LD5523E2設(shè)計應(yīng)用于網(wǎng)通產(chǎn)品可減少組件數(shù)對應(yīng)產(chǎn)品小型化設(shè)計且可容易替換副邊反饋控制方案。
1. Flyback副邊反饋(SSR)及原邊反饋控制(PSR)背景說明
Flyback電路電壓環(huán)反饋控制分為副邊(SSR)及原邊(PSR)反饋電路,圖1為SSR副邊反饋電路,采用AP431內(nèi)部的參考電壓2.5V搭配外部反饋補(bǔ)償電路調(diào)整,圖2為PSR原邊反饋電路,采用初級IC FB pin內(nèi)部參考電壓2V并搭配comp pin反饋補(bǔ)償電路調(diào)整。
PSR原邊反饋控制特性
優(yōu)點(diǎn):電路組件少及成本優(yōu)勢適用于小型化設(shè)計
缺點(diǎn):因電壓反饋響應(yīng)速度慢于動態(tài)負(fù)載,電壓調(diào)整率相較SSR略差些
以PSR LD5523E2替換SSR LD5523說明
兩套方案Pin-Pin可以直接替換,步驟說明如下
步驟1:移除二次側(cè)431及光耦合器參考圖1紅圈
步驟2:Comp pin增加R C電路及輸出加假負(fù)載參考圖2紅圈
圖1:LD5523 SSR原邊反饋控制電路圖
圖2:LD5523E2 PSR副邊反饋控制電路圖
2. Flyback SSR及PSR功能及保護(hù)差異
表1說明SSR及PSR功能及保護(hù)差異
表1:LD5523 SSR及LD5523E2 PSR功能對比表
3. PSR LD5523E2特點(diǎn)
QR+CCM控制(Mulit-mode controller)
QR+CCM控制主要對應(yīng)能效DOE6及COC2的規(guī)范,當(dāng)負(fù)載條件10%-50%操作在QR模式波谷切換降低切換損失,負(fù)載條件75%-100%操作在CCM提升滿載時的效率,相較于QR控制的方案,QR+CCM控制變壓器可降低Bmax及提升利用率。
CCM操作頻率75KHZ(低壓輸入)及65KHZ(高壓輸入)
低壓輸入CCM頻率75KHZ設(shè)計可降低變壓器磁飽和,高壓輸入系統(tǒng)操作在QR時可降低切換損失提升效率
啟動時調(diào)整Vcs_max限制變壓器磁飽和(Adjustable start-up Vcs-max limit for Bsat)
當(dāng)AC輸入時初級的開關(guān)會提供最大的能量,使輸出電壓建立到設(shè)定的范圍,此時為避免變壓器有磁飽和的風(fēng)險,調(diào)整CS pin串聯(lián)電阻可以調(diào)整VCS_max level并限制能量。
低壓輸入輸出電壓紋波補(bǔ)償功能(Output voltage ripple reduce at low line input voltage)
低壓輸入時,橋式整流后的高壓電容之電壓紋波會影響輸出電壓紋波,此電壓紋波補(bǔ)償主要是在高壓電容電壓在波谷時進(jìn)行補(bǔ)償達(dá)到降低輸出紋波功能。
OLP設(shè)計
SSR LD5523原邊反饋OLP誤差約為+/-20%
OLP誤差參數(shù):變壓器電感+/-7%,電流檢測電阻+/-1%,IC內(nèi)部Vcs+/-4%,切換頻率+/-8%
PSR LD5523E2副邊反饋OLP誤差約為+/-8%:
影響OLP誤差參數(shù):IC參數(shù)+/-7%及電阻+/-1%
4. LD5523E2功能應(yīng)用說明
圖3說明各Pin功能應(yīng)用,以下功能為IC的特點(diǎn)說明其中保護(hù)功能包含輸出過壓保護(hù)(OVP),輸出過載保護(hù)(OLP),副邊二極管短路保護(hù)(SDCP)輸入啟動/輸入欠壓保護(hù)(AC Brown in/Brown out),過溫度保護(hù)(CS OTP),波谷(QR)偵測等功能。
圖3:LD5523E2 IC Pin腳功能應(yīng)用
4.1 FB Pin應(yīng)用說明
4.1.1 輸出電壓及線補(bǔ)設(shè)定
輸出電壓調(diào)整設(shè)定如圖4說明:FB pin依據(jù)VFB正半周總時間的40%為取樣電壓并已IC內(nèi)部參考電壓2V作比較,設(shè)計公式Vo=2×(1+(Ra/Rb))×(Ns/Na)-VF,設(shè)計需留意Vcc diode需采用快回復(fù)式的Trr<500ns
輸出電壓線補(bǔ)設(shè)定:
輸出電壓線補(bǔ)設(shè)定如圖5說明:IC依據(jù)滿載(IRATED)及OLP(IOLP)設(shè)定線損補(bǔ)償?shù)?a href="http://m.xsypw.cn/tags/電流/" target="_blank">電流(ILC)
設(shè)計公式Vo=(2+ILC×(Ra//Rb))×(1+Ra/Rb)×(Ns/Na)-VF
案例說明:
參數(shù)設(shè)定變壓器Np=69T,Na=12T,Ns=9T,F(xiàn)B pin Ra=200K,Rb=28K,IOLP=2.9A,IRATED=2A,VF=0.1
