3,LPDDR4和LPDDR4X。數(shù)字越大,數(shù)據(jù)處理速度越快。 12GB LPDDR4X移動(dòng)DRAM搭載六顆第二代10納米(1y)16千兆位(Gb)芯片。
2019-03-15 14:55:39
5163 8Gb DDR4生產(chǎn)率提高20%以上,下半年量產(chǎn) 據(jù)筆者此前獲悉,在今年3月,三星開(kāi)始大規(guī)模量產(chǎn)12GB 低功耗雙倍數(shù)率的LPDDR4X后,三星又宣布首次開(kāi)發(fā)出第三代10nm級(jí)1z nm 8Gb雙倍
2019-10-22 10:41:21
4639 8月21日,臺(tái)積電在其官方博客上宣布,自2018年開(kāi)始量產(chǎn)的7nm工藝,其所生產(chǎn)的芯片已經(jīng)超過(guò)10億顆。此外,臺(tái)積電官網(wǎng)還披露了一個(gè)消息,其6nm工藝制程于8月20日開(kāi)始量產(chǎn)。 先看7nm
2020-08-23 08:23:00
5212 Samsung 5 日宣佈正式量產(chǎn)全球首款採(cǎi)用 10nm 制程生產(chǎn)的 DDR4 DRAM 顆粒,加快半導(dǎo)體市場(chǎng)邁向更精密的 10nm 制程工藝之路,繼 2014 年首個(gè)量產(chǎn) 20nm 制程 DDR3 記憶體顆粒,成為業(yè)界領(lǐng)先。
2016-04-06 09:04:56
673 三星本周宣布,將定于今年晚些時(shí)候投產(chǎn)第二代10nm芯片生產(chǎn)工藝。目前,三星已經(jīng)在美國(guó)硅谷開(kāi)始向多個(gè)半導(dǎo)體公司推廣自家的14nm工藝。臺(tái)積電計(jì)劃在2017年上半年試產(chǎn)7nm工藝,目前有超過(guò)20家客戶(hù)正在洽談7nm工藝代工事宜。
2016-04-22 09:40:41
490 今日,三星電子正式宣布已經(jīng)開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)基于10nm FinFET技術(shù)的SoC,這是業(yè)界內(nèi)首家提供10nm工藝代工廠商。新工藝下的SoC性能可以提供27%,功耗將降低40%。
2016-10-17 14:07:01
873 據(jù)三星官網(wǎng)新聞,韓國(guó)巨頭宣布推出業(yè)界首款8GB LPDDR4 DRAM成片。此次的8GB LPDDR4內(nèi)存芯片采用16Gb顆粒,10nm級(jí)(10nm~20nm之間)工藝制造,可實(shí)現(xiàn)與20nm級(jí)4GB
2016-10-20 10:55:48
1662 三星今日宣布,其位于韓國(guó)平澤的第二條生產(chǎn)線已開(kāi)始量產(chǎn)業(yè)界首款采用極紫外光(EUV)技術(shù)的16Gb LPDDR5移動(dòng)DRAM。新的16Gb LPDDR5基于三星第三代10nm級(jí)(1z)工藝打造,擁有當(dāng)下最高的移動(dòng)產(chǎn)品內(nèi)置內(nèi)存性能和最大的容量。
2020-08-31 10:24:54
2782 的RAM將不會(huì)滿(mǎn)足所需,宏旺半導(dǎo)體ICMAX LPDDR4X 8GB滿(mǎn)足5G時(shí)代手機(jī)、平板和超薄筆記本對(duì)運(yùn)行內(nèi)存的要求, 大容量國(guó)內(nèi)行業(yè)領(lǐng)先單顆8GB,可提供每秒34.1GB的數(shù)據(jù)傳輸速率,同時(shí)最大
2019-08-17 10:10:01
集成更多的晶體管,制程工藝也就越先進(jìn)。而要讓制程變得更先進(jìn),代價(jià)非常大,畢竟到納米級(jí)別的晶體管,每精細(xì)一點(diǎn)點(diǎn),需要的投入呈幾何倍增長(zhǎng)。當(dāng)達(dá)到10nm級(jí)別的制程時(shí),越往下研究,難度越大,門(mén)檻越高,投入也
2019-12-10 14:38:41
LPDDR4、LPDDR3與LPDDR4X分別是什么?LPDDR4與LPDDR3區(qū)別是什么?LPDDR4X與LPDDR4區(qū)別是什么?
