去年美光等多家內(nèi)存廠商相繼推出了DDR5內(nèi)存，但去年各大平臺(tái)DDR5內(nèi)存上千乃至數(shù)千的價(jià)格，加上CPU、主板等硬件支持的普及還不到位等問(wèn)題，這第一批DDR5內(nèi)存并沒(méi)有在市場(chǎng)上掀起多大的風(fēng)浪。然而
2022-07-12 08:27:00
8643 DDR4內(nèi)存已經(jīng)問(wèn)世有很長(zhǎng)一段時(shí)間了，Intel在IDF上表示，明年這一產(chǎn)品將迎來(lái)爆發(fā)期。
2015-08-24 08:23:551098 從2018年開始，世界的局勢(shì)越來(lái)越緊張，米國(guó)尤其在以芯片為代表的高科技行業(yè)對(duì)我們?nèi)矫娴膹棄海员ＷC芯片的自立自主呼聲越來(lái)越高。之前我們也測(cè)試過(guò)一對(duì)紫光的DDR3內(nèi)存，不過(guò)從國(guó)產(chǎn)率和產(chǎn)品的先進(jìn)
2020-07-29 14:59:118053 為了更好地管理各類DDR3內(nèi)存的特性，并提供一種簡(jiǎn)便的、帶寬效率高的自動(dòng)化方式來(lái)初始化和使用內(nèi)存，我們需要一款高效DDR3內(nèi)存控制器。
2021-02-09 10:08:0010212 
DDR是運(yùn)行內(nèi)存芯片，其運(yùn)行頻率主要有100MHz、133MHz、166MHz三種，由于DDR內(nèi)存具有雙倍速率傳輸數(shù)據(jù)的特性，因此在DDR內(nèi)存的標(biāo)識(shí)上采用了工作頻率×2的方法。 ? DDR芯片
2023-07-28 13:12:061890 
HBM作為基于3D堆棧工藝的高性能DRAM，打破內(nèi)存帶寬及功耗瓶頸。HBM(High Bandwidth Memory)即高帶寬存儲(chǔ)器，通過(guò)使用先進(jìn)封裝(如TSV硅通孔、微凸塊)將多個(gè)DRAM芯片進(jìn)行堆疊，并與GPU一同進(jìn)行封裝，形成大容量、高帶寬的DDR組合陣列。
2024-01-02 09:59:131327 
DDR內(nèi)存條經(jīng)歷了DDR內(nèi)存條、DDR2內(nèi)存條、DDR3內(nèi)存條三個(gè)時(shí)代。這里給出了DDR內(nèi)存條、DDR2內(nèi)存條、DDR3內(nèi)存條的對(duì)比分析。
2011-12-29 14:21:563149 這幾年，國(guó)產(chǎn)軟硬件都在突飛猛進(jìn)，硬件方面處理器、內(nèi)存、閃存存儲(chǔ)紛紛取得新突破，但由于產(chǎn)能、應(yīng)用領(lǐng)域等各種原因，普通消費(fèi)市場(chǎng)上是不太容易看到的。 不久前，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)開始在官方網(wǎng)站上銷售DDR4臺(tái)式機(jī)
2020-04-24 09:58:245759 今年2月底，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)官方宣布，符合國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的自產(chǎn)DDR4內(nèi)存芯片、DDR4內(nèi)存條、LPDDR4內(nèi)存芯片全面開始供貨，這也是DDR4內(nèi)存第一次實(shí)現(xiàn)真正國(guó)產(chǎn)，并采用國(guó)產(chǎn)第一代10nm級(jí)工藝制造
2020-05-22 11:47:378324 作為國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)品牌的領(lǐng)袖，擁有光威(Gloway)、阿斯加特(Asgard)兩大品牌的嘉合勁威今天宣布，正在積極布局導(dǎo)入DDR5內(nèi)存新技術(shù)，2021年將在深圳坪山率先量產(chǎn)DDR5。目前，嘉合勁威正在
2020-12-03 09:53:442591 DDR4內(nèi)存峰會(huì)，而這也標(biāo)志著DDR4標(biāo)準(zhǔn)制定工作的展開。一般認(rèn)為這樣的會(huì)議召開之后新產(chǎn)品將會(huì)在3年左右的時(shí)間內(nèi)上市，而這也意味著我們將可能在2011年的時(shí)候使用上DDR4內(nèi)存，最快也有可能會(huì)提前到2010
