明年長江存儲將實現加大3D閃存芯片產能
國產存儲芯片終于“抬起了頭”。
在被美日韓掌控的存儲芯片市場上，終于有中國公司可以殺進去跟國際大廠正面競爭了。據報道，今年一季度，紫光旗下的長江存儲（YMTC）開始投產 64 層堆棧 3D 閃存，容量 256Gb，TLC 芯片，初期的月產能僅有 5000 片。
最新消息稱，長江存儲的 64 層 3D 閃存芯片將在年底前將月產能提高到 6 萬片。
不過，接受采訪時，長江存儲副總裁、聯合 CTO Cheng Weihua 卻表示暫不能透露具體的數據詳情包括下一代更先進產品的研發計劃。
有報道指出，長江存儲預計最早明年初投產 128 層堆棧 3D 閃存，可能會采用第二代 Xtacking 架構。
另外，Cheng Weihua 在參加近日舉辦的集成電路論壇時，還提及磁阻內存和相變內存技術，它們被認為是未來打造非易失性內存的核心要義。
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
閃存芯片
+關注
關注
1文章
129瀏覽量
19874 -
存儲芯片
+關注
關注
11文章
931瀏覽量
44049
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
預期提前，鎧俠再次加速，3D NAND準備沖擊1000層
2030年實現1000層堆疊的3D NAND存儲器。 ? 3D NAND似乎已經成為各大存儲企業競相追逐的“工業明珠”，包括三星、海力士、美
鎧俠與閃迪發布下一代3D閃存技術，實現4.8Gb/s NAND接口速度
兩家公司預展第十代3D閃存技術，為性能、能效和位密度設立新標準舊金山,國際固態電路會議（ISSCC）——鎧俠株式會社與閃迪公司聯合發布一項尖端3D閃存技術，憑借4.8Gb/sNAND接
不再是HBM，AI推理流行，HBF存儲的機會來了？
NAND閃存和高帶寬存儲器（HBM）的特性，能更好地滿足AI推理的需求。 ? HBF的堆疊設計類似于HBM，通過硅通孔（TSVs）將多個高性能閃存核心
【半導體存儲】關于NAND Flash的一些小知識
技術方案。
三、NAND Flash分類
NAND閃存卡的主要分類以NAND閃存顆粒的技術為主，NAND閃存顆粒根據存儲原理分為SLC、MLC、TLC和QLC，從結構上又可分為
發表于 12-17 17:34
長江存儲否認“借殼上市”傳聞
近日，中國領先的存儲芯片制造商長江存儲針對市場上流傳的“借殼上市”傳聞，正式發表了澄清聲明。 有媒體報道稱，長江存儲計劃通過“借殼上市”的方
3D集成電路的結構和優勢
逐漸融合，將不同的芯片設計整合到一個單一的封裝。本文將概述3D 集成電路的優勢，以及它們如何助力未來的先進設備實現異構集成。
發掘3D文件格式的無限潛力：打造沉浸式虛擬世界
在當今數字化時代，3D技術的應用范圍日益廣泛，涵蓋電影后期制作、產品原型設計、虛擬現實（VR）、增強現實（AR）、游戲等眾多領域。而3D文件格式作為3D技術的核心組成部分，對于實現
長江存儲正加速轉向國產半導體設備
面對國際環境的變化，中國半導體產業展現出強大的韌性與決心。自2022年美國實施對華先進半導體設備出口限制，并將3D NAND Flash領軍企業長江存儲納入實體清單以來，長江
長江存儲使用國產設備制造出3D NAND閃存芯片
9月20日最新資訊指出，長江存儲面對美國出口禁令及被列入實體清單的雙重挑戰，展現出了強大的自主創新能力，成功引入國產半導體設備以部分替代原有美系設備，實現了供應鏈的自立自強。
3D DRAM內嵌AI芯片，AI計算性能暴增
當前高帶寬內存(HBM)中的DRAM芯片，通過在3D DRAM中實現AI處理來解決數據總線問題。 ? 通常來說，當前的 AI芯片架構將數據
3D封裝熱設計：挑戰與機遇并存
隨著半導體技術的不斷發展，芯片封裝技術也在持續進步。目前，2D封裝和3D封裝是兩種主流的封裝技術。這兩種封裝技術在散熱路徑和熱設計方面有著各自的特點和挑戰。本文將深入探討2
鎧俠瞄準2027年：挑戰1000層堆疊的3D NAND閃存新高度
在全球半導體行業的激烈競爭中，日本知名存儲芯片制造商鎧俠（Kioxia）展現了其雄心壯志和堅定決心。在結束了長達20個月的NAND閃存減產計劃后，鎧俠的兩座日本工廠生產線開工率已提升至100%，同時上周還公布了其令人矚目的3D
工商網監
評論