據(jù)悉，臺(tái)積電3納米將繼續(xù)采取目前的FinFET晶體管技術(shù)。

這意味著臺(tái)積電確認(rèn)了3納米工藝并非FinFET技術(shù)的瓶頸，甚至還非常有自信能夠在相同的FinFET技術(shù)下，在3納米制程里取得水準(zhǔn)以上的良率。這也代表著臺(tái)積電的微縮技術(shù)遠(yuǎn)超過(guò)其他的芯片制造商。

當(dāng)制程下探，電路無(wú)可避免的會(huì)遭遇到控制的困難，產(chǎn)生如漏電、電壓不穩(wěn)定等的短通道效應(yīng)（Short-channel Effects）。而為了有效抑制短通道效應(yīng)，盡可能的增加電路的面積，提高電子流動(dòng)的穩(wěn)定性，就是半導(dǎo)體制造業(yè)者重要的考量，而鰭式晶體管（FinFET）架構(gòu)就因此而生。

FinFET運(yùn)用立體的結(jié)構(gòu)，增加了電路閘極的接觸面積，進(jìn)而讓電路更加穩(wěn)定，同時(shí)也達(dá)成了半導(dǎo)體制程持續(xù)微縮的目標(biāo)。但這個(gè)立體結(jié)構(gòu)的微縮也非無(wú)極限，一但走到了更低的制程之后，必定要轉(zhuǎn)采其他的技術(shù)，否則摩爾定律就會(huì)就此打住。

也因此，三星電子（Samsung）在2019年就宣布，將在3納米制程世代，改采閘極全環(huán)（Gate-All-Around，GAA）的技術(shù)，作為他們FinFET之后的接班制程；無(wú)獨(dú)有偶，目前的半導(dǎo)體龍頭英特爾（Intel），也在不久前宣布，將投入GAA技術(shù)的開(kāi)發(fā)，并預(yù)計(jì)在2023年推出采用GAA制程技術(shù)的5納米芯片。

由于世界前兩大的半導(dǎo)體廠都相繼宣布投入GAA的懷抱，因此更讓人篤定，也許3納米將會(huì)是GAA的時(shí)代了，因?yàn)橹?納米制程，F(xiàn)inFET晶體管就可能面臨瓶頸，必須被迫進(jìn)入下個(gè)世代。

唯獨(dú)臺(tái)積電，仍將在3納米世代延續(xù)FinFET晶體管的技術(shù)。進(jìn)入3納米世代，也因此他們不用變動(dòng)太多的生產(chǎn)工具，也能有較具優(yōu)勢(shì)的成本結(jié)構(gòu)。而對(duì)客戶來(lái)說(shuō)，也將不用有太多的設(shè)計(jì)變更，也有助于客戶降低生產(chǎn)的成本。若最終的產(chǎn)品性能還能與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手平起平坐，那臺(tái)積電可能又將在3納米產(chǎn)品世代再勝一籌。

尤其是對(duì)客戶來(lái)說(shuō)，在先進(jìn)制程的開(kāi)發(fā)里變更設(shè)計(jì)，無(wú)論是改變?cè)O(shè)計(jì)工具或者是驗(yàn)證和測(cè)試的流程，都會(huì)是龐大的成本，時(shí)間和金錢都是。因此若能維持當(dāng)前的設(shè)計(jì)體系，對(duì)臺(tái)積電和客戶來(lái)說(shuō)，都會(huì)是個(gè)雙贏局面。