2011-02-27 16:47:17
由于最近歐洲疫情比較嚴(yán)重且短時(shí)間內(nèi)不會(huì)恢復(fù)，我司產(chǎn)品所用的MCU供應(yīng)受到影響。想知道國(guó)產(chǎn)有沒(méi)有M0+內(nèi)核的32位MCU，最好現(xiàn)貨充足。
2020-03-23 16:32:54
老師給舉了個(gè)例子，說(shuō)是就像測(cè)試規(guī)定時(shí)間內(nèi)電燈開關(guān)的次數(shù)。這個(gè)課題的題目是壽命實(shí)驗(yàn)，用的NI采集卡，采集對(duì)象是電壓，雙通道給的要求就是：用戶給出一個(gè)時(shí)間，測(cè)量在此時(shí)間內(nèi)雙通道的采集次數(shù)我的想法是，這個(gè)
2015-12-17 12:17:54
如何在短時(shí)間內(nèi)學(xué)好LABVIEW
2013-05-24 13:58:47
我最近設(shè)計(jì)了一個(gè)RT1176系統(tǒng)。它使用 SDRAM 控制器。我可以運(yùn)行示例驅(qū)動(dòng)程序應(yīng)用程序并且內(nèi)存通過(guò)讀/寫測(cè)試。我想以 166MHZ 運(yùn)行內(nèi)存。時(shí)鐘樹非常復(fù)雜，很難在短時(shí)間內(nèi)掌握。誰(shuí)能告訴我如何將內(nèi)存時(shí)鐘更改為 166MHZ。謝謝
2023-03-20 07:40:15
Type-C是近幾年大規(guī)模普及的充電接口，目前所發(fā)布的手機(jī)基本上都是該接口，而原來(lái)的Micro USB接口也逐漸減少使用，那為什么Type-C接口能在短時(shí)間內(nèi)迅速取代Micro USB接口呢？筆者
2021-09-14 07:34:39
的數(shù)據(jù)，而DDR2是4bit，因此其單位時(shí)間內(nèi)的數(shù)據(jù)傳輸量是DDR2的2倍。DDR3的速度從800MHz起跳，最高可以達(dá)到1600MHz。DDR3內(nèi)存與DDR2一樣是240Pin DIMM接口，不過(guò)兩者
2022-10-26 16:37:40
（較新的加速度計(jì)）的數(shù)據(jù)表中讀到，“為了確保擁有與所選 ODR 同步的第一個(gè) DRDY 上升沿（避免圖 2 中的情況：“DRDY 信號(hào)同步”）在啟用 ODR 之前將 I1_ ZYXDA 位設(shè)置為“1”。沒(méi)有運(yùn)氣。你能給我一個(gè)建議，如何在開機(jī)后的最短時(shí)間內(nèi)從 LIS2DH 讀取有效數(shù)據(jù)嗎？先感謝您！
2023-01-04 08:48:17
上運(yùn)行舊版固件時(shí)，RTC 非常準(zhǔn)確。有沒(méi)有一種方法可以使 RTC 在短時(shí)間內(nèi)停止計(jì)數(shù)的地方“中斷”，因?yàn)槠渌蛘跁和?LSE？TouchGFX 是否在后臺(tái)執(zhí)行任何可能導(dǎo)致此類問(wèn)題的操作？感謝您的任何和所有輸入。我們現(xiàn)在很困惑。
2023-01-04 07:44:07
目前有一個(gè)項(xiàng)目需要使用
DDR3作為顯示緩存，VGA作為顯示器，F(xiàn)PGA作為主控器，來(lái)刷圖片到VGA上。VGA部分已經(jīng)完成，唯獨(dú)這個(gè)
DDR3以前沒(méi)有使用過(guò)，時(shí)序又比較復(fù)雜，所以
短時(shí)間內(nèi)難以完成，希望做過(guò)
DDR3控制器的大神指點(diǎn)一二。急求?。。。?/div>
2015-11-16 09:18:59
每秒出一個(gè)隨機(jī)數(shù)，如何求10秒時(shí)間內(nèi)的數(shù)據(jù)總和
2016-08-03 18:19:57
DDR內(nèi)存SPD資料,DDR8X16 266,DDR16X8 266,DDR16X8 333,DDR16X16 266,DDR32X8 266,DDR32X8 400,DDR64X4 266,DDR 8X16.