輸出電壓Vo=2×(1+(Ra/Rb))×(Ns/Na)-VF=2×(1+(200K/28K))×(9/12)-0.1=12.11V
輸出電壓線補(bǔ)Vo=(2+ILC×(Ra//Rb))×(1+Ra/Rb)×(Ns/Na)-VF=(2.1×8.14×0.75)-0.1=12.7V
圖4:輸出電壓調(diào)整設(shè)計
圖5:線損補(bǔ)償電流(ILC)設(shè)計
4.1.2 AC Brown in/out,Buck OVP設(shè)定
當(dāng)初級MOS導(dǎo)通時FB pin VFB為負(fù)半周時此電壓為VDC×(Na/NP)。其中,VDC為高壓電容電壓,此負(fù)半周電壓除以FB pin上偏電阻Ra所得到的電流IFB,當(dāng)VDC電壓越高表示輸入電壓越高,當(dāng)IFB電流高于IBNI時進(jìn)行AC Brown in低于IBO時進(jìn)行AC Brown out如圖6 AC,另外IFB電流大于IBulkCap時IC進(jìn)行Bulk OVP設(shè)定時進(jìn)行保護(hù)。
AC Brown in/out/OVP計算方式:
圖6:AC Brown in/out/Bulk Cap OVP設(shè)計
案例說明:
變壓器參數(shù)設(shè)定NP=69T,Na=12T,Ns=9T,F(xiàn)B pin Ra=200K,Rb=28K,IOLP=2.9A,IRATED=2A,VF=0.1,計算結(jié)果
4.1.3 低壓輸入輸出電壓紋波補(bǔ)償功能(Output voltage ripple reduce at low line input voltage)
電壓紋波補(bǔ)償功能設(shè)計公式
案例說明:
參數(shù)設(shè)定:變壓器NP=69T,Na=12T,Ns=9T,F(xiàn)B pin Ra=200K,Rb=28K,IOLP=2.9A,IRATED=2A,
計算結(jié)果
VLLRC=Ra×IFBLLRC=200K×96uA=19.2V
Vdc=VLLRC×(NP/NW)=19.2V×(69/12)=110V(高壓電容電壓低于110V啟動紋波補(bǔ)償)
4.2 CS Pin應(yīng)用說明
4.2.1 Over Load Proteciton(OLP)說明
OLP計算公式為IOLP=(NP/NS)×(ICC/RCS)如圖7推導(dǎo)出來其中ICC=VCSM×(TDIS/TS)=0.25
其中ICC=0.25(IC內(nèi)部參數(shù)+/-7%),RCS(初級電流檢測電阻+/-1),變壓器初級繞組圈數(shù)NP及次級繞組圈數(shù)NS
圖7:OLP設(shè)計原理
4.2.2 啟動時調(diào)整Vcs_max限制變壓器磁飽和(Adjustable start-up Vcs_max limit for Bsat)
當(dāng)AC輸入時初級的開關(guān)會提供最大的能量,使輸出電壓建立到設(shè)定的范圍,此時為避免變壓器有磁飽和的風(fēng)險,調(diào)整CS pin串聯(lián)電阻可以調(diào)整VCS_max level并限制能量如圖8說明。調(diào)整CS pin外部串聯(lián)電阻RSET設(shè)定調(diào)整Vcsmax的3個level于起機(jī)的條件如下,可利用以下公式計算變壓器磁飽和Ics=Vcs/Rcs及Bmax=(Lp×Ics)/(Np×Ae)
圖8:RSET設(shè)定Vcs_max
4.2.3 過溫度保護(hù)(OTP)功能說明
CS OTP電路中二級管建議采用Trr<500ns如圖9。初級MOS關(guān)閉時CS pin增加平臺電壓,當(dāng)此電壓平臺高于0.3V且維持1ms之后IC進(jìn)入保護(hù)模式,如圖10說明。
圖9:過溫度保護(hù)(OTP)功能說明
圖10:OTP CSpin動作波形
4.2.4 二極管短路保護(hù)功能(Secondary diode short protection SDSP):
當(dāng)安規(guī)進(jìn)行短路及開路實(shí)驗時,判定標(biāo)準(zhǔn)以電源板不能冒煙冒火的現(xiàn)象,對于零件損壞無要求,為了符合客戶故障實(shí)驗時不能有零件損壞包含初級MOS。
CS pin增加SDSP保護(hù)功能,當(dāng)次級二極管短路時初級的電流會瞬間沖高,當(dāng)CS pin電壓超過1.2V且維持4 Cycle時驅(qū)動會關(guān)閉,IC進(jìn)入保護(hù)模式并限制能量,避免初級MOS損壞如圖11說明
圖11:二極管短路保護(hù)SDSP應(yīng)用說明
問題案例說明
問題點(diǎn):300Vac 12V/0A輸出電壓飄高問題
原因:切換頻率為393HZ觸發(fā)到IC最小頻率Fmin SPEC=300HZ-350HZ-400HZ
改善方式:輸出假負(fù)載由10K(14mW)變更為5K(28mW),假負(fù)載功率消耗增加14mW,待機(jī)功耗可以滿足
編輯:hfy
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