博通公司 CTO Henry Samueli 早在 2013 年就表示過，15 年后摩爾定律就不管用了，稱現(xiàn)有半導(dǎo)體工藝將在 5 nm 階段達(dá)到極限。張汝京在 2014 年接受媒體采訪時(shí)表示，摩爾定律極限是 14nm，但是隨著相關(guān)廠商在封裝技術(shù)與材料方面的優(yōu)勢(shì)，該極限可擴(kuò)充至 7nm。

英偉達(dá) CEO 黃仁勛在 CES 2019 上說，長(zhǎng)期以來一直認(rèn)為的 ＂ 計(jì)算機(jī)處理能力將每?jī)赡攴环?＂ 的摩爾定律，已經(jīng)達(dá)到了它的發(fā)展極限。

一代巨擎 Risc 先驅(qū) David Patterson 也表示摩爾定律真的死了，他說：“如果摩爾定律仍然有效，那我們現(xiàn)在就落后了 15 倍。我們正處于后摩爾定律時(shí)代（post－Moore’s Law era）。”

反方（摩爾定律還活著）

“毋庸置疑，摩爾定律依然有效且狀況良好，它沒有死掉、沒有減緩、也沒有帶病。”在第 31 屆 Hotchips 國(guó)際大會(huì)上，臺(tái)積電研發(fā)負(fù)責(zé)人、技術(shù)研究副總經(jīng)理黃漢森（Philip Wong）博士在其專題報(bào)告中說道。他甚至在自己的 PPT 中提及，到 2050 年，晶體管的特征尺寸將到達(dá) 0．1nm。

“摩爾定律已經(jīng)死了？”英特爾說這是誤導(dǎo)，它活得很好。

摩根大通說，ASML 有能力支撐工藝技術(shù)到 1．5 nm 節(jié)點(diǎn)，讓摩爾定律續(xù)命至 2030 年。

激烈辯論的背后，什么是摩爾定律？

在解釋什么是摩爾定律之前，要先解釋一下晶體管。第一個(gè)晶體管是 1947 年由貝爾實(shí)驗(yàn)室制造出來的，如今晶體管泛指一切以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的單一元件，包括各種半導(dǎo)體材料制成的二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管、晶閘管等，晶體管作為一種可變電流開關(guān)，能夠基于輸入電壓控制輸出電流，且具有自控開合、速度快等特點(diǎn)。晶體管絕對(duì)可以算得上是現(xiàn)代微處理器的最核心組成，目前的微處理器中集成了數(shù)十億個(gè)近乎完全相同的晶體管，因此，提高晶體管的性能和密度是提高微處理器工作性能的最直接方法。

而今天講的摩爾定律誕生于 1965 年，是由英特爾（Intel）創(chuàng)始人之一戈登·摩爾（Gordon Moore）提出來的，它揭示了信息技術(shù)進(jìn)步的速度。其內(nèi)容為：當(dāng)價(jià)格不變時(shí)，集成電路上可容納的元器件的數(shù)目，約每隔 18－24 個(gè)月便會(huì)增加一倍，性能也將提升一倍。換言之，每一美元所能買到的電腦性能，將每隔 18－24 個(gè)月翻一倍以上。

有的小伙伴可能會(huì)提出疑問，大家通常在提到摩爾定律的時(shí)候都會(huì)關(guān)聯(lián)到多少 nm，那么晶體管、摩爾定律和我們經(jīng)常所說的多少 nm 又有什么關(guān)系？

其實(shí)，在早期晶體管的縮小都是類二維的，為了滿足摩爾定律，人們會(huì)將晶體管的長(zhǎng)寬各縮小到原來的 0．7，從而獲得面積縮小近一半的目的（0．7＊0．7＆asymp；0．5）。根據(jù)摩爾定律，制程節(jié)點(diǎn)以 0．7 倍（實(shí)際為根號(hào) 2 的倒數(shù)）遞減逼近物理極限，從 1＆mu；m、0．8＆mu；m、0．5＆mu；m、0．35＆mu；m、0．25＆mu；m、0．18＆mu；m、0．13＆mu；m、90nm、65nm、45nm、32nm、22nm、16nm、10nm、7nm、5nm、3nm……，此外還增加定義了如 28nm、20nm、14nm 等半節(jié)點(diǎn)，這些都是根據(jù)傳統(tǒng)的國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)路線圖（ITRS）的規(guī)定，即制程節(jié)點(diǎn)代數(shù)以晶體管的半節(jié)距（half－pitch）或柵極長(zhǎng)度（gate length）等特征尺寸（CD，critical dimension）來表示得出的結(jié)果。

