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芯片破壁者(4):兵戈未息的DRAM戰場

電子設計 ? 來源:電子設計 ? 作者:電子設計 ? 2020-10-30 11:13 ? 次閱讀

在《芯片破壁者》系列的前三篇中,我們依次講述了晶體管、硅材料、光刻技術的時代變局。

至此,制造一塊集成電路IC)芯片的前期準備已經就緒。接下來就是大家熟悉的劇情,半導體作為基石,成就了今天無處不在、繁花似錦的網絡世界。

而在眾多半導體芯片分支當中,計算機必不可少的存儲器,就如同宇宙的暗物質一樣隱秘,卻占據著非常重要的位置。

說它隱秘,是因為在電腦硬件的發展史中,存儲器所引發的市場輿論與處理器、顯卡等相比,用“默默無聞”形容也不過分。

然而,沉默并不代表不重要,事實上,作為市場容量最大的芯片存儲器, 圍繞 DRAM 所發生、你死我活的搏殺,絕對算得上“驚心動魄”。舉個例子,開創 DRAM 產業的“三巨頭”:英特爾德州儀器和 IBM,最終都在 DRAM 市場慘淡收場。

DRAM 不僅對電子技術的發展起到了推動作用,更在各國半導體戰爭中扮演著舉足輕重的角色。今天,我們不妨嗅著戰火硝煙的氣息,回歸那些令人唏噓的歷史現場。

星條旗的隕落:美日半導體戰爭的側影

當我們回過頭去,分析一個締造了 DRAM 商業傳奇的國家產業區位是如何從興盛走向衰頹,可以找到許多重要的歷史節點。比如許多人都將 1970 年代看做是美國 DRAM 產業的轉折點,也是從此時起,美日進入了曠日持久的半導體搶位賽。

但我更想將時間撥到 60 年代。在邁進光輝的 70 年代之前,德州儀器用行動證明了列寧的一句話——資本家為了利益,可以出賣絞死自己的繩子。

這根絞死美國 DRAM 市場主導權的繩子,就是 DRAM 專利。

在此之前,美國企業之間固然有競爭,但都收獲頗豐。

不論是發明了金屬氧化物半導體(MOS)晶體管來制作存儲器芯片的 IBM,還是制造出第一個商用 DRAM 芯片、磁芯存儲器殺手 C1103 的英特爾,緊隨其后進行拆解仿制的德州儀器,亦或是由德州儀器出走的工程師成立的莫斯泰克……上世紀 70 年代,是這些美國 DRAM 廠商的黃金時代,它們壟斷了全球的半導體存儲器份額。

1974 年,英特爾占據了全球 82.9%的 DRAM 市場份額。70 年代后期,莫斯泰克 64K 容量的 MK4164 一度占據了全球 DRAM 市場 85%的份額。

(莫斯特克 4K DRAM)

但產業失敗轉移的伏筆,其實早在 1966 年就已經埋下。

那一年,美國德州儀器為了打開貿易保護的日本市場,以自己擁有的 IC 制程核心專利進行引誘。日本通產省在拿到技術與保護本國市場之間絞盡腦汁,最終在兩年后由日本索尼與德州儀器簽訂了協議,同意美方在日本設立合資公司,雙方各占股 50%,條件是三年內,德州儀器必須向日本公開相關技術專利。

原本就在集成電路領域有所部署的日本半導體企業,拿到了夢寐以求的核心技術,這下還猶豫什么?“搏一搏,單車變摩托”!

日本內存行業龍頭的 NEC 公司,很快成為日本第一家研制出 DRAM 內存的企業。1970 年,英特爾研制出 C1103 1K DRAM 內存后,日本 NEC 在第二年就推出了采用 NMOS 工藝的 1K DRAM 內存。

當然,此時的美國在技術上依然擁有超強的領先優勢。同期,美國 DRAM 已經用上了超大規模集成電路(VLSI),而日本還停留在上一代技術大規模集成電路(LSI)。

這樣下去當然不行,于是日本政府大手一揮,1976 年 3 月啟動了"DRAM 制法革新"國家項目。政府出資 320 億日元,日立、NEC、富士通、三菱、東芝五大企業聯合籌資 400 億日元,共計 2.36 億美元投入到國家性科研機構——“VLSI 技術研究所”中。

項目成立后,800 多名技術精英加入,共同研制日本的高性能 DRAM 制程設備。短期目標是突破 64K DRAM 和 256K DRAM 的實用化,長期則計劃在 10-20 年內,實現 1M DRAM 的實用化。

“氪能改命”在半導體的世界也同樣適用?;ㄗ懔隋X的日本很快追上了美國的技術腳步,1978 年,美國 IBM、莫斯泰克、德州儀器發布了 64K DRAM 大規模集成電路產品。同一時刻,日本的 64K DRAM 產品也問世了。日本也借此順利打入國際市場,集成電路的出口迅速增加。

也是由此時起,日本在 DRAM 市場的霸主地位逐步穩固。

1985 年 10 月,英特爾宣布退出 DRAM 市場,關閉了生產 DRAM 的七座工廠,離開舞臺。

1986 年,美日簽訂第一次《美日半導體協議》時,美國半導體產品在日本市場占有率被放寬到了 20%。但此時的日本早已非吳下阿蒙,憑借此前積累的技術研發優勢,順利抵抗住了美國制裁。