2021-06-18 07:59:30
LPDDR4X與LPDDR4的區(qū)別到底在哪里?LPDDR4X在LPDDR4的基礎(chǔ)上有哪些提升?
2021-06-18 09:07:43
手機(jī)參數(shù)為什么都是8GB+128GB?手機(jī)的這些參數(shù)是越大越好嗎?這些數(shù)字代表什么?LPDDR4X是什么?UFS2.1又是什么?LPDDR4X與UFS2.1有什么差別?
2021-06-18 07:54:29
LPDDR5和LPDDR4X有什么區(qū)別?
2021-06-18 07:01:11
LPDDR5代表著什么意思?LPDDR4X又代表著什么意思?LPDDR5和LPDDR4X的區(qū)別在哪里?
2021-06-18 07:07:26
三星宣布將開(kāi)發(fā)手持式裝置用的RFID(radio frequency identification)讀取芯片,能讓使用者透過(guò)手機(jī)得知產(chǎn)品和服務(wù)信息,但三星并未透露產(chǎn)品何時(shí)上市。 三星指出,RFID
2019-07-04 07:26:16
三星電子近日在國(guó)際學(xué)會(huì)“IEDM 2015”上就20nm工藝的DRAM開(kāi)發(fā)發(fā)表了演講。演講中稱(chēng),三星此次試制出了20nm工藝的DRAM,并表示可以“采用同樣的方法,達(dá)到10nm工藝”。 國(guó)際電子器件
2015-12-14 13:45:01
的商機(jī)仍然暢旺,在供給端僅有三星、SK海力士、美光,加上新技術(shù)量產(chǎn)困難,在這些現(xiàn)實(shí)下,2019年對(duì)存儲(chǔ)器廠商而言仍會(huì)是個(gè)豐收的年度。如果要考慮供過(guò)于求的變量,可能是第二代10nm等級(jí)的DRAM技術(shù)
2018-12-25 14:31:36
Nextel Corp.都有出售?! ankil Yoon說(shuō),三星預(yù)計(jì)Galaxy Tab明年的銷(xiāo)量能達(dá)到1000萬(wàn)臺(tái),占領(lǐng)全球三分之一的平板電腦市場(chǎng)。三星正在研發(fā)10英寸或6英寸屏幕的平板電腦
2011-03-03 16:37:52
手機(jī)進(jìn)水了怎么辦?三星手機(jī)
2013-05-13 17:34:01
。 日前,龍芯電子反向研究中心在Intel第二代高性能計(jì)算產(chǎn)品Knights Landing Xeon Phi上的芯片解密進(jìn)程已經(jīng)開(kāi)始全面啟動(dòng),或在不久的將來(lái)打破美國(guó)***的禁售,徹底擁有二代產(chǎn)品
2015-11-30 14:54:14
`Raspberry Pi基金會(huì)今天發(fā)布第二代樹(shù)莓派—— Raspberry Pi ,樹(shù)莓派2外形看起來(lái)跟樹(shù)莓派B+一樣一樣的,配置主要就是升級(jí)了CPU (900M4核ARM v7)和內(nèi)存(1G
2015-02-02 21:56:26
景以期及早檢測(cè)疾病,避免其發(fā)展到晚期,盡量降低疾病對(duì)身體的不利影響或損害。 傳感器成就 ADI 第二代可穿戴設(shè)備 第二代可穿戴設(shè)備圍繞兩片堆疊成三明治形狀的 PCB 設(shè)計(jì)而成。主板包含低功耗處理器
2018-09-21 11:46:21
FLIR第二代熱像儀ADK有哪些特點(diǎn)?FLIR第二代熱像儀ADK有哪些功能?