但是節(jié)點(diǎn)的演變沒有完全遵循既定的方向來發(fā)展，尤其是在 20／22nm 引入 FinFET 以后，最小金屬間距的減小變得很慢，廠商為了凸顯出自家的技術(shù)先進(jìn)性，故意將半節(jié)距的定義模糊，從此各家的命名開始混亂起來。

下面是英特爾、臺(tái)積電和格芯三家不同的定義細(xì)節(jié)：

從上圖中，我們就能明白為什么大家所說的英特爾的 10nm 和臺(tái)積電的 7nm 的技術(shù)屬于幾乎同等級(jí)別的了。而目前拉開這兩家晶圓廠的差距是不良率問題，在 10nm、7nm 的關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)上，英特爾被臺(tái)積電完爆，擠牙膏式的“＋”、“＋＋”工藝進(jìn)階寒涼了不少粉絲的心，一個(gè)科技界的指路明燈變成了一個(gè)普通的賺錢機(jī)器。

摩爾定律的要求就是制造更小、更好的微處理器，但是事實(shí)證明這件事情變得越來越難。簡(jiǎn)單的來說就是，芯片單位面積上可集成的與元件數(shù)量一定會(huì)達(dá)到極限，只是沒有人可以告知我們，這個(gè)極限到底是多少，到底什么時(shí)候才會(huì)達(dá)到這個(gè)極限？

從技術(shù)的角度來看，隨著硅片上線路密度的增加，其工藝復(fù)雜性和差錯(cuò)率就會(huì)呈指數(shù)形式增長(zhǎng)，同時(shí)也大大增加了全面測(cè)試的難度。試想，如果芯片內(nèi)連接晶體管的線寬達(dá)到 nm 級(jí)，相當(dāng)于幾個(gè)原子的大小，在這種情況下，材料的物理、化學(xué)性能都將會(huì)發(fā)生質(zhì)的變化，致使采用現(xiàn)行工藝的半導(dǎo)體失去正常工作的能力，摩爾定律也就走到了盡頭。

而放眼當(dāng)下，最大的制約摩爾定律前行的應(yīng)該就是光刻工藝的發(fā)展了。對(duì)于最先進(jìn)的 EUV 技術(shù)來說，不僅光刻設(shè)備是瓶頸，材料甚至光罩上的 pellicle 也是瓶頸。

光刻設(shè)備的難點(diǎn)在于要提供一個(gè)精度與產(chǎn)率兼?zhèn)涞脑O(shè)備系統(tǒng)，不管是光學(xué)系統(tǒng)的精度還是運(yùn)動(dòng)結(jié)構(gòu)都是難點(diǎn)。簡(jiǎn)單舉例來說一個(gè)，一個(gè)鏡片上有一個(gè) 2nm 的凹坑，拿來當(dāng)放大鏡一點(diǎn)毛病沒有，用到 90nm 節(jié)點(diǎn)鏡頭可能也可接受，更高精度的呢？當(dāng)然現(xiàn)有的 10nm 是依靠多重圖形實(shí)現(xiàn)的，并不能一次光刻實(shí)現(xiàn)。但是多重圖形方案也帶來了兩個(gè)問題，一個(gè)是一次光刻下的工程誤差冗余要轉(zhuǎn)嫁到多重圖形方案中，所以光刻設(shè)備的控制精度實(shí)際要進(jìn)一步提升；另一個(gè)是多重圖案即使用 SADP 技術(shù)，也需要多次光刻實(shí)現(xiàn)，這就需要更多的光刻設(shè)備來維持一個(gè)代工廠的芯片周轉(zhuǎn)率。精度要求高、需求量大，因此產(chǎn)能有限，這也從另一個(gè)角度回答了為什么英特爾 10nm 標(biāo)識(shí)限量的原因（上述提到的是良率問題）。

從經(jīng)濟(jì)的角度來看，目前開發(fā)一款 7nm 芯片的成本是 3 億美元，5nm 預(yù)測(cè)是 5 億美元，而 3nm 很可能到 10 億美元。而目前投資建設(shè)一個(gè)新 7nm 工廠是 150 億美元，那么 5nm 工廠將需要投資 300 億美元，3nm 則理論上是 600 億美元。此外，作為工藝環(huán)節(jié)不可缺少的光刻機(jī)廠商，ASML 僅對(duì) EUV 研發(fā)的投入了就達(dá)到了三十年＋90 億歐元之巨（聽說也是向英特爾、臺(tái)積電、三星等巨頭籌資入股才完成的）。

