在日本的2019 VLSI Symposium超大規(guī)模集成電路研討會(huì)上，臺(tái)積電宣布了兩種新工藝，分別是7nm、5nm的增強(qiáng)版，但都比較低調(diào)，沒(méi)有過(guò)多宣傳。

7nm工藝的增強(qiáng)版代號(hào)為“N7P”（P即代表性能Performance），在原有第一代N7 7nm工藝的基礎(chǔ)上，繼續(xù)使用DUV深紫外光刻技術(shù)而沒(méi)有7nm+上的EUV極紫外光刻，設(shè)計(jì)規(guī)則不變，晶體管密度也不變，只是優(yōu)化了前線（FEOL）、后線（BEOL），能在同等功耗下帶來(lái)7％的性能提升，或者在同等性能下降功耗降低10％。

5nm工藝的增強(qiáng)版代號(hào)為“N5P”，也是優(yōu)化前線和后線，可在同等功耗下帶來(lái)7％的性能提升，或者在同等性能下降功耗降低15％。

臺(tái)積電N7P工藝已經(jīng)可用，但尚未宣布任何具體客戶。

臺(tái)積電此前曾表示，7nm、6nm都是長(zhǎng)期工藝節(jié)點(diǎn)，會(huì)使用多年，5nm則相當(dāng)于一個(gè)升級(jí)過(guò)渡版本。

再往后，臺(tái)積電的下一個(gè)重大工藝節(jié)點(diǎn)3nm也已經(jīng)取得重大進(jìn)展，技術(shù)研發(fā)非常順利，已經(jīng)有早期客戶參與進(jìn)來(lái)，與臺(tái)積電一起進(jìn)行技術(shù)定義，預(yù)計(jì)2022年初步量產(chǎn)。