2021-07-11 07:27:39
i.mx8m 加支持 lpddr4 和 lpddr4x
2023-04-21 06:11:49
帶來(lái)的是實(shí)實(shí)在在的續(xù)航提升。需要注意的是,LPDDR4X并非是智能手機(jī)的“專(zhuān)利”,很多超輕薄筆記本和PC平板二合一設(shè)備,也都采用了LPDDR4X規(guī)格的板載內(nèi)存,在節(jié)省空間和降低功耗方面擁有絕對(duì)優(yōu)勢(shì),宏旺半導(dǎo)體
2019-07-04 14:24:29
臺(tái)積電與三星的10nm工藝。智能手機(jī)的普及,大大地改變了現(xiàn)代人們的生活方式,言猶在耳的那句廣告詞——“科技始終來(lái)自于人性”依舊適用,人們對(duì)于智能手機(jī)的要求一直是朝向更好、更快以及更省電的目標(biāo)。就像
2018-06-14 14:25:19
第二代導(dǎo)航衛(wèi)星系統(tǒng)與第一代導(dǎo)航衛(wèi)星系統(tǒng)在體制上的差別主要是:第二代用戶(hù)機(jī)可免發(fā)上行信號(hào),不再依靠中心站電子高程圖處理或由用戶(hù)提供高程信息,而是直接接收衛(wèi)星單程測(cè)距信號(hào)自己定位,系統(tǒng)的用戶(hù)容量不受限制,并可提高用戶(hù)位置隱蔽性。
2019-08-14 07:06:41
,三星進(jìn)一步表示,其正在推進(jìn)其14nm工藝,下一代eMRAM的目標(biāo)是MCU、物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備等應(yīng)用。 方案介紹 基于MCU的LED可控硅調(diào)光電源 方案簡(jiǎn)介 LED驅(qū)動(dòng),可定制恒壓、恒流,MCU智能化
2023-03-21 15:03:00
是深圳市友堅(jiān)恒興科技有限公司基于三星平板方案設(shè)計(jì)的經(jīng)驗(yàn),結(jié)合廣泛調(diào)開(kāi)設(shè)計(jì)的一款S5P4418處理器開(kāi)發(fā)板。該方案基于三星新一代28nm從CortexA9四核CPU的開(kāi)發(fā)平臺(tái)。整合了目前工業(yè)、消費(fèi)、車(chē)載等行業(yè)
2016-07-01 14:04:09
基于第二代“香山”工程化優(yōu)化,對(duì)標(biāo) ARM A76,為工業(yè)控制、汽車(chē)、通信等泛工業(yè)領(lǐng)域提供 CPU IP 核;高性能核則基于第三代“香山”(昆明湖)性能提升,對(duì)標(biāo) ARM N2,為數(shù)據(jù)中心和算力設(shè)施等領(lǐng)域
2023-06-05 11:51:36
據(jù)開(kāi)芯院首席科學(xué)家包云崗介紹,第二代“香山”于2022年6月啟動(dòng)工程優(yōu)化,同年9月研制完畢,計(jì)劃2023年6月流片,性能超過(guò)2018年ARM發(fā)布的Cortex-A76,主頻2GHz@14nm
2023-05-28 08:41:37
`驅(qū)動(dòng)之家[原創(chuàng)] 作者:永輝 編輯:永輝 2011-01-10 11:32:46 31266 人閱讀來(lái)自蘋(píng)果皮520官方論壇的消息,在蘋(píng)果皮520上市之后發(fā)現(xiàn)很多不足之后,蘋(píng)果皮520第二代產(chǎn)品
2011-02-23 10:39:26
求分享USB3.1第二代應(yīng)用的ESD解決方案
2022-01-14 07:35:38
RK3576處理器
RK3576瑞芯微第二代8nm高性能AIOT平臺(tái),它集成了獨(dú)立的6TOPS(Tera Operations Per Second,每秒萬(wàn)億次操作)NPU(神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)處理單元),用于
2024-03-12 13:45:25
白皮書(shū)
第二代ClearClock?三次泛音晶體振蕩器
在這份全新的白皮書(shū)中,我們討論了最新一代超低抖動(dòng)三次泛音晶體振蕩器的特點(diǎn)、優(yōu)勢(shì)、性能和特性,這些振蕩器旨在為各種高速應(yīng)用提供穩(wěn)定準(zhǔn)確的時(shí)鐘信號(hào)
2023-09-13 09:51:52
LPDDR4X、LPDDR5這些究竟指的是什么意思?它們又有什么區(qū)別?相比較于LPDDR4X,LPDDR5有哪些優(yōu)勢(shì)?