無論是處在哪個(gè)環(huán)節(jié)上，估計(jì)都沒有幾家有這般雄厚的資金傍身，只能驚嘆一句：好可怕的摩爾第二定律！

2019 摩爾定律進(jìn)展如何？

越來越多的人對(duì)摩爾定律持否定或悲觀的態(tài)度，甚至有人戲說：“約每?jī)赡辏С帜柖蓪⑺赖娜司蜁?huì)翻一倍”。今天，與非網(wǎng)借著《記錄 2019》系列專題的機(jī)會(huì)整理了一下 2019 年摩爾定律的進(jìn)展情況（五大廠商），如下。

英特爾：14nm 依舊，10nm 量產(chǎn)

在制程工藝上，Intel 從 2015 年到 2019 上半年都一直在魔改 14nm 工藝；10nm 工藝說是在 2019 年 6 月份量產(chǎn)了，首發(fā)平臺(tái)是 Ice Lake 處理器，6 月份出貨，其他 10nm 工藝產(chǎn)品將到 2020 及 2021 年推出；而下一代 7nm 預(yù)計(jì)會(huì)在 2021 年量產(chǎn)，將首次采用 EUV 光刻工藝，相比 10nm 工藝晶體管密度翻倍，每瓦性能提升 20％，設(shè)計(jì)復(fù)雜度降低 4 倍。從 Intel 公布的 7nm 工藝的具體細(xì)節(jié)來看，晶體管密度翻倍沒有什么意外，正常都應(yīng)該是這樣，不過每瓦性能提升 20％，這個(gè)數(shù)據(jù)要比預(yù)期更低，說明在 10nm 之后，Intel 的先進(jìn)工藝在性能提升方面遇到瓶頸了。

信息源：英特爾

另據(jù)外媒報(bào)道，在今年的 IEEE 國(guó)際電子設(shè)備會(huì)議（IEDM）上，英特爾發(fā)布 2019 年到 2029 年未來十年制造工藝擴(kuò)展路線圖，從路線圖上看，英特爾計(jì)劃用 10 年的時(shí)間，將制造工藝由 10nm 升級(jí)至 1．4nm。期間每?jī)赡晟?jí)一次，每代會(huì)有＋和＋＋兩個(gè)迭代版本，其中 10nm 稍有不同，其包含 10nm＋＋和 10nm＋＋＋兩個(gè)迭代版本。

臺(tái)積電：7nm 量產(chǎn)，6nm 量產(chǎn)，5nm 良率達(dá) 50％，3nm 成功流片

臺(tái)積電是全球 7nm 工藝的晶圓廠的最大贏家，其公司總裁魏哲家在 6 月份時(shí)表示，現(xiàn)在市面上所有用 7nm 工藝制造的芯片，全部都是臺(tái)積電生產(chǎn)的。數(shù)據(jù)顯示，截至 2019 年 6 月份，臺(tái)積電 7nm 已經(jīng)獲得了 60 個(gè) NTO（New Tape Out 的縮寫，也就是新產(chǎn)品流片），預(yù)測(cè)在 2019 年這個(gè)數(shù)字也將會(huì)突破 100 個(gè)。

在 7nm 工藝之后，臺(tái)積電今年還推出了 7nm＋工藝，作為臺(tái)積電首個(gè)使用 EUV 光刻技術(shù)的節(jié)點(diǎn)，臺(tái)積電的 7nm＋的邏輯密度是前一代工藝（7nm）的 1．2 倍，在良率方面的表現(xiàn)和 7nm 相比也不分伯仲。

在 7nm 和 7nm＋工藝之后，臺(tái)積電推出了 6nm 工藝，按照臺(tái)積電的說法，這個(gè)工藝將會(huì)在未來相當(dāng)長(zhǎng)的一段時(shí)間內(nèi)扮演重要的角色。

信息源：臺(tái)積電

在 6nm 之后，臺(tái)積電提到了專門為移動(dòng)和 HPC 應(yīng)用優(yōu)化的 5nm 工藝，據(jù)最新消息稱臺(tái)積電的 5nm 工藝良率已經(jīng)達(dá)到了 50％，比當(dāng)初 7nm 工藝試產(chǎn)之前還要好，最快明年第一季度就能投入大規(guī)模量產(chǎn)。

在 5nm 之后，臺(tái)積電也規(guī)劃了一個(gè)性能增強(qiáng)版的 5nm＋工藝。據(jù)介紹，這個(gè)工藝較之 5nm 將有 7％的速度提升，15％的功耗降低。

再往后，臺(tái)積電就要進(jìn)入深水區(qū)了，迎來晶體管結(jié)構(gòu)大改的 3nm 工藝，據(jù)最新消息顯示，臺(tái)積電對(duì) 3nm 工藝的發(fā)展情況很滿意。