2008-10-27 21:02:37
205 針對(duì)當(dāng)今電子系統(tǒng)對(duì)高速大容量內(nèi)存的需要，本文闡述了使用DDR 控制器IP 核來(lái)設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)DDR內(nèi)存接口的方法。該方法能使設(shè)計(jì)盡可能簡(jiǎn)單，讓設(shè)計(jì)者更專注于關(guān)鍵邏輯設(shè)計(jì)，以便達(dá)到
2009-08-11 09:42:5120 ddr內(nèi)存針腳定義圖
2008-04-28 13:45:414210 
DDR內(nèi)存插槽及測(cè)試點(diǎn)
一、實(shí)物圖上圖就是DDR內(nèi)存插槽實(shí)物圖
2009-04-26 15:36:515390 
DDR 內(nèi)存兼容性列表
主板名稱 主板型號(hào) 芯片組 內(nèi)存插槽規(guī)格 ASUS A7A266 ALI 3DDR+2SDRAM A7M266 AMD760 3DDRCUV266 VIA266 3DDR+2SDR
2009-05-22 08:57:081543 什么是DDR SDRAM內(nèi)存
DDR是一種繼SDRAM后產(chǎn)生的內(nèi)存技術(shù)，DDR，英文原意為“DoubleDataRate”，顧名思義，就是雙數(shù)據(jù)傳輸模式。之所以稱其為“雙”，也
2009-12-17 11:15:531646 DDR SDRAM內(nèi)存
DDR SDRAM是Double Dat
2009-12-17 16:20:33684 當(dāng)晚上突然遇到停電，周圍漆黑一片，這時(shí)就要用到 應(yīng)急燈 啦！這種應(yīng)急燈的作用時(shí)間很短，即當(dāng)你在1min(分鐘)內(nèi)從容不迫地點(diǎn)亮蠟燭后，這盞燈才會(huì)慢慢熄滅。 一、短時(shí)間應(yīng)急燈工
2012-06-05 14:34:314935 
SD-DDR-DDR2內(nèi)存條標(biāo)準(zhǔn)尺寸
2013-09-13 15:19:42162 DDR系列內(nèi)存詳解及硬件設(shè)計(jì)規(guī)范， 好的教程
2015-11-16 18:59:580 內(nèi)存顆粒廠家提供的，DDR3內(nèi)存條電路圖。onboard內(nèi)存的板子可以參考。
2015-12-31 14:15:39471 華芯半導(dǎo)體DDR3內(nèi)存顆粒 datasheet
2016-12-17 21:59:120 內(nèi)存的漲價(jià)短時(shí)間內(nèi)還將繼續(xù)，再結(jié)合挖礦導(dǎo)致的卡荒，今年真是一個(gè)不適合裝機(jī)的年份。
2017-08-09 15:41:204645 下一代服務(wù)器DIMM緩沖器芯片瞄準(zhǔn)DDR5內(nèi)存應(yīng)用。
替代型內(nèi)存崛起。
DDR5接口芯片的內(nèi)存帶寬與密度都比DDR4更高2倍。
2017-09-26 15:09:203096 這段時(shí)間，DDR4內(nèi)存條價(jià)格持續(xù)處于高位，于是不少?gòu)S商和需求不高的用戶開始將目光轉(zhuǎn)向老一代的DDR3，畢竟無(wú)論是DDR3內(nèi)存本身還是相應(yīng)主板，都已經(jīng)十分廉價(jià)，組個(gè)入門機(jī)還挺合適。
2017-11-07 13:21:264014 雖然新一代電腦/智能手機(jī)用上了DDR4內(nèi)存，但以往的產(chǎn)品大多還是用的DDR3內(nèi)存，因此DDR3依舊是主流，DDR4今后將逐漸取代DDR3，成為新的主流，下面我們?cè)賮?lái)看看DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別。相比上一代DDR3，新一代DDR4內(nèi)存主要有以下幾項(xiàng)核心改變：
2017-11-08 15:42:2330895 DRAM內(nèi)存制造技術(shù)一直都是國(guó)家最為關(guān)注的重要戰(zhàn)略之一。在內(nèi)存市場(chǎng)中國(guó)沒(méi)有足夠的話語(yǔ)權(quán)，都被三星、SK海力士、美光幾家企業(yè)幾乎壟斷。據(jù)報(bào)道，紫光打造的中國(guó)第一款自主的PC DDR4內(nèi)存條終于問(wèn)世，讓我們看到了國(guó)產(chǎn)內(nèi)存崛起的希望。