2021-06-18 07:17:28
3G定義 3G是英文3rd Generation的縮寫(xiě),至第三代移動(dòng)通信技術(shù)。相對(duì)于第一代模擬制式手機(jī)(1G)和第二代GSM、TDMA等數(shù)字手機(jī)(2G)來(lái)說(shuō),第三代手機(jī)是指將無(wú)線通信與國(guó)際互聯(lián)網(wǎng)等
2019-07-01 07:19:52
小奸商,第一批7nm良率和價(jià)格恐怕難以消化,螃蟹還是讓別人先吃好了。據(jù)外媒Re/code消息,三星半導(dǎo)體高級(jí)主管Kelvin Low表示,將在今年晚些時(shí)候投產(chǎn)10nm級(jí)別制程工藝,性能表現(xiàn)上有10
2017-08-12 15:26:44
TH 除了處理器的變更之外,另一項(xiàng)重要的革新則是關(guān)于屏幕分辨率方面。對(duì)于手機(jī)或是平板設(shè)備而言,屏幕已經(jīng)成為決定用戶(hù)體驗(yàn)的關(guān)鍵因素。Nexus 7二代從之前一代的1280x800分辨率提升至了
2013-08-12 17:22:08
季度開(kāi)始生產(chǎn)。此舉也創(chuàng)下二次擊敗勁敵三星、獨(dú)吃蘋(píng)果處理器大單的新記錄,2017年?duì)I收持續(xù)增長(zhǎng)基本沒(méi)什么問(wèn)題。剛剛失去蘋(píng)果訂單的三星,日前宣布Note6將用上基于10nm工藝的6GB LPDDR4內(nèi)存,并將于今年下半年上市。這樣一來(lái),臺(tái)積電和三星以及蘋(píng)果的性能之爭(zhēng),就轉(zhuǎn)移到Note 6和iPhone 7身上。`
2016-07-21 17:07:54
`日前,三星宣布已開(kāi)始批量生產(chǎn)業(yè)界首款基于12GB LPDDR4X和UFS多芯片封裝的uMCP產(chǎn)品。美光也曾推出了uMCP產(chǎn)品,基于1znm LPDDR4X和UFS多芯片封裝的uMCP4,可提供從
2019-12-25 14:38:44
內(nèi)存相比它的多數(shù)指標(biāo)相同,但是電壓更低,有效降低了內(nèi)存能耗,降幅可達(dá)到40%以上,更節(jié)能省電。 現(xiàn)今LPDDR4X與LPDDR4經(jīng)常同時(shí)出現(xiàn),在購(gòu)買(mǎi)手機(jī)時(shí),二者也容易讓人混淆,宏旺半導(dǎo)體ICMAX
2019-07-03 11:39:09
繼上次外觀曝光設(shè)計(jì)圖曝光后,今天小米第二代手機(jī)又有了新的動(dòng)態(tài),消息稱(chēng)富士康已經(jīng)接到該機(jī)的訂單,并已經(jīng)開(kāi)始了它的量產(chǎn)工作。
2012-05-06 12:02:20
1462 驍龍 820 此前已經(jīng)傳聞將會(huì)由三星代工生產(chǎn),今天三星官方正式確認(rèn)了這個(gè)消息,并且表示大規(guī)模生產(chǎn)使用的是三星最新的第二代 14nm FinFET 工藝。
2016-01-15 17:24:24
1017 日前在深圳召開(kāi)的2016三星移動(dòng)解決方案論壇上,這家韓國(guó)OEM廠商宣布了最新的6GB LPDDR4內(nèi)存。和現(xiàn)有芯片和6GB內(nèi)存芯片最大的區(qū)別在于使用了最新的10nm制造生產(chǎn)工藝,承諾帶來(lái)更快更高效的內(nèi)存。
2016-05-23 15:20:39
1122 近日,三星電子宣布已經(jīng)開(kāi)始采用10nm FinFET工藝量產(chǎn)邏輯芯片,三星也成為了業(yè)內(nèi)首家大規(guī)模采用10納米工藝的廠商。前段時(shí)間,韓國(guó)《電子時(shí)報(bào)》報(bào)道,高通的下一代旗艦處理器高通驍龍830(或835
2016-10-18 14:06:10
1131 三星今天宣布,繼去年10月率先量產(chǎn)10nm工藝移動(dòng)芯片后,日前已經(jīng)完成了第二代10nm的質(zhì)量驗(yàn)證工作,即將量產(chǎn)。
2017-04-22 01:08:12