也是在這一年,日本 NEC 開發出世界第一塊 4M DRAM。到了 1988 年,全球 20 大半導體廠商中,日本占據了 11 家,NEC、東芝、日立包攬了前三名,將摩托羅拉、德州儀器甩在了身。次年,IBM 也將合資工廠出售給東芝,退出了 DRAM 市場。

至此,星條旗降下 DRAM 的桅桿,武士刀正式稱王,日本成為世界第一大半導體生產國。

有意思的是,NEC 率領的日本軍團在 70 年代末殺入,擊碎了美國企業在 DRAM 領域的光環。但英特爾放棄 DRAM、轉入代表未來的微處理器領域,也是受日本企業的啟發。1970 年,在英特爾的高光時刻,一個日本電腦商 Busicom 前來下訂單,要定制一個包含 ROM、RAM 和 CPU 等 12 個芯片的處理系統,并預付了 6 萬美元。正是這份技術含量頗高的訂單,促使英特爾在當年相繼拿出了 4001(動態內存 DRAM)、4002(只讀存儲器 ROM)、4003(寄存器)、4004(微處理器 CPU)等四顆芯片,為后來開發出 8008 微處理器奠定了基礎。

生與死,協作與博弈,就這樣以沉默的姿態,在時代的長河中被反復沖刷。有的沉積為河床,有的繼續向前奔涌。

武士刀的夾擊:小紅靠捧,大紅靠命

向前奔涌的 DRAM 領域“后浪”日本,并沒能浪出多遠。

短短兩年后,日本在全球半導體產業的市場份額就滑落到了 50%以下。這種令業界咋舌的速度,來自產業內外的雙重夾擊。

在內部,率先交付 4M DRAM 產品的日本企業并沒有像預期的那樣轉暖,市場價格花羅,日系廠商們不得不減產來穩定物價。

這邊日本在減產,而日本扶持的韓國廠商則抓住機會,三星、現代、LG 和大宇全部安排資金,進入了 DRAM 領域。它們的核心策略就是——價格戰!

1983 年,三星集團出資 1000 億韓元(約 1.33 億美元),進軍半導體產業,并聚焦在 DRAM 領域。資金到位了,技術從哪里來呢?德州儀器、摩托羅拉等家大業大,當然不需要賣技術;日本 NEC、東芝、日立等公司也不可能自掘墳墓。最后,是在被在日本廉價 DRAM 產品的擠壓中喘息的美光科技將 64K DRAM 的技術授權給了韓國三星。

“專利販子”三星又從夏普買來了量產制程設備,就此上位。

產品做了還要有出路。1986 年,受美日半導體協議的約束,日本企業被迫縮減對美國的出口,三星也在此時上位,在美國市場大獲成功。次年實現盈利后,三星又積極投入到 1M DRAM 的研發,繼續追趕日本企業。

日本企業一想,價格戰誰不會。果斷以低于韓國產品成本一半的價格大量拋售,打算以此勸退韓國企業。結果韓國最不缺的就是財團,它們懷抱著“傷敵一千、自損八百”的氣勢,跟日本硬剛,不僅抗住了巨額的虧損,還繼續追加投資。

一通操作下來,韓國半導體企業沒有被逼退,反而具備了趕超日本的技術體系。1992 年的時候,韓國三星就率先推出了全球第一個 64M DRAM 產品,超越日本 NEC 成為世界第一大 DRAM 內存制造商,從此就沒下來過。

1995 年,微軟即將發布 Windows 95 操作系統,日本 DRAM 廠商試圖借此契機反攻,奪回王座。

結果一邊是韓國廠商一起擴張產能,導致 DRAM 價格狂跌,日本廠商布局了個寂寞;接下來,1997 年的亞洲金融危機又加重了市場衰退,全球 DRAM 晶圓廠都面臨虧損風險。一朝被蛇咬的日本廠商,自然不敢繼續追加投資。

日本的步伐一保守,韓國廠商就開始高歌猛進。1996 年時,韓國三星電子的 DRAM 芯片出口額達到 62 億美元,穩居世界第一。

從此,日本 DRAM 產業可說是一蹶不振。富士通、東芝等相繼退出了 DRAM 市場,NEC、日立、三菱則將 DRAM 部門合并成立爾必達,希望以此對抗三星。

結局大家也都知道了,2012 年爾必達的破產,正式敲響了日本 DRAM 企業的喪鐘。

泡菜的滋味,海峽兩岸都想了解

美國的扶持,為韓國廠商帶來了崛起的機遇,也埋下了致命的隱患。

一是核心供應鏈受制于人。1994 年,韓國政府推出了半導體設備國產化項目,總預算 2000 億韓元(2.5 億美元),鼓勵韓國企業投資設廠,搭建自主的設備和原料供應鏈。完整的產業鏈當然不能一蹴而就,僅 1995 年,韓國就從美國和日本進口了價值 25 億美元的半導體生產設備。