2017-12-22 16:00:261336 涉及國(guó)產(chǎn)DDR4的還是紫光集團(tuán)的子公司紫光國(guó)芯，旗下?lián)碛形靼沧瞎鈬?guó)芯、深圳國(guó)微、紫光同創(chuàng)等公司。根據(jù)官網(wǎng)介紹，“紫光國(guó)芯是紫光集團(tuán)旗下半導(dǎo)體行業(yè)上市公司，專注于集成電路芯片設(shè)計(jì)開發(fā)領(lǐng)域，堅(jiān)持穩(wěn)健經(jīng)營(yíng)
2018-03-19 18:35:002140 目前中國(guó)正在大力發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，但是在內(nèi)存市場(chǎng)卻有一些缺憾，全球內(nèi)存市場(chǎng)幾乎被美國(guó)、韓國(guó)壟斷，去年的內(nèi)存價(jià)格居高不下。現(xiàn)在目前國(guó)內(nèi)正在發(fā)展存儲(chǔ)芯片，國(guó)產(chǎn)DDR4內(nèi)存邁出第一步。
2018-03-01 10:12:0524146 目前在售的紫光DDR4內(nèi)存并沒(méi)有使用國(guó)產(chǎn)顆粒，而是SK Hynix顆粒，是韓國(guó)公司的顆粒，也就是說(shuō)現(xiàn)在的國(guó)內(nèi)DDR4內(nèi)存依然是掛羊頭賣狗肉，跟市場(chǎng)上其他內(nèi)存條沒(méi)有什么區(qū)別，國(guó)產(chǎn)的只是PCB之類的。不過(guò)店家也很坦誠(chéng)，說(shuō)紫光顆粒的DDR4內(nèi)存下半年問(wèn)世。
2018-03-05 09:36:013022 國(guó)產(chǎn)紫光內(nèi)存DDR3顆粒的性能如何呢？值得入手嗎？為了解決大家的疑問(wèn)，我們?yōu)榇蠹規(guī)?lái)了紫光DDR3 4GB*2 1600內(nèi)存的評(píng)測(cè)，幫助大家了解紫光內(nèi)存的真實(shí)性能。
2018-03-12 13:56:009783 
見(jiàn)識(shí)過(guò)HBM的玩家對(duì)該技術(shù)肯定印象深刻，那么未來(lái)它又該如何發(fā)展呢？HPE（惠普企業(yè)級(jí)）公司的Nicolas Dube日前分享了他的一些觀點(diǎn)，在他看來(lái)DDR內(nèi)存要走到盡頭了（DDR is Over），特別是一些需求高帶寬的場(chǎng)合中。
2018-03-22 08:54:484519 
早在2017年，國(guó)內(nèi)公司進(jìn)軍 內(nèi)存 產(chǎn)業(yè)的消息便一直甚囂塵上，其中的代表便是紫光公司，擁有國(guó)家政策與資金的扶持之下，終于做出了重要的突破。在今年上半年，憑借英飛凌、奇夢(mèng)達(dá)的基礎(chǔ)在 DDR 3內(nèi)存
2018-04-05 15:47:004698 劉愛(ài)力表示，中國(guó)電信雖然大部分業(yè)務(wù)均在內(nèi)地，但如果不是能與用戶分享公司的發(fā)展，再加上要考慮公司未來(lái)股價(jià)走勢(shì)等諸多問(wèn)題，故而公司短時(shí)間內(nèi)未有回A 股上市的決定。
但中電信是有計(jì)劃將旗下子公司如翼支付或一些資管公司分拆上市，只是還沒(méi)有決定在A股或者赴港上市。劉愛(ài)力表示，翼支付剛完成了新一輪融資。
2018-05-29 09:51:00862 據(jù)e公司的直播（本文主要內(nèi)容來(lái)源于e公司直播），中興通訊總裁趙先明指出，絕大多數(shù)客戶耐心等待著中興通訊恢復(fù)運(yùn)營(yíng)，公司市場(chǎng)一線的同事堅(jiān)持在一線，盡可能短時(shí)間內(nèi)恢復(fù)生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)，把耽誤掉的時(shí)間追趕回來(lái)，力爭(zhēng)
2018-07-27 10:25:245263 電源設(shè)計(jì)小貼士 41：DDR 內(nèi)存電源
2018-08-08 01:33:005235 紫光國(guó)微表示，公司的DRAM芯片與三星等國(guó)際知名企業(yè)還是有很大差距，我們還處于學(xué)習(xí)和追趕的過(guò)程中。一段時(shí)間內(nèi)，DDR4仍將是市場(chǎng)上的主流產(chǎn)品，短時(shí)間不會(huì)有太大影響。