586 三星今天宣布,繼去年10月率先量產(chǎn)10nm工藝移動(dòng)芯片后,日前已經(jīng)完成了第二代10nm的質(zhì)量驗(yàn)證工作,即將量產(chǎn)。下面就隨網(wǎng)絡(luò)通信小編一起來(lái)了解一下相關(guān)內(nèi)容吧。下面就隨半導(dǎo)體小編一起來(lái)了解一下相關(guān)內(nèi)容吧。
2017-04-23 10:19:41
1547 三星上周四宣布,第二代10納米FinFET制程已經(jīng)開(kāi)發(fā)完成,未來(lái)爭(zhēng)取10納米產(chǎn)品代工訂單將如虎添翼。 三星第一代10納米制程于去年10月領(lǐng)先同業(yè)導(dǎo)入量產(chǎn),目前的三星Exynos 9與高通驍龍835處理器均是以第一代10納米制程生產(chǎn)。
2017-04-25 01:08:11
537 前進(jìn)的步伐還是不會(huì)被徹底推翻的??萍嫉膭?chuàng)新也不會(huì)因此而止步。日前,三星官方正式宣布他們將會(huì)開(kāi)產(chǎn)第二代10nm工藝制程的芯片,三星電子在4月20日正式宣布,他們已經(jīng)完成了第二代10nm制程的驗(yàn)證工作,同時(shí)即將正式量產(chǎn)。
2017-04-25 09:50:22
606 據(jù)韓媒報(bào)道,高通已經(jīng)與三星攜手,合作開(kāi)發(fā)下一代手機(jī)處理器。繼去年10月份三星率先量產(chǎn)第一代10nm LPE(low-power early)工藝處理器后,日前已經(jīng)完成第二代10nm LPP
2017-04-25 10:39:02
764 臺(tái)積電的10nm工藝眼下還處于提升良率中,三星則宣布已推出第二代10nm工藝,這是前者繼14/16nmFinFET工藝敗給后者后再次在10nm工藝上落敗,而且這可能會(huì)影響到它在7nm工藝上再次落后。
2017-04-28 14:28:46
1327 Intel近日在官方推特自曝了10nm的進(jìn)展,首次透露,第二代10nm(代號(hào)Icelake)已經(jīng)流片。
2017-06-14 15:03:27
982 Digitimes發(fā)布消息稱(chēng),英特爾可以按計(jì)劃在今年底首發(fā)10nm處理器,但僅限低功耗移動(dòng)平臺(tái),預(yù)計(jì)是Core m或者后綴U系列的低電壓版本。而就在上周,英特爾剛宣布,第一代基于10nm工藝制程Cannon Lake處理器已經(jīng)完工,同時(shí)第二代10nm處理器Ice Lake也已經(jīng)完成了最終設(shè)計(jì)。
2017-06-15 11:43:44
1317 昨天上午,三星官方發(fā)言,宣稱(chēng)已經(jīng)成功研制開(kāi)發(fā)出全球第一個(gè)10nm 8-gigabit(Gb)LPDDR5 DRAM,并將在2019年批量生產(chǎn)。眾所周知,三星企業(yè)在批量生產(chǎn)8GB LPDDR4內(nèi)存之后,就已經(jīng)開(kāi)始著手投入LPDDR5的研究。
2018-07-19 09:47:00
1303 第二代10nm工藝即LPP(Low Power Plus),比LPE(Low Power Early)的性能提升了10%,功耗降低了15%,首款商用產(chǎn)品將于明年推出。
2017-11-29 17:40:30
728 據(jù)報(bào)道,三星第二代10nm級(jí)別的1y-nm 8Gb DDR4顆粒已經(jīng)正式投產(chǎn)了,8Gb DDR4顆粒采取了先進(jìn)的專(zhuān)用電路設(shè)計(jì)技術(shù),比初代10nm級(jí)別(1x-nm)的高30%,并且高頻內(nèi)存要以3600MHz起步。
2017-12-21 11:42:51
2785 三星被人稱(chēng)為世界最賺錢(qián)的公司之一,三星Q3凈利潤(rùn)高達(dá)98.7億美元。近日三星又公布了第二代10納米級(jí)8Gb DDR4 DRAM芯片的消息,更是讓人羨慕不已。
2017-12-22 15:31:33
1472 據(jù)韓聯(lián)社北京時(shí)間12月20日?qǐng)?bào)道,三星電子今天宣布,已開(kāi)始量產(chǎn)第二代10納米級(jí)制程工藝DRAM內(nèi)存芯片。
2017-12-29 11:15:41
