最近，美光已將其DRAM路線圖從三個單元縮減階段更新為四個階段，從而使每個芯片具有更大的DRAM容量并降低了每GB的成本。根據規劃，這家美國芯片制造商打算通過以下步驟逐步縮小單元或工藝節點的尺寸，從不再主流的20nm節點工藝尺寸到10nm（19nm-10nm范圍）節點工藝：

1Xnm –（c19-17nm）較早的DRAM技術處理節點大小

1Ynm –（c16-14nm）當今主流的DRAM位生產技術

1Znm –（c13-11mn）2020年第三季度，15%的美國DRAM位生產是在這個工藝完成

1αnm工藝節點– 1 alpha – 2021年上半年的量產

1βnm工藝節點– 1 beta –處于早期開發中

1納米工藝節點– 1gamma–早期工藝集成

1δnm工藝節點– 1delta–探索中，可能需要EUV技術

1 delta節點的大小是Micron DRAM路線圖中的一個新條目。我們沒有低于1Znm的指示性工藝節點尺寸。

美光表示，隨著從1Xnm到1Yn和1Znm的轉變，位密度的增長速度減慢了。但是，該公司加快了增長率，從1Znm到1αnm工藝節點尺寸增加了40％。

富國銀行分析師Aaron Rakers表示，美光在1Znm DRAM生產中擁有強大的地位。他引用研究公司DRAMeXchange的數據，估計美光在2020年第三季度的1Znm產量占其DRAM位產量的15％，而三星和SK hynix分別為6％和0。

在其他條件相同的情況下，1Znm DRAM的制造成本低于之前的1Ynm節點。

關于EUV的看法

美光采用深紫外線（DUV）多圖案光刻技術在晶圓上布置DRAM單元芯片細節。隨著工藝節點尺寸縮小到10nm單元尺寸水平以下，光束的波長成為一個約束。

ASML是芯片行業光刻機的主要供應商，已開發出發出較小波長光的EUV（極端紫外線）光刻機。這項技術可在晶圓上刻蝕較窄的線條，因此可實現更小的工藝尺寸，即晶圓上的DRAM裸片數量更多，因此每個晶圓的容量更高，每GB的成本更低。但是資本支出是巨大的。目前ASML每年僅生產30臺EUV光刻機，它們重180噸，每臺成本1.2億美元。

三星在1Znm工藝節點中就使用EUV，SK hynix計劃使用EUV技術批量生產1αnmDRAM和1βnmDRAM。美光認為EUV直到2023年或更晚才具有成本競爭力，這意味著他們將在1δnm工藝節點引入EUV。
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