2018-09-19 09:43:425834 2018年內(nèi)存的價(jià)格終于不再大漲了，上半年來(lái)8GB DDR4內(nèi)存的價(jià)格穩(wěn)定在600元左右，這對(duì)玩家及內(nèi)存條廠商來(lái)說(shuō)都是件好事，不再為價(jià)格揪心，廠商也可以推出更有品質(zhì)的內(nèi)存。銘瑄去年推出了復(fù)仇者系列
2018-10-23 10:45:204126 ，并成功實(shí)現(xiàn)無(wú)束縛飛行。就外觀而言，該飛行器有兩大特色：一對(duì)額外的翅膀（四翼）和頂部的太陽(yáng)能電池。它可以在短時(shí)間內(nèi)不受束縛地飛行。
2019-07-07 10:38:263756 雖然深圳的企業(yè)運(yùn)營(yíng)成本在不斷上漲，但是深圳的優(yōu)勢(shì)在于制造業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈非常的齊全，這不是其他城市短時(shí)間內(nèi)能夠趕上的。
2019-07-29 15:17:323555 任何關(guān)于電源完整性的討論都包括對(duì)目標(biāo)阻抗和平坦阻抗要求的概念的大量強(qiáng)調(diào)。但我們?nèi)绾卧O(shè)計(jì)專門用于平坦阻抗的穩(wěn)壓器模塊(VRM)?本文不僅將討論該特定問(wèn)題，還將解決如何在5秒或更短時(shí)間內(nèi)完成該問(wèn)題。
2019-08-12 10:34:552095 
隨著紫光、合肥長(zhǎng)鑫正式進(jìn)軍DRAM內(nèi)存行業(yè)，國(guó)產(chǎn)自主的DRAM芯片未來(lái)也會(huì)迎來(lái)一波爆發(fā)。除此之外，紫光旗下的西安國(guó)芯本身也有DDR內(nèi)存芯片研發(fā)，他們將在集邦科技的2020存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)峰會(huì)上公開展示自研的內(nèi)存，包括最新的16GB DDR4內(nèi)存等。
2019-11-19 09:37:093598 盡管在區(qū)塊鏈上投入了數(shù)十億美元，而且預(yù)計(jì)未來(lái)5年這方面的支出將呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)，但分布式賬本技術(shù)永遠(yuǎn)不會(huì)在企業(yè)中引發(fā)一場(chǎng)技術(shù)革命，因?yàn)樵谄髽I(yè)中，人們的偏好總是傾向于集中式的控制。
2019-10-14 16:42:32425 9 月份合肥長(zhǎng)鑫宣布量產(chǎn) 8Gb 顆粒的國(guó)產(chǎn) DDR4 內(nèi)存。對(duì)于國(guó)產(chǎn)內(nèi)存，市場(chǎng)預(yù)期不會(huì)對(duì)三星、SK 海力士及美光三大內(nèi)存巨頭帶來(lái)太大影響，但是會(huì)擠壓第四大內(nèi)存廠商南亞科的空間。對(duì)此南亞科予以否認(rèn)，表示短時(shí)間內(nèi)沒(méi)什么大影響。
2019-11-19 10:44:313316 隨著紫光、合肥長(zhǎng)鑫正式進(jìn)軍DRAM內(nèi)存行業(yè)，國(guó)產(chǎn)自主的DRAM芯片未來(lái)也會(huì)迎來(lái)一波爆發(fā)。除此之外，紫光旗下的西安國(guó)芯本身也有DDR內(nèi)存芯片研發(fā)，他們將在集邦科技的2020存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)峰會(huì)上公開展示自研的內(nèi)存，包括最新的16GB DDR4內(nèi)存等。
2019-11-19 14:54:143029 美光于前日宣布已經(jīng)開始向業(yè)界中的核心客戶出樣DDR5內(nèi)存（RDIMM）了，目前他們?cè)?b class="flag-6" style="color: red">DDR5內(nèi)存上面使用的是自家最新的1z nm工藝。
2020-01-12 10:09:043332 
2019年9月20日，合肥長(zhǎng)鑫宣布正式量產(chǎn)DDR4內(nèi)存，他們成為第一個(gè)國(guó)產(chǎn)內(nèi)存供應(yīng)商。目前該公司官網(wǎng)上已經(jīng)開始對(duì)外供應(yīng)DDR4芯片、LPDDR4X芯片及DDR4模組。
2020-02-28 09:31:363240 嚴(yán)格來(lái)說(shuō)，合肥長(zhǎng)鑫的內(nèi)存不是第一款國(guó)產(chǎn)DRAM內(nèi)存芯片，紫光旗下的紫光國(guó)微之前也有DDR內(nèi)存研發(fā)，也曾少量用于國(guó)產(chǎn)的服務(wù)器等產(chǎn)品中，但是紫光國(guó)微沒(méi)有生產(chǎn)能力，DDR內(nèi)存無(wú)法大量供應(yīng)。