在 3nm 工藝之后，臺(tái)積電也在積極進(jìn)軍 2nm 節(jié)點(diǎn)，這個(gè)工藝目前來說還是在技術(shù)規(guī)劃階段，臺(tái)積電給自己制定的目標(biāo)是 2nm 工藝 2024 年量產(chǎn)。

三星：7nm 量產(chǎn)，6nm 量產(chǎn)，5nm 測(cè)試

三星在 10nm、7nm 及 5nm 節(jié)點(diǎn)的進(jìn)度都會(huì)比臺(tái)積電要晚一些，導(dǎo)致臺(tái)積電幾乎包攬了目前的 7nm 芯片訂單，三星只搶到 IBM、NVIDIA 及高通部分訂單。

信息源：Sumsung

根據(jù)路線圖，三星工藝近期有 14nm 、10nm、7nm、3nm 三個(gè)重要節(jié)點(diǎn)，其中 14nm 會(huì)演化出 11nm，10nm 會(huì)演化出 8nm，7nm 則會(huì)演化出 6nm、5nm、4nm。

而每種工藝往往又會(huì)根據(jù)性能、功耗的不同而分為多個(gè)版本，比如 14nm 分成了 14LPE、14LPP、14LPC、14LPU，3nm 則分成 3GAE、3GAP，預(yù)計(jì)會(huì)采用全新的材料。

在工藝進(jìn)度上，三星今年 4 月份已經(jīng)在韓國(guó)華城的 S3 Line 工廠生產(chǎn) 7nm 芯片，今年 9 月宣布完成了 4nm 工藝的開發(fā)。

此外，三星在 9 月日本舉行的“三星晶圓代工論壇”SFF 會(huì)議上表示，在 3nm 節(jié)點(diǎn)，三星將從 FinFET 晶體管轉(zhuǎn)向 GAA 環(huán)繞柵極晶體管工藝，其中 3nm 工藝使用的是第一代 GAA 晶體管，官方稱之為 3GAE 工藝，預(yù)計(jì)在 2020 年完成 3nm 工藝開發(fā)。會(huì)上，三星還公布了 3nm 工藝的具體指標(biāo)，與現(xiàn)在的 7nm 工藝相比，3nm 工藝可將核心面積減少 45％，功耗降低 50％，性能提升 35％。

格芯：轉(zhuǎn)戰(zhàn) FD－SOI

信息源：格芯

格芯作為全球第二大晶圓代工廠，在 2018 年沒能逃脫虧損的命運(yùn)，以致于母公司阿布扎比穆巴達(dá)拉投資基金都撐不住了，在去年 8 月份宣布停止燒錢的 7nm 及以下工藝研發(fā)，和賣掉一系列晶圓廠后，轉(zhuǎn)戰(zhàn) FD－SOI，來滿足高速增長(zhǎng)的物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)。在第七屆上海 FD－SOI 論壇上，格芯高級(jí)副總裁 Americo Lemos 表示，格芯已經(jīng)擁 22 個(gè)應(yīng)用平臺(tái)，包括毫米波、存儲(chǔ)和射頻等。目前，格芯已經(jīng)從 40、50 nm 工藝深入到 22 nm。在 2019 年，22FDX 工藝已經(jīng)有 26 個(gè)產(chǎn)品 tape out，其中一半的客戶來自于中國(guó)市場(chǎng)。

此外，格芯（GlobalFoundries）在 9 月宣布，采用 12nm FinFET 工藝，成功流片了基于 ARM 架構(gòu)的高性能 3D 封裝芯片。這意味著格芯亦投身于 3D 封裝領(lǐng)域，將與英特爾、臺(tái)積電等公司一道競(jìng)爭(zhēng)異構(gòu)計(jì)算時(shí)代的技術(shù)主動(dòng)權(quán)。

中芯國(guó)際：14nm 量產(chǎn)

信息源：中芯國(guó)際

很長(zhǎng)一段時(shí)間內(nèi)，代表大陸自主技術(shù)水平的就是中芯國(guó)際、華虹半導(dǎo)體的 28nm 工藝，而近日中芯國(guó)際對(duì)外宣稱其 14nm 制程工藝的芯片已經(jīng)正式實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，并將于 2021 年正式出貨。

此外，中芯國(guó)際于 2019 年從 ASML 購(gòu)入了一臺(tái) EUV 光刻機(jī)，為研發(fā) 7nm 工藝做準(zhǔn)備。雖然距離世界先進(jìn)水平還有距離，但這也算是“中國(guó)芯”史上的一大突破吧。