6063 12月20日,三星宣布已開(kāi)始量產(chǎn)第二代10nm級(jí)8Gb DDR4 DRAM,并持續(xù)擴(kuò)大整體10nm級(jí)DRAM的生產(chǎn),有助于滿(mǎn)足全球不斷飆升的DRAM芯片需求,繼續(xù)加強(qiáng)三星市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。
2018-07-31 14:55:25
723 三星宣布成功開(kāi)發(fā)業(yè)界首款10nm級(jí)8Gb LPDDR5 DRAM。自從2014年8Gb LPDRD4投入量產(chǎn)以來(lái),三星就開(kāi)始向LPDDR5標(biāo)準(zhǔn)過(guò)渡。LPDDR5 DRAM芯片主要應(yīng)用于移動(dòng)設(shè)備如手機(jī)、平板、二合一電腦等,5G和AI將是其主要應(yīng)用領(lǐng)域。
2018-08-08 15:22:28
1050 如之前預(yù)告的那樣,在三星開(kāi)始量產(chǎn)基于第二代 10nm 制程的 8Gb DDR4 RAM 芯片后不久,16Gb 的 GDDR6 內(nèi)存芯片現(xiàn)在也已經(jīng)拍馬趕到了。早些時(shí)候官方公布了開(kāi)始大規(guī)模量產(chǎn)這款零件
2018-08-13 11:16:00
3468 4月25日,三星電子宣布已開(kāi)始批量生產(chǎn)汽車(chē)用10nm級(jí)16Gb LPDDR4X DRAM。這款最新的LPDDR4X產(chǎn)品具備高性能,同時(shí)還顯著提高需要在極端環(huán)境下工作的汽車(chē)應(yīng)用的耐熱性水平。這款
2018-08-23 15:48:26
2143 在Samsung Tech Day上,三星宣布7LPP工藝進(jìn)入量產(chǎn),并表示基于EUV光刻技術(shù)的7LPP工藝對(duì)比現(xiàn)有的10nm FinFET工藝,可以提高20%性能、降低50%功耗、提升40%面積能效。
2018-10-22 10:05:40
3490 三星電子今天宣布,開(kāi)始量產(chǎn)業(yè)界首款、采用第二代10nm工藝(1y-nm)級(jí)別的DRAM芯片。
2018-12-11 09:40:55
763 3月21日,三星電子宣布開(kāi)發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片,將服務(wù)于高端應(yīng)用場(chǎng)景,這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過(guò)去16個(gè)月。
2019-03-21 16:43:08
3251 三星電子宣布開(kāi)發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片,將服務(wù)于高端應(yīng)用場(chǎng)景,這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過(guò)去16個(gè)月。
2019-03-24 11:36:16
3659 關(guān)鍵詞:DRAM , DDR4 三星電子宣布開(kāi)發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片,將服務(wù)于高端應(yīng)用場(chǎng)景,這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過(guò)去16個(gè)月。量產(chǎn)時(shí)間
2019-03-29 07:52:01
215 2019年就要正式量產(chǎn)了,6月份就會(huì)發(fā)布10nm Ice Lake處理器,今天Intel也正式宣布了第二代10nm工藝的處理器Tiger Lake,將會(huì)使用全新的CPU內(nèi)核及GPU內(nèi)核。
2019-05-09 15:19:03
1801 10nm Ice Lake還沒(méi)有全面鋪開(kāi),Intel第二代10nm Tiger Lake已經(jīng)頻頻亮相,不過(guò)首發(fā)還是面向輕薄本等設(shè)備的U系列、Y系列低功耗版本。
2019-10-28 15:13:59