2020-03-01 10:15:112744 2 月 28 日訊，國(guó)產(chǎn)首枚 DDR4 內(nèi)存現(xiàn)已面世。在長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的官方網(wǎng)站上，目前已經(jīng)公開列出了自家的 DDR4 內(nèi)存芯片、DDR4 內(nèi)存條、LPDDR4X 內(nèi)存芯片，全部產(chǎn)品都符合國(guó)際通行標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范。
2020-03-02 11:18:281061 與時(shí)間賽跑，爭(zhēng)取短時(shí)間內(nèi)搶占市場(chǎng)資源，贏取商業(yè)上的成功，已經(jīng)成為國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)市場(chǎng)最真實(shí)的寫照。而當(dāng)長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布128層3D FLASH即將邁入量產(chǎn)之際，這場(chǎng)圍繞國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)市場(chǎng)的爭(zhēng)奪戰(zhàn)逐步浮出水面，進(jìn)而轉(zhuǎn)向白熱化。
2020-04-13 15:08:462909 
江波龍電子旗下嵌入式存儲(chǔ)品牌FORESEE再添新成員，正式發(fā)布首款內(nèi)存產(chǎn)品，宣布正式進(jìn)入內(nèi)存領(lǐng)域。 江波龍正式進(jìn)入內(nèi)存領(lǐng)域，F(xiàn)ORESEE DDR4高端商用內(nèi)存條新品首發(fā) FORESEE DDR
2020-04-16 12:04:224860 江波龍嵌入式存儲(chǔ)品牌FORESEE推出了3款國(guó)產(chǎn)化內(nèi)存，分別為DDR4SODIMM 8GB、DDR4UDIMM 8GB、DDR4UDIMM 16GB，核心DRAM均采用長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的顆粒，這標(biāo)志著中國(guó)
2020-05-22 15:24:522345 除了聯(lián)合江波龍發(fā)布全球最小尺寸的SATA SSD SL500 Mini，七彩虹今天還正式推出了自己的國(guó)產(chǎn)內(nèi)存條產(chǎn)品“國(guó)創(chuàng)·戰(zhàn)戟”系列，采用了合肥長(zhǎng)鑫的DDR4內(nèi)存顆粒，由江波龍代工生產(chǎn)。
2020-06-23 10:01:592235 今年，小米10等智能手機(jī)都開始用上了LPDDR5內(nèi)存，此后，這樣規(guī)格的內(nèi)存應(yīng)該也會(huì)成為新一代旗艦手機(jī)的標(biāo)配。不過(guò)在PC端，DDR5內(nèi)存還是需要等待的，英特爾和AMD的下一代消費(fèi)級(jí)處理器和主板產(chǎn)品
2020-07-30 15:27:122481 第十一代酷睿桌面版不斷泄露消息，所以正式產(chǎn)品還沒(méi)上市就讓人沒(méi)了新鮮感，也許正是這個(gè)原因，很多小伙伴的好奇的目光開始轉(zhuǎn)向了更下一代平臺(tái)，特別是DDR5內(nèi)存。它到底和DDR4有啥不同，我們要不要
2021-02-27 12:13:5418074 
DDR4內(nèi)存占據(jù)主流地位已經(jīng)有差不多5年的時(shí)間了，算算迭代的速度，DDR5也該來(lái)了，而國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)品牌的龍頭之一，嘉合勁威最近也是宣布，正在積極引入DDR5內(nèi)存技術(shù)，將在2021年于深圳坪山率先實(shí)現(xiàn)
2020-12-08 17:14:252447 DDR4內(nèi)存占據(jù)主流地位已經(jīng)有差不多5年的時(shí)間了，算算迭代的速度，DDR5也該來(lái)了，而國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)品牌的龍頭之一，嘉合勁威最近也是宣布，正在積極引入DDR5內(nèi)存技術(shù)，將在2021年于深圳坪山率先實(shí)現(xiàn)DDR5的量產(chǎn)。