續(xù)命：采用 3D 封裝搶占異構(gòu)技術(shù)制高點(diǎn)

當(dāng) 1995 年，當(dāng)大家唱衰晶體管 65nm 是瓶頸的時(shí)候，采用氧化硅的柵氧層厚度隨著節(jié)點(diǎn)的進(jìn)步降到了 2nm，但是采用 high k 材料后集成電路仍然在向更密集發(fā)展。

當(dāng)大家都以為 1999 年就是那個(gè)極限的時(shí)候，胡正明成功研制出了 FinFet，它將半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的維度從二維提升到了三維，提升了我們對(duì)晶體管通斷性質(zhì)的控制，也很好地解決了由于尺寸縮小而帶來的漏電流過大的問題，使晶體管制程進(jìn)化到如今的 7nm 工藝。

所以說沒有人會(huì)知道真正的極限在哪里，如今再遇瓶頸，成本、單芯片體積、散熱問題、測(cè)試、EDA 工具等等，唱衰不是沒有道理。然而微電子研究中心 IMEC 篤信將在 2024 年實(shí)現(xiàn) 2．5nm 左右的工藝節(jié)點(diǎn)，此外，1nm 的目標(biāo)也可以實(shí)現(xiàn)，到那時(shí)各廠市場(chǎng)部宣傳的單位將是埃米而不是納米。

信息源：知網(wǎng)

是什么給了“IMEC 派”勇氣？

答案是互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（CFET）和垂直納米線 FET（VFET）。

CFET 是一種更復(fù)雜的全柵型器件，可以將一個(gè) nFET 堆疊在 pFET 導(dǎo)線的頂部，或者將兩個(gè) nFET 堆疊在兩個(gè) pFET 導(dǎo)線的頂部，來縮小面積，從而獲得更大的功率和更好的性能。

垂直納米線 FET（VFET），顧名思義采用的是垂直地堆疊導(dǎo)線方式，即源極、柵極和漏極堆疊在一起，它是縮放 SRAM 的有效方式，但它不能縮小邏輯單元。

這些技術(shù)還都沒有被推廣開來，因此前途未卜，就目前而言，像臺(tái)積電、英特爾等巨頭紛紛選擇了 3D 封裝技術(shù)，來解燃眉之急。

臺(tái)積電在 2018 年 4 月的美國(guó)加州圣塔克拉拉（Santa Clara）第二十四屆年度技術(shù)研討會(huì)上首都宣布創(chuàng)新的系統(tǒng)整合單芯片（SoIC）多芯片 3D 堆疊技術(shù)，是采用硅穿孔（TSV）技術(shù)，達(dá)到無凸起的鍵合結(jié)構(gòu)，可以把很多不同性質(zhì)的臨近芯片整合在一起，直接透過微小的孔隙溝通多層的芯片，達(dá)成在相同的體積增加多倍以上的性能，從而持續(xù)維持摩爾定律的優(yōu)勢(shì)。

英特爾也在 2018 年 12 月首次推出全球第一款 3D 封裝技術(shù) Foveros，隨后推出的 Lakefield 芯片算是一個(gè)驗(yàn)證。而在今年召開的 SEMICON West 大會(huì)上，英特爾再次推出了一項(xiàng)新的封裝技術(shù) Co－EMIB，它能夠讓兩個(gè)或多個(gè) Foveros 元件互連，并且基本達(dá)到單芯片的性能水準(zhǔn)。設(shè)計(jì)人員也能夠利用 Co－EMIB 技術(shù)實(shí)現(xiàn)高帶寬和低功耗的連接模擬器、內(nèi)存和其他模塊。

綜上，3D 封裝技術(shù)在異構(gòu)計(jì)算時(shí)代，面對(duì)多種不同類型的芯片集成需求，是一種非常有效的解決方案。

寫在最后

就如美國(guó) CyberCash 公司的 CEO 丹？林啟表示：“摩爾定律是關(guān)于人類創(chuàng)造力的定律，而不是物理學(xué)定律”。我們不能否認(rèn)摩爾定律帶動(dòng)了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的白熱化，它一方面可以倒逼技術(shù)的演進(jìn)，但另一方面也極致地體現(xiàn)了資本家早有準(zhǔn)備的利益最大化思想，因此摩爾定律稱不上是真正意義上的定律，而只是謀取利益的一種手段。

基于以上理念，摩爾定律是否已死？其實(shí)已經(jīng)沒有實(shí)質(zhì)意義，也許在未來 10 年內(nèi)就會(huì)被其他所謂的“時(shí)代定律”所替代，但是這種創(chuàng)新的精神還是值得傳揚(yáng)的，你說呢？