1987 經(jīng)過(guò)多次磨煉之后,Intel今年量產(chǎn)了10nm工藝,而且是第二代的10nm+工藝,目前有Ice Lake處理器,使用了全新的Sunny Cove微內(nèi)核架構(gòu),現(xiàn)在主要用于移動(dòng)處理器,明年初開(kāi)始會(huì)陸續(xù)擴(kuò)大到桌面、服務(wù)器市場(chǎng)。
2019-11-09 10:18:46
577 10月24日,三星電子宣布,在業(yè)內(nèi)率先開(kāi)始量產(chǎn)12GB容量、基于UFS的LPDDR4X多芯片內(nèi)存。
2019-11-27 17:20:06
751 三星電子今天宣布已經(jīng)開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)業(yè)內(nèi)第一個(gè)16GB 的 LPDDR5移動(dòng) DRAM 封裝,基于三星第二代10nm級(jí)工藝技術(shù),可提供業(yè)界最高的性能和最大的容量,用于下一代高端智能手機(jī)。繼2019
2020-02-25 13:48:20
1813 隨著Ice Lake處理器的成功,Intel的10nm工藝總算可以長(zhǎng)舒一口氣,產(chǎn)能已經(jīng)沒(méi)什么問(wèn)題了。今年的重點(diǎn)是Tiger Lake處理器,這是第二代10nm工藝,CPU及GPU架構(gòu)也會(huì)全面升級(jí)。
2020-03-04 15:35:20
2987 3月10日消息,AMD 在CES 2020上發(fā)布了7nm工藝的銳龍移動(dòng)處理器,根據(jù)官方的數(shù)據(jù),新一代的APU支持了DDR4 3200和LPDDR4X 4266內(nèi)存?,F(xiàn)在根據(jù)聯(lián)想方面的消息,即將推出的新款YOGA 2020銳龍版筆記本將搭載LPDDR4X 4266內(nèi)存。
2020-03-10 15:32:55
4934 根據(jù)外媒WCCFTECH的報(bào)道,爆料消息稱(chēng)英偉達(dá)的下一代GPU架構(gòu)將基于三星10nm制程,而不是之前報(bào)道的臺(tái)積電7nm工藝,據(jù)稱(chēng)使用的10nm制程更接近于三星提供的8LPP技術(shù),另外新的Tegra芯片也將使用相同的制程。
2020-03-12 16:28:46
2670 EUV,依靠現(xiàn)有的DUV(深紫外光刻)是玩不轉(zhuǎn)的。 有意思的是,三星最近竟然將EUV與相對(duì)上古的10nm工藝結(jié)合,用于量產(chǎn)旗下首批16Gb容量的LPDDR5內(nèi)存芯片。 據(jù)悉,三星的新一代內(nèi)存芯片是基于第三代10nm級(jí)(1z)工藝打造,請(qǐng)注意16Gb容量的后綴,是Gb而不是GB,16Gb對(duì)應(yīng)的其實(shí)是
2020-09-01 14:00:29
2234 為臺(tái)積電帶來(lái)了近 10 億美元的營(yíng)收。 同此前的 7nm 工藝一樣,臺(tái)積電的 5nm 工藝也不只一代,他們還將推出第二代的 5nm 工藝,也就是他們所說(shuō)的 N5P。 在 8 月底的全球技術(shù)論壇期間,臺(tái)積電曾披露,同第一代 5nm 工藝相比,第二代 5nm 工藝所制造的芯片,理論上性能將提升
2020-11-06 16:19:02
1626 年下半年大規(guī)模量產(chǎn)。 從英文媒體最新的報(bào)道來(lái)看,同2018年量產(chǎn)的7nm和今年量產(chǎn)的5nm工藝一樣,臺(tái)積電正在研發(fā)的3nm工藝,也將會(huì)有第二代。 英文媒體是援引產(chǎn)業(yè)鏈人士透露的消息,報(bào)道臺(tái)積電會(huì)推出第二代3nm工藝的,這一消息人士表示臺(tái)積電計(jì)劃在2
2020-12-02 17:14:46
1572 支付方法和電子設(shè)備,該語(yǔ)音支付方法有助于提升語(yǔ)音支付的安全性,適用于人工智能終端等電子設(shè)備。 ? 產(chǎn)業(yè)要聞 ? 高通發(fā)布第二代超聲波屏下指紋識(shí)別器 可使手機(jī)解鎖速度快50% 1月12日消息,據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,芯片巨頭高通發(fā)布了第二代超聲波屏
2021-01-18 10:12:19
