磁敏二極管的外形如下圖（a）所示。較短的引腳為負極（N+區(qū)）。凸出面為磁敏感面，即下圖（a）中箭頭所指的那一面。下圖（b）所示為磁敏二極管的電路圖形符號。

1．磁敏二極管的基本結構

磁敏二極管的基本結構如圖4-6所示。它的結構形式與PIN二極管相似，是一種P+-I-N+結構的半導體器件。

如下圖所示，它是一種用一塊接近于本征的高純度半導體材料硅或鍺，在其兩端用合金或擴散法分別制作P+和N+區(qū)，中間隔以較長的近本征區(qū)，從而形成P+-I-N+結構。再在本征區(qū)的側面上，用研磨或擴散等工藝形成高復合區(qū)r，由此制成磁敏二極管。P+端引線為正極端，N+端引線為負極端。

需要說明的是：磁敏二極管中間間隔的近本征區(qū)的長度大于空穴和電子的擴散長度。

2．磁敏二極管的工作原理

要使磁敏二極管正常工作，必須在P+端接電源正極，N+端接電源負極，它也具有單向導電特性。在無外磁場時，空穴由P+區(qū)注入到I區(qū)，電子由N+區(qū)注入到I區(qū)。流入I區(qū)的電子和空穴構成了電流，很少一部分在I區(qū)復合掉。

（1）加B+磁場

當加上如圖上圖（a）所示的磁場B+時，由于洛倫茲力的作用，電子和空穴都會向高復合區(qū)r處偏轉。在r區(qū)電子和空穴的復合率很高，由于大量的空穴和電子已復合，使I區(qū)載流子濃度降低，電阻增大，電流減小，

（2）加B-磁場

當加上如上圖（b）所示的反向磁場B-時，注入I區(qū)的電子和空穴會離開復合區(qū)向r面相對的方向偏轉。這樣，電子和空穴的復合率就減小，載流子濃度增大，電阻減小，電流增大。

隨著磁場強度的增加，電阻的變化增大，由于磁敏二極管把空穴和電子兩種載流子注入效應和復合效應巧妙地結合起來，因此對磁場的靈敏度很高。

流過磁敏二極管的電流會隨磁場的強弱和方向發(fā)生變化，因此磁敏二極管是探測磁場的有效器件。