編者按：在存儲(chǔ)產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)中，三星已經(jīng)在制程和產(chǎn)能上領(lǐng)先，三星最新成立芯片專家組，以提高閃存芯片的生產(chǎn)良率。最新報(bào)道，中國長(zhǎng)江存儲(chǔ)二期正式開建，國家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目總投資達(dá)240億美元。其中，一期主要實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破，并建成10萬片/月產(chǎn)能；二期規(guī)劃產(chǎn)能20萬片/月

6月20日上午，以長(zhǎng)江存儲(chǔ)二期廠房為施工主體的國家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目二期在武漢東湖高新區(qū)未來科技城國家存儲(chǔ)器基地建設(shè)工地開工建設(shè)。

在開工儀式上，紫光集團(tuán)兼長(zhǎng)江存儲(chǔ)公司董事長(zhǎng)趙偉國介紹了項(xiàng)目情況。

他表示，國家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目一期開工建設(shè)以來，從一片荒蕪之地變成了一座世界領(lǐng)先的存儲(chǔ)器芯片工廠，實(shí)現(xiàn)了技術(shù)水平從跟跑到并跑的跨越。

國家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目由紫光集團(tuán)、國家集成電路基金、湖北省科投集團(tuán)和湖北省集成電路基金共同投資建設(shè)，計(jì)劃分兩期建設(shè)3D NAND閃存芯片工廠。

項(xiàng)目一期于2016年底開工建設(shè)，進(jìn)展順利，32層、64層存儲(chǔ)芯片產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn)，并成功研制出目前業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND 閃存芯片容量的128層閃存芯片。

國家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目總投資達(dá)240億美元。其中，一期主要實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破，并建成10萬片/月產(chǎn)能；二期規(guī)劃產(chǎn)能20萬片/月，兩期項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后月產(chǎn)能共計(jì)30萬片。

三星成立芯片專家團(tuán)隊(duì) 提升NAND生產(chǎn)良率

據(jù)韓媒Sammobile報(bào)道，這家芯片巨頭已經(jīng)成立了一個(gè)專家組，以提高其閃存芯片的生產(chǎn)良率。

該小組有來自三星設(shè)備解決方案 (SDS) 制造技術(shù)中心的專家、以及負(fù)責(zé)NAND閃存生產(chǎn)的高管。新的團(tuán)隊(duì)將解決芯片生產(chǎn)過程中出現(xiàn)的任何問題，并實(shí)施提高整個(gè)流程生產(chǎn)效率的步驟。

目前在128層V-NAND閃存芯片生產(chǎn)方面，三星面臨著英特爾和YMTC (長(zhǎng)江存儲(chǔ)) 等公司的激烈競(jìng)爭(zhēng)，因此公司希望確保工藝是行業(yè)內(nèi)最高效的，并提高生產(chǎn)良率。公司還在投資擴(kuò)大閃存芯片的產(chǎn)能。

三星采用了通道孔蝕刻技術(shù)，從上到下穿孔疊加128層。這提供了層與層之間的電連接。層數(shù)越高，閃存容量越大。單堆疊法表示一次穿孔的工藝，三星在生產(chǎn)第6代NAND閃存芯片時(shí)采用了這種方法，以提高價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力。還有一種雙層疊加法，就是分兩步穿孔，但成本高達(dá)30%以上。

據(jù)稱，與穿透96層NAND閃存芯片相比，穿透128層NAND閃存芯片所需的時(shí)間是其兩倍。三星的新任務(wù)組將努力克服盡可能多的限制，形成更大的技術(shù)壁壘。這是三星“Super Gap”計(jì)劃中的重要一環(huán)，希望通過巨大技術(shù)優(yōu)勢(shì)讓競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手無法追趕。

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