3594 ![](https://file.elecfans.com/web1/M00/DB/4D/pIYBAGAE7smAW73_AABYjr7Ju3A460.png)
據(jù)媒體報(bào)道稱(chēng),谷歌第二代Tensor芯片將于這個(gè)月開(kāi)始量產(chǎn),代工方為三星,將會(huì)采用4nm制程工藝大規(guī)模生產(chǎn)該芯片。 Tensor是谷歌公司為其智能手機(jī)自研的芯片,第一代在去年8月發(fā)布,而第二代
2022-06-02 14:52:45
1273 LPDDR4是什么意思?LPDDR4X內(nèi)存是什么意思? LPDDR4和LPDDR4X內(nèi)存是目前市面上最為先進(jìn)和流行的手機(jī)和移動(dòng)設(shè)備內(nèi)存。 該內(nèi)存是針對(duì)移動(dòng)設(shè)備而設(shè)計(jì)的,因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">移動(dòng)設(shè)備要求更高、更快
2023-08-21 17:16:44
5970 的改進(jìn)。雖然它已經(jīng)存在了一段時(shí)間,但是它仍然是一種有效且流行的內(nèi)存類(lèi)型,而且并未過(guò)時(shí)。接下來(lái),我們來(lái)詳細(xì)探討一下LPDDR4X的特性以及其在電腦領(lǐng)域的應(yīng)用。 LPDDR4X的特性 1. 低功耗: LPDDR4X的功耗更低,這是它成為現(xiàn)代移動(dòng)設(shè)備理想內(nèi)存的原因之一。在與DDR4相比較時(shí),LPDDR
2023-08-21 17:16:46
3706 筆記本lpddr4x和lpddr5區(qū)別?? LPDDR4X和LPDDR5都是一種低功耗雙向數(shù)據(jù)傳輸標(biāo)準(zhǔn),是現(xiàn)代智能手機(jī)和平板電腦等移動(dòng)設(shè)備的主要內(nèi)存類(lèi)型。這兩種技術(shù)從設(shè)計(jì)上就注重了對(duì)移動(dòng)設(shè)備電池續(xù)航
2023-08-21 17:28:27
3862 lpddr4x和lpddr5區(qū)別 lpddr4x和ddr5的區(qū)別大不大 隨著智能手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦等消費(fèi)電子產(chǎn)品的不斷升級(jí)和發(fā)展,人們對(duì)設(shè)備運(yùn)行速度和效率的要求也越來(lái)越高。在這樣的背景
2023-08-21 17:28:29
19733 LPDDR4X的升級(jí)版本,帶來(lái)了更高的數(shù)據(jù)速率和更低的功耗。 在移動(dòng)設(shè)備領(lǐng)域,內(nèi)存是至關(guān)重要的組件之一。它對(duì)性能、電池續(xù)航時(shí)間和穩(wěn)定性都有著重要的影響。隨著智能手機(jī)、平板電腦和筆記本電腦的功能和復(fù)雜性不斷提高,人們對(duì)內(nèi)存的需求也越來(lái)越高。因此,內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展變
2023-08-21 17:28:32
7935 據(jù)報(bào)道,韓國(guó)三星代工廠已經(jīng)開(kāi)始試制其第二代 3 納米級(jí)別工藝技術(shù)的芯片,稱(chēng)為 SF3。這一發(fā)展標(biāo)志著半導(dǎo)體行業(yè)的一個(gè)重要里程碑,因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">三星與臺(tái)積電競(jìng)爭(zhēng)下一代先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)的量產(chǎn)主導(dǎo)權(quán)。韓國(guó)知名權(quán)威
2024-01-22 16:10:14
456 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/BD/C8/wKgZomWuIt2ATrsWAABbJTPIzg4353.png)
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