近日，戴爾公司、戴爾技術(shù)公司和戴爾技術(shù)有限責(zé)任公司（統(tǒng)稱“戴爾”）在美國德克薩斯州西區(qū)地方法院被 James B. Goodman 起訴。

據(jù)悉，Goodman 的訴訟專利是美國專利號 4617624B2；6243315B1（“315 專利”）和 6257911b1，分別命名為多組態(tài)存儲電路、低功耗模式下的計(jì)算機(jī)存儲系統(tǒng)和低插入力擦除連接器。戴爾被指控在美國制造、進(jìn)口和銷售的侵權(quán)產(chǎn)品侵犯了這些專利。

Goodman 在專利文件中指出，戴爾提供的一種用于計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的存儲系統(tǒng)，至少侵犯了“315 專利”的第 5 項(xiàng)權(quán)利要求，該計(jì)算機(jī)系統(tǒng)具有多個易失性固態(tài)存儲設(shè)備，這些設(shè)備在施加電源時會保留信息。所述存儲器件處于預(yù)定電壓范圍內(nèi)，并且能夠置于自刷新模式。據(jù)稱，戴爾采用的 DDR4 內(nèi)存產(chǎn)品符合美國聯(lián)合電子設(shè)備工程委員會固態(tài)技術(shù)協(xié)會（JEDEC）的要求，意味著該產(chǎn)品符合規(guī)定的標(biāo)準(zhǔn)和要求。

投訴還進(jìn)一步解釋了 DDR4 SDRAM 內(nèi)部配有 16 個存儲區(qū)的高速動態(tài)隨機(jī)存取存儲器，這意味著存儲系統(tǒng)中有兩個或多個存儲設(shè)備可以向其中寫入數(shù)據(jù)或從中寫入數(shù)據(jù)。可以在將電源施加到存儲設(shè)備上時檢索數(shù)據(jù)，并且當(dāng)電壓達(dá)到該范圍之外的預(yù)定閾值時，存儲設(shè)備將不再保留其當(dāng)前信息狀態(tài)。

另外，Goodman 聲稱該芯片需要 JEDEC 規(guī)定的“特定范圍的施加電壓來保留數(shù)據(jù)”。因此，原告使用這一所謂的信息，即 DDR4 假設(shè)使用多個需要電源的易失性狀態(tài)存儲設(shè)備，作為其指控戴爾使用這項(xiàng)專利技術(shù)的證據(jù)。

此外，如專利權(quán)利要求所述，DDR4 SDRAM 據(jù)稱“能夠被置于自刷新模式中”。權(quán)利要求 5 指出，當(dāng)“存儲器設(shè)備被電隔離時，在地址線和控制線上接收到的任何信號都不會到達(dá)所述存儲設(shè)備”。

根據(jù)投訴，Goodman 正在尋求宣告性判決，損害賠償，成本和費(fèi)用賠償，特許權(quán)使用費(fèi)賠償以及其他救濟(jì)。