三星屏幕恢復對華為供貨：內存閃存想獲許可困難
今日，數家外媒援引消息人士報道稱，三星Display已經拿到了美方的許可令，獲準繼續向華為出貨OLED顯示面板。
有報道跟進稱，三星Display是韓企中第一家拿到許可的廠商，而之所以審批這么快，除了三星第一時間就提交申請并積極斡旋之外，更重要的是，美方發現，顯示屏領域的競爭較為充分，可替代廠商比較多，并不需要施加很嚴格的壓力。
從這個角度來看的話，同樣已經提交申請解禁的LG Display，或許很快也能收到答復了。
不過，三星和SK海力士提交的存儲芯片申請恐怕就沒那么順利了，這才是美方施展卡脖子手段的關鍵。至少在目前，內存等半導體芯片的復供申請均未得到許可。
雖然Intel的處理器可替代性也很低，但該公司上月強調，其早就爭取到了對華為繼續供貨的資格。
責任編輯：PSY
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
三星電子
+關注
關注
34文章
15884瀏覽量
181471 -
華為
+關注
關注
216文章
34582瀏覽量
253438 -
內存
+關注
關注
8文章
3074瀏覽量
74467
發布評論請先 登錄
相關推薦
諾基亞與三星正式達成多年專利許可合作
近日，諾基亞宣布了一項與三星達成的多年專利許可協議。該協議標志著兩家科技巨頭在專利交叉授權領域的新一輪合作，特別是針對電視視頻技術的使用。 據諾基亞于1月15日發布的聲明顯示，三星將在其電視產品中
三星電子削減NAND閃存產量
近日，三星電子已做出決定，將減少其位于中國西安工廠的NAND閃存產量。這一舉措被視為三星電子為保護自身盈利能力而采取的重要措施。 當前，全球NAND閃存市場面臨供過于求的局面，預計今年
三星或受內存芯片價格下跌影響
近日，信榮證券分析師Park Sang-wook對三星電子的未來前景表達了擔憂。他預測，由于客戶庫存過剩，三星電子在2025年上半年可能會面臨內存芯片價格下跌的挑戰。 Park指出，盡管下半年芯片
英偉達加速認證三星AI內存芯片
近日，英偉達公司正在積極推進對三星AI內存芯片的認證工作。據英偉達CEO透露，他們正在不遺余力地加速這一進程，旨在盡快將三星的內存解決方案融入其產品中。 此次認證工作的焦點在于
三星MLC NAND閃存或面臨停產傳聞
近日，業界傳出消息稱，三星電子將大幅削減MLC NAND閃存的產能供給，并計劃在2024年底停止在現貨市場銷售該類產品，而到了2025年6月，MLC NAND閃存可能會正式停產。這一消息引起了業界
三星HBM3e獲英偉達認證，加速DRAM產能轉型
市場供貨。這一里程碑式的進展，不僅彰顯了三星在高端內存技術領域的深厚積累，也為其在競爭激烈的HBM市場中搶占更多份額奠定了堅實基礎。
三星電子突破瓶頸,HBM3e內存芯片獲英偉達質量認證
在科技界的密切關注下，三星電子與英偉達之間的合作再次傳來振奮人心的消息。據韓國主流媒體NewDaily最新報道，三星電子已成功通過英偉達的HBM3e（高帶寬內存）質量測試，標志著這家科技巨頭在高端
漲價20%！三星、 SK 海力士將停止供貨這類芯片
業界傳出，全球前二大DRAM供貨商三星、SK海力士全力沖刺高帶寬內存（HBM）與主流DDR5規格內存，下半年起將停止供應DDR3利基型DRAM，引起市場搶貨潮，導致近期DDR3價格飆漲
三星勝訴Netlist內存專利案，獲3.3億美元免賠
該訴訟源于2015年Netlist指控三星背離與其達成的聯合開發許可協議；2021年，Netlist再度指責三星云服務器內存中的技術侵犯其專利。
三星獨家供貨英偉達12層HBM3E內存
據最新消息透露，英偉達即將從今年9月開始大規模采購12層HBM3E內存，而這次供貨的重任將完全由三星電子承擔。這一消息無疑為業內帶來了不小的震動。
三星研發CXL混合存儲模組，實現閃存與CPU數據直傳
據三星展示的圖片顯示，此模組可以通過CXL接口在閃存部分及CPU之間進行I/O塊傳輸，也可以運用DRAM緩存和CXL接口達到64字節的內存I/O傳輸。
英偉達CEO贊譽三星HBM內存，計劃采購
提及此前有人預測英偉達可能向三星購買HBM3或HBM3E等內存，黃仁勛在會上直接認可三星實力，稱其為“極具價值的公司”。他透露目前已對三星HBM內
三星計劃NAND閃存價格談判 欲漲價15%—20%
三星計劃NAND閃存價格談判 欲漲價15%—20% 三星認為NAND Flash價格過低；在減產和獲利優先政策的促使下三星計劃與客戶就NAND閃存
工商網監
評論