二是商業模式難以為繼。長期價格戰的結果就是,韓國 DRAM 廠商背負著巨額債務前行,自然成也資本,敗也資本。在 1997 亞洲金融危機中成功逼退日本廠商的同時,韓國企業的平均負債也達到了 518%。但很快,建立在資本沙石上的韓國 DRAM 產業也開始搖搖欲墜,現代、大宇等財團瀕臨破產,三星也不得不裁員 30%、拋售資產。

在這種境況下,三星還是拒絕了歐美收購三星電子的提議,變賣更多資產留住了半導體的火種。

神奇的事情又來了,將 16K/64K SRAM 技術轉讓給韓國現代電子的陳正宇博士,在 1984 年回到中國臺灣,創建了茂矽電子(Mosel)。此時,雖然整個臺灣的半導體產值只有 3.82 億美元,但依然在積極布局產業板塊的下一次位移。

另一個重要的人員變動,是 1985 年,時任德州儀器副總裁的張忠謀回到臺灣設立 IC 代工廠,解決茂矽等 DRAM 廠商缺少生產的難題。1987 年,臺積電成立;同年,華邦電子成立,與茂矽共享技術成果。

放在現在來看,臺灣在當時并不缺人,美國半導體企業敗退后,一大批硅谷華人也選擇了回臺灣創業,這些研究人員支撐起了臺灣半導體的技術天定;也并不缺錢,1990 年,臺灣砸 58.8 億元(約 2 億美元)啟動了“次微米制程技術發展五年計劃”,以拿下 4M SRAM 和 16M DRAM 的生產能力。

產業界的參與熱情也十分高漲,1993 年,臺灣灣電腦主板生產廠力捷電腦的董事長黃崇仁向日本東芝要貨(DRAM)被拒,就決定投資 4 億新臺幣成立了力晶半導體。1995 年,臺灣龍頭企業臺塑集團也設立了 8 英寸 DRAM 廠。

但目前來看,臺灣 DRAM 廠商的技術主要來自于美國、日本的授權,盡管生產成本低,但技術費用卻很高,占到了銷售額 3%以上。

從日本、美國獲得制程技術授權。每年付出的技術費用,再加上巨額進口設備投資,使得臺灣企業根本無法與掌握自主技術研發能力的韓國企業競爭。世界先進的垮臺,最終導致如同無根之木,注定了失敗命運。

在技術方面缺乏自主研發能力,成為勒住臺灣 DRAM 產業脖頸的繩索。

當然,美日韓等一系列全球 DRAM 半導體結構性變化中,中國存儲廠商的動作也同樣精彩。

落地到產業競逐機遇上,移動端與大數據、AI云計算等新產業的興起,正在給 DRAM 領域帶來新的技術更迭。

比如能耗上如何滿足數據中心的綠色需求、降低移動設備的耗電量,容量增長速度滿足商用需求等等,在產業洗牌的同時,也成為中國半導體產業逆襲的“終南捷徑”。這部分,我們將放在本系列的單獨篇章中著重筆墨去講解。

在中國大陸、中國臺灣的積極進取之下,韓國 DRAM 廠商必將在一段時間內,都處于危機感在線的緊張時期。

下一站:DRAM 的威懾紀元

至此我們不難從 DRAM 產品上看到半導體行業的破局之難:

有技術不行,沒有技術更不行。存儲器產品設計相對簡單,日本廠商作為新進者能夠很快與技術領先的美國軍團相匹敵,是國際貿易政策、國內產業環境、企業文化氛圍等等共同造就的。

光投資不行,沒有投資更不行。DRAM 每一次制程的更新換代,都需要大量的投入,所以日本、韓國等的產業集群上位,都離不開“舉國體制”的資本輸血。比如日本政府就為半導體企業提供了高達 16 億美元的巨額資金,韓國研發 4M DRAM 時政府承擔了 57%的研發費用,用三年時間追平了與日本的技術差距。

但即便舍得投資,在缺乏專利、技術自主等的背景下,追趕依然是一件難事。

價格戰不行,沒有價格優勢也不行。成本可以隨著產量規模的來彌補,但制程的微縮、技術的迭代,會讓價格成本搶奪出的市場空間逐漸縮小,長期的多方位扶持是必不可少的。

三星在 90 年代連續 9 年巨虧,韓國政府和國內財團的資金支持(提供政策性貸款)就起到了關鍵的輸血作用。

總的來看,技術密集+資本密集的產業特性,企業發力+政府支撐的進擊需求,交織出了 DRAM 集成電路產業群的殘酷搏殺。

在這些前提條件的基礎上,是否能像日本這樣有長期在美國頂尖實驗室工作的電子人才,像韓國遇到美日半導體爭端那樣的歷史窗口,像全球大型計算機興起的產業推動,才有可能獲得一次登上王座的機會。

十萬年前,人類的祖先為了留下信息,在石頭上砸出刻痕,從此,存儲方式就成為信息技術的支柱。而 DRAM 產業歷經半個世紀的區位變化,除了技術本身的競逐,也是經濟與政治的博弈。這是一場真正的,現代戰爭。

審核編輯 黃昊宇

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