2020-12-09 10:19:552251 12月25日消息 根據(jù)網(wǎng)易暴雪游戲客服團(tuán)隊(duì)的消息，暴雪游戲平臺(tái)近期受到了持續(xù) DDOS 攻擊，官方稱無(wú)法斷言能在短時(shí)間內(nèi)完全解決該問(wèn)題。 暴雪表示，近期受到的一系列大型惡意“分布式拒絕服務(wù)（DDOS
2020-12-25 15:14:171666 2021年的內(nèi)存市場(chǎng)，此前三星等大廠給出的預(yù)期是明年Q1季度繼續(xù)跌，Q2季度持平，下半年才會(huì)開始反彈。 不過(guò)這段時(shí)間內(nèi)存市場(chǎng)變數(shù)頗多，三星、SK海力士、美光三大廠商繼續(xù)削減2021年的內(nèi)存投資，供應(yīng)量會(huì)比預(yù)期減少，再加上DDR3等低端內(nèi)存產(chǎn)能逐漸退出
2020-12-31 16:27:012782 大漲30%。 對(duì)于2021年的內(nèi)存市場(chǎng)，此前三星等大廠給出的預(yù)期是明年Q1季度繼續(xù)跌，Q2季度持平，下半年才會(huì)開始反彈。 不過(guò)這段時(shí)間內(nèi)存市場(chǎng)變數(shù)頗多，三星、SK海力士、美光三大廠商繼續(xù)削減2021年的內(nèi)存投資，供應(yīng)量會(huì)比預(yù)期減少，再加上DDR3等低端內(nèi)存產(chǎn)能逐漸退
2021-01-08 10:18:303721 嘉合勁威（阿斯加特/光威品牌母公司）今天宣布，旗下的“神可”（Sinker）系列DDR4內(nèi)存產(chǎn)品已經(jīng)通過(guò)統(tǒng)信軟件的認(rèn)證。 嘉合勁威神可DDR4內(nèi)存采用純國(guó)產(chǎn)的DDR4顆粒，包括UDIMM桌面
2021-01-28 09:22:521905 嘉合勁威（阿斯加特/光威品牌母公司）今天宣布，旗下的“神可”（Sinker）系列DDR4內(nèi)存產(chǎn)品已經(jīng)通過(guò)統(tǒng)信軟件的認(rèn)證。
2021-01-28 11:02:101663 最快在2021年9月份，隨著Intel的十二代酷睿Alder Lake的到來(lái)，DDR5內(nèi)存也要商用了，今年會(huì)是DDR5元年。 DDR5內(nèi)存來(lái)了，DDR4內(nèi)存當(dāng)然不會(huì)馬上被淘汰，但前景肯定不會(huì)多好
2021-02-02 11:27:393279 2021年將是DDR內(nèi)存技術(shù)升級(jí)換代元年，DDR5內(nèi)存下半年就會(huì)正式亮相。今天國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)品牌阿斯加特宣布了旗下首款DDR5內(nèi)存，起步頻率就達(dá)到DDR5-4800MHz。
2021-02-22 16:31:203265 終止科創(chuàng)板上市”，這意味著，聯(lián)想的科創(chuàng)板IPO之路，只走了短短一個(gè)工作日。 為何聯(lián)想會(huì)選擇在這么短時(shí)間內(nèi)提交就撤回申請(qǐng)？這個(gè)問(wèn)題在當(dāng)時(shí)眾說(shuō)紛紜，有人猜測(cè)聯(lián)想達(dá)不到科創(chuàng)板上市標(biāo)準(zhǔn)，有人猜測(cè)是因?yàn)槁?lián)想負(fù)債率過(guò)高，也有機(jī)構(gòu)報(bào)告
2021-11-08 14:38:301249 日前，世界著名硬件網(wǎng)站TomsHardware上有消息表示，多家大廠都在考慮停止DDR3內(nèi)存的生產(chǎn)。DDR3內(nèi)存早在2007年就被引入，至今已長(zhǎng)達(dá)15年，因?yàn)槠洳辉俜河糜谥髁髌脚_(tái)，即便退出市場(chǎng)也不會(huì)
2022-04-06 12:22:564679 如何在短時(shí)間內(nèi)解決電廠鍋爐風(fēng)機(jī)軸修復(fù)問(wèn)題？
2022-05-25 16:10:500 華強(qiáng)北眾生相2021年，受到國(guó)內(nèi)外疫情的影響，加上2020年被壓抑的需求得到釋放，導(dǎo)致消費(fèi)電子銷量大幅上漲，繼而使芯片需求在短時(shí)間內(nèi)暴漲，而本地芯片供應(yīng)也很難跟上，大多只能向海外求購(gòu)，但疫情導(dǎo)致物流受阻，芯片供應(yīng)減少，市場(chǎng)中開始掀起炒作的浪潮，很多人的夢(mèng)從這一刻開始。
