從2016年開始，一路飆升的存儲價格正在侵蝕整機廠商的銷售利潤。不管是DRAM還是NAND FLASH，一年多的是時間里，幾乎每個季度價格都在創新高。以金士頓駭客神條8GB DDR4 2400內存為例，在2016年11月時價格僅為339元，僅時隔一年，價格竟漲到了969元。據估計，此種價格漲勢將持續至2018年第一季度。

憑借此次內存漲價潮，三星電子一躍成為2017年全球經營利潤最高的公司，第四季度的營業利潤預計將首次突破約合人民幣600億元，同比增加179%；韓國海力士第三季度的基本盈利達到約合人民幣218.1億元，同比大增415%；美國美光科技第四季度營收為61.4億美元，比去年同期高91%，并且超出華爾街59.6億美元的預期。在廣大整機廠商為漲價而痛苦不堪時，存儲器廠商卻迎來了難得的春天。

市場：供不應求是推動內存漲價的根本原因

談到內存漲價，有人認為是巨頭壟斷所致，也有人認為是經銷商在惡意囤貨。但筆者則認為，存儲器生產速度滿足不了新的市場需求才是推動內存價格持續上漲的真正原因。回顧存儲產業發展，十年前，內存主要應用在PC和服務器上，但由于這兩大市場的銷售量增長平穩，廠商能通過對市場的預測保持供需之間的平衡，使得內存價格保持穩定，甚至隨著技術的進步會有下降。因此長期以來，內存在PC和服務器設備購置清單上一直扮演著“白菜黨”的角色。

但近年來，隨著移動終端、云計算、人工智能、物聯網、大數據等新技術逐漸發展成熟，大量的應用開始落地，使得市場出現很多新的產品購買需求。用戶需求速度更快、性能更高的存儲器產品，如固態硬盤、閃存等。統計顯示，僅2016年中國智能手機生產量就達到15億部，而64G和128G內存已成標配。與此同時，大規模云平臺和新一代數據中心的部署也進一步推動了對高性能存儲器產品的需求。在PC市場，越來越多的人期望用SSD替代HDD以提高整機性能。

據IC Insights預測，2017年全球DRAM市場規模將增長75%達到 720 億美元；NAND Flash全球市場將增長了44%達到 498 億美元。存儲器在2020年全球市場規模將達1000億美元。

一般而言，存儲工廠從建廠到投產一般都需要1到2年時間。如果短期內市場出現變化，對高性能存儲器產品需求量太大，就會出現供不應求的現象，從而推動存儲器價格的快速增長。從2016年開始，存儲器廠商開始將產能轉向3D NAND這種新型的閃存上，降低了對DRAM和2D NAND 生產計劃，而3D NAND產品的良率又非常低，結果導致幾乎全系列存儲產品的缺貨。

挑戰：上漲的存儲成本蠶食國內電子產業利潤

目前，中國是全球最大的集成電路需求市場。數據顯示，2016中國集成電路市場規模達到11985.9億元，其中存儲器市場規模為2843億元，占據全球54.1%的份額。存儲器作為應用最廣泛的半導體核心器件，是集成電路的支柱產品之一。然而不得不接受的現狀是，時至今日中國的存儲器產品仍然嚴重依賴進口。

目前，在全球半導體存儲器產業中，韓國三星、海力士和美國鎂光科技三家占據DRAM市場93%的份額，中國份額為零；閃存市場被三星、海力士、東芝、閃迪、美光和英特爾六家瓜分，中國份額仍然為零；只有中國兆易創新2016年在Nor Flash芯片占到7%市場份額。據統計，2013到2016年，中國半導體存儲器進口量在四年間增長了47.5%，進口金額從461.7億美元增長到681.3億美元，預計2017 年將突破 700 億美元。半導體存儲器產業的控權權仍然掌握在國外少數企業手中。

此次內存漲價，不斷極大的蠶食了電子整機企業的利潤，而且對產業的發展也帶來影響。以手機行業為例，小米、華為作為國內最大的手機生產商之一，從2016年開始，存儲器采購成本大幅增加，利潤被嚴重壓縮。面對內存漲價的不利局面，既要能夠拿到貨，又要維持基本利潤，不得不調高手機價格，結果漲價的成本又轉移到了消費者身上。內存漲價對本來就萎靡不振的PC市場來說更是雪上加霜。許多消費者表示由于內存漲價太厲害，不得不暫時放棄大內存配備；部分裝機店主表示，受到內存漲價影響，電腦裝機量下降20%，其中來自網吧的訂單至少下降50%。內存漲價的結果最后還是由中國電子產業鏈上的企業、經銷商和消費共同買了單。

