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電子發燒友網>存儲技術>首款對非易失性數據存儲的單芯片存儲技術——FRAM

首款對非易失性數據存儲的單芯片存儲技術——FRAM

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2020-09-19 11:56:481727

fram是什么存儲器_FRAM技術特點

鐵電存儲器(FRAM,ferroelectric RAM)是一種隨機存取存儲器,它將動態隨機存取存儲器(DRAM)的快速讀取和寫入訪問——它是個人電腦存儲中最常用的類型——與在電源關掉后保留數據能力(就像其他穩定的存儲設備一樣,如只讀存儲器和閃存)結合起來。
2020-12-03 11:53:166108

富士通FRAM是斷電情況下也能保留數據非易失性的存儲

器相比,具有優越的高速寫入、高讀寫耐久性和低功耗性能。 MB85R4002A是FRAM(鐵電隨機存取存儲器)芯片,由262,144字×16位非易失性存儲單元組成,這些單元使用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術制造。能夠保留數據,而無需使用SRAM所需的備用電池。MB85R4002A中使用的
2021-04-08 15:42:02824

鐵電存儲FRAM與其他內存的比較

FRAM是一種非易失性存儲器,因為它結合了ram和非易失性存儲器的優點。相對于閃存/EEPROM的寫入優勢和非易失性使其非常適合在斷電情況下存儲數據。具有高讀寫耐久性和快速寫入速度。英尚微存儲芯片供應商可提供產品測試及技術支持。
2021-07-27 10:29:281158

鐵電存儲FRAM

鐵電存儲器稱FRAM或FeRAM,FRAM采用鐵電晶體材料作為存儲介質,利用鐵電晶體材料電壓與電流關系具有特征滯后回路的特點來實現信息存儲。 ?? FRAM結構圖 FRAM技術特點: 非易失性:斷電
2022-11-10 17:00:141785

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