018-01-12 05:49:45706 耐高溫聚合物電介質材料以其優(yōu)良的耐高溫穩(wěn)定性、優(yōu)異的介電性能以及良好的耐環(huán)境穩(wěn)定性等在電工絕緣領域中具有廣闊的應用前景。系統(tǒng)綜述了國內(nèi)外近年來在耐高溫聚合物電介質材料基礎與應用領域的最新研究進展
2018-01-15 11:31:350 隨著NAND Flash產(chǎn)能開出，市場價格持續(xù)松動，刺激市場搭載SSD的需求大增，業(yè)者認為，2018年下半NAND Flash價格將一路走跌，將促使SSD與HDD價差進一步收斂，目前SSD價差逐步
2018-06-28 07:18:00597 據(jù)調研機構IC Insights 周二(10 日) 最新研報指出，預計全球主要NAND 供應商將大幅擴大資本支出，來拉高產(chǎn)能，估計今年的NAND 記憶體價格將進一步走跌。
2018-07-13 15:04:363502 
賽靈思公司（Xilinx）今天宣布Kintex UltraScale KU115 FPGA器件正式出貨，從而使得其進一步擴展了其20 nm產(chǎn)品陣容。作為Kintex UltraScale系列的旗艦
2018-09-07 15:08:007603 據(jù)外媒報道，兩名知情人士透露，中國電動車初創(chuàng)公司威馬汽車（WM Motor）旨在最新一輪融資中籌集至少20億元（2．88億美元）資金，以推動公司進一步發(fā)展。此舉也使得這家成立不到4年的公司估值超過200億元人民幣。
2018-10-26 18:04:20916 美國愛達荷州博伊西，2018 年 11 月 07 日——美光科技有限公司（納斯達克代碼：MU）今天宣布旗下 QLC（四級單元）NAND 技術提升市場領導地位的進一步舉措——其廣受歡迎的美光 5210
2018-11-12 17:48:301154 一小段上升期。隨著5G通信和AI技術的發(fā)展，數(shù)據(jù)中心將繼續(xù)增長。2020年中國新增數(shù)據(jù)中心市場容量將占全球新增量的50%左右。 2020年更多創(chuàng)新技術及成熟技術將在數(shù)據(jù)中心中被廣泛采用。服務器芯片NAND FLASH也出現(xiàn)供不應求現(xiàn)象。5G通信和人工智能的發(fā)展，數(shù)據(jù)中心將進一步
2020-03-25 16:12:05854 
在20nm以下制程，該公司也將沿用此一發(fā)展策略，持續(xù)加強與IC設計公司合作，進一步提高生產(chǎn)效率與降低投資風險。
2020-09-08 14:11:272024 晶體管是器件中提供開關功能的關鍵組件。幾十年來，基于平面晶體管的芯片一直暢銷不衰。走到20nm時，平面晶體管開始出現(xiàn)疲態(tài)。為此，英特爾在2011年推出了22nm的FinFET，之后晶圓廠在16nm/14nm予以跟進。
2021-03-22 11:35:242075 【轉載】更進一步的了解Keil Flash的下載算法
2021-11-26 16:36:111 使用FlashMemory作為存儲介質。 根據(jù)硬件上存儲原理的不同，Flash Memory主要可以分為NOR Flash和NAND FLASH兩類。主要的差異如下所示： NAND FLASH讀取速度
2022-01-25 17:25:1259808 
在20nm 工藝節(jié)點之后，傳統(tǒng)的平面浮柵 NAND 閃速存儲器因受到鄰近浮柵 -浮柵的耦合電容干擾而達到了微縮的極限。為了實現(xiàn)更高的存儲容量，NAND集成工藝開始向三維堆疊方向發(fā)展。在三維NAND
2023-02-03 09:16:578266 UltraScale是基于20nm工藝制程的FPGA，而UltraScale+則是基于16nm工藝制程的FPGA。
2023-03-09 14:12:544129 一、電介質的損耗 介質損耗是指絕緣材料在電場作用下，由于介質電導和介質極化的滯后效應，在其內(nèi)部引起的能量損耗。介質損耗也叫介質損失，簡稱介損。表征某種絕緣材料的介質損耗，一般不用W或J等單位來表示
2023-09-24 16:08:312299 一、電介質的電導 電介質的電導可分為離子電導和電子電導，離子電導以離子為載流體，電子電導以自由電子為載流體。 1、離子電導 實際工程上所用的電介質多少含有一些雜質離子，這些離子與電介質分子聯(lián)系非常
2023-09-26 16:47:53809
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