2022-08-22 09:32:312395 在FPGA上對(duì)傳統(tǒng)內(nèi)存進(jìn)行基準(zhǔn)測(cè)試。先前的工作[20]，[22]，[23]，[47]試圖通過(guò)使用高級(jí)語(yǔ)言（例如OpenCL）在FPGA上對(duì)傳統(tǒng)存儲(chǔ)器（例如DDR3）進(jìn)行基準(zhǔn)測(cè)試。相反，我們?cè)谧钕冗M(jìn)的FPGA上對(duì)HBM進(jìn)行基準(zhǔn)測(cè)試。
2022-12-19 16:29:461223 如果你的Linux服務(wù)器突然負(fù)載暴增，告警短信快發(fā)爆你的手機(jī)，如何在最短時(shí)間內(nèi)找出Linux性能問(wèn)題所在？來(lái)看Netflix性能工程團(tuán)隊(duì)的這篇博文，看它們通過(guò)十條命令在一分鐘內(nèi)對(duì)機(jī)器性能問(wèn)題進(jìn)行診斷。
2022-12-28 09:21:36138 DDR5的主板不支持使用DDR4內(nèi)存。DDR5（第五代雙倍數(shù)據(jù)率）和DDR4（第四代雙倍數(shù)據(jù)率）是兩種不同規(guī)格的內(nèi)存技術(shù)，它們?cè)陔姎馓匦院鸵_布局上存在明顯差異。因此，DDR5內(nèi)存模塊無(wú)法插入DDR4主板插槽中，也不兼容DDR4內(nèi)存控制器。
2023-08-09 15:36:2512823 DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別？ 隨著計(jì)算機(jī)的日益發(fā)展，內(nèi)存也越來(lái)越重要。DDR3和DDR4是兩種用于計(jì)算機(jī)內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)。隨著DDR4內(nèi)存的逐漸普及，更多的人開始對(duì)兩者有了更多的關(guān)注。 DDR
2023-10-30 09:22:003905 DDR內(nèi)存條的設(shè)計(jì)
2022-12-30 09:20:0321 再談DDR內(nèi)存布線
2022-12-30 09:21:082 需求方面，2023下半年移動(dòng)DRAM（內(nèi)存）及NAND Flash閃存（eMMC、UFS）除了受傳統(tǒng)旺季帶動(dòng)，華為Mate 60系列等也刺激其他中國(guó)智能手機(jī)品牌擴(kuò)大生產(chǎn)目標(biāo)，短時(shí)間內(nèi)涌入的需求也成為推動(dòng)第四季度合約價(jià)漲勢(shì)的原因之一。
2023-11-09 16:15:27336 DDR6和DDR5內(nèi)存的區(qū)別有多大？怎么選擇更好？ DDR6和DDR5是兩種不同的內(nèi)存技術(shù)，它們各自在性能、功耗、帶寬等方面都有不同的特點(diǎn)。下面將詳細(xì)比較這兩種內(nèi)存技術(shù)，以幫助你選擇更適合
2024-01-12 16:43:052881 在電力系統(tǒng)中，電容器是一種重要的電氣設(shè)備，常用于提高功率因數(shù)、改善電網(wǎng)穩(wěn)定性等方面。然而，電容器作為一種電壓敏感的元件，對(duì)于電壓波動(dòng)非常敏感，特別是在短時(shí)間內(nèi)的過(guò)電壓情況下，可能引發(fā)嚴(yán)重的問(wèn)題。為什么電力電容器不允許短時(shí)間內(nèi)過(guò)電壓運(yùn)行？
2024-02-26 14:30:26120 Rambus HBM3E/3 內(nèi)存控制器內(nèi)核針對(duì)高帶寬和低延遲進(jìn)行了優(yōu)化，以緊湊的外形和高能效的封裝為人工智能訓(xùn)練提供了最大的性能和靈活性。
2024-03-20 14:12:37110 
提及此前有人預(yù)測(cè)英偉達(dá)可能向三星購(gòu)買HBM3或HBM3E等內(nèi)存，黃仁勛在會(huì)上直接認(rèn)可三星實(shí)力，稱其為“極具價(jià)值的公司”。他透露目前已對(duì)三星HBM內(nèi)存進(jìn)行測(cè)試，未來(lái)可能增加采購(gòu)量。
2024-03-20 16:17:24352 
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