中國科學院微電子研究所所長葉甜春在國際集成電路產業發展高峰論壇上呼吁：“未來3０年，如果中們不解決存儲芯片自己制造的問題，所謂的信息化時代會失去一個非常重要的依托和基礎。”

政府：積極引導國產存儲器產業發展

存儲器對中國信息產業發展至關重要。發展國產存儲器不僅可以滿足國內巨大需求市場，帶動整個集成電路產業鏈的良性發展，還可以徹底改變存儲器受制于人的不利局面，也是在半導體產業發展方面趕超發達國家的有效途徑。

黨和國家領導人對集成電路產業的發展高度重視，將其提升至國家戰略高度。習近平***指示，集中國家優勢力量和資源，盡快在集成電路、核心電子元器件、基礎軟件等核心關鍵技術領域實現突破。

各地方政府通過設立大規模的投資基金，支持存儲產業。截至2017年上半年，地方政府設立的集成電路投資基金規模已超過3000億元。2016-2017年之間，全球確定新建的19座晶圓廠有10家位于中國大陸。今年10月，國家發展改革委、工信部聯合下達2017年集成電路重大專項投資計劃，福建晉華DRAM存儲器項目獲批2億元，廈門三安通訊微電子器件項目獲批0.5億元。總規模300億元的安徽省集成電路產業投資基金于18日正式設立。安徽省計劃到2020年，建設3條12英寸晶圓生產線和3條以上8英寸特色晶圓生產線，綜合產能超20萬片／月，產值達到500億元。

存儲企業積極產業布局，重點技術創新與突破。紫光國芯600億元人民幣定增資金用于Flash Memory的投資建設，武漢新芯擬投資240億美元打造國內集成電路存儲器產業基地，以及一期投資額370億人民幣的福建省晉華存儲器集成電路生產線項目。另外在武漢，今年３月下旬，總投資約１６００億元人民幣的存儲器基地項目在東湖高新區正式啟動，計劃到２０２０年實現月產能３０萬片晶圓的生產規模。以此測算，這三家企業在存儲器芯片方面的投資總額將超過２55０億人民幣。

同時，各個存儲廠商對未來產能進行預測，在未來三年內用上國產存儲芯片將指日可待。

長江存儲在今年12月研發出了32層64G的完全自主知識產權的3D NAND芯片，2018將實現量產，預計到 2020 年達到月產30萬片的規模。

合肥長鑫投資72億美元興建12寸晶圓廠以發展DRAM產品，預計在2018年實現量產，最大月產將高達12.5萬片規模。

福建晉華的 12 寸DRAM生產線已 于 今年11 月封頂，1 期總計將投入 53 億美元，預計 2018 年第 3 季正式導入32納米制程的12寸晶圓月產能，預計達到 6 萬片的規模。

企業：存儲器國產化將是曠日持久戰

國外存儲巨頭不論是在性能還產性能上都遠遠超過中國企業。據韓國專家估計，中國存儲器芯片的技術力與韓國仍有10~15年的差距。今年，三星、海力士仍然在不斷擴產，5月，三星在韓國華城工廠投資27億美元增設DRAM產線；8月，三星宣布未來三年投資70億美元，在中國最大的西安工廠擴充NAND Flash產能；11月，SK海力士與無錫市政府簽約，計劃投資86億美元擴充DRAM產能，估計新廠房每月產能為20萬片，制程技術鎖定以10納米。存儲器芯片面臨高技術壁壘和激烈的全球化競爭，之前就有許多涉足存儲器芯片領域的廠商最后被“自殺式反周期法則”逼迫退出市場的先例。

盡管擁有巨大內需市場支撐，但中國存儲行業起步較晚，技術薄弱，想從牢牢占據90%以上份額的三巨頭手中爭奪市場，這是注定是一場沒有硝煙的“戰爭”，難度之大可想而知。中國存儲企業在規模上不能盲目跟風擴產，應結合自身市場特點，布局整體產業發展，避免與國外強手正面競爭和沖突；重視新產品研發創新，重點突破關鍵核心技術領域；同時做好心理和資金的準備，打一場從無到有、從弱到強的曠日持久戰。相信在未來5到10年內，在中國的存儲企業中，一定會出現像第二個“京東方”，再創行業輝煌。