2021年1月3日，華懋科技（603306.SH）發(fā)布旗下產(chǎn)業(yè)基金東陽(yáng)凱陽(yáng)科技創(chuàng)新發(fā)展合伙企業(yè)（有限合伙）（以下簡(jiǎn)稱“東陽(yáng)凱陽(yáng)”）對(duì)外投資公告稱，東陽(yáng)凱陽(yáng)于2020年12月30日，與傅志偉、上海博康、徐州博康簽署了《投資協(xié)議》及其附屬文件。

華懋科技通過(guò)東陽(yáng)凱陽(yáng)對(duì)徐州博康進(jìn)行投資，將切入半導(dǎo)體關(guān)鍵材料光刻膠領(lǐng)域。此次交易分為首次增資、轉(zhuǎn)股權(quán)以及追加投資權(quán)三個(gè)部分。

具體來(lái)看，東陽(yáng)凱陽(yáng)出資3000萬(wàn)元人民幣向徐州博康增資，增資完成后將持有徐州博康1.186%股權(quán)；東陽(yáng)凱陽(yáng)向標(biāo)的公司實(shí)控人傅志偉提供共計(jì)人民幣5.5億元的可轉(zhuǎn)股借款，東陽(yáng)凱陽(yáng)獲得無(wú)條件的轉(zhuǎn)股權(quán)，有權(quán)（但無(wú)義務(wù)）按照協(xié)議約定的條件，向傅志偉購(gòu)買(mǎi)其持有的徐州博康股權(quán)；東陽(yáng)凱陽(yáng)在行使轉(zhuǎn)股權(quán)的同時(shí)，有權(quán)（但無(wú)義務(wù)）按股權(quán)轉(zhuǎn)讓協(xié)議約定的條件，以2.2億元的投資款受讓傅志偉持有的徐州博康股權(quán)。

徐州博康全稱為徐州博康信息化學(xué)品有限公司，成立于2010年，實(shí)控人為傅志偉。公司主要從事光刻材料領(lǐng)域中的中高端化學(xué)品的研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售。目前主要產(chǎn)品包括高端光刻單體、樹(shù)脂系列產(chǎn)品，光刻膠系列產(chǎn)品、添加劑及電子級(jí)溶劑、醫(yī)藥中間體等，是國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的電子化學(xué)品高新技術(shù)企業(yè)。

光刻膠是微電子技術(shù)中微細(xì)圖形加工的關(guān)鍵材料之一，特別是近年來(lái)大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路的發(fā)展，更是大大促進(jìn)了光刻膠的研究開(kāi)發(fā)和應(yīng)用。光刻膠已經(jīng)成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的關(guān)鍵材料之一。我國(guó)自主的光刻膠產(chǎn)業(yè)發(fā)展，也是我國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)自強(qiáng)打破國(guó)外壟斷征程上的重要一環(huán)。目的費(fèi)用對(duì)凈利潤(rùn)造成的影響）孰低的原則計(jì)算。

什么是光刻膠？

光刻膠也叫光阻或光阻劑，顧名思義，是用來(lái)?yè)豕獾模且环N對(duì)光敏感的物質(zhì)，通過(guò)特定光源（如紫外光、離子束等）照射，會(huì)發(fā)生局部溶解度的變化。光刻膠分為負(fù)性膠和正性膠，光照過(guò)后變得不可溶的是負(fù)膠，反之叫正膠，正膠相對(duì)普及一些。

鑒于光刻膠的這種特性，可以用來(lái)在納米級(jí)的芯片上蝕刻線路圖。我們可以在硅晶圓片上布置一層僅幾納米厚的金屬層，然后在上面涂一層光刻膠。然后我們可以用光把掩膜板，也就是類(lèi)似“底片”上的電路圖，照射到光刻膠上，讓需要蝕刻的部位受光，需要保留的部位不受光，這就是所謂的“光刻”工藝。

接著，用顯影液把受光的區(qū)域洗掉，掩膜板上設(shè)計(jì)好的線路圖就這么“復(fù)制”到硅晶圓片上了。那些暴露出來(lái)的金屬層就可以繼續(xù)用來(lái)加工處理，而未溶解的光刻膠則保護(hù)其他部分不受影響。

所以，要把納米級(jí)的精細(xì)電路圖“畫(huà)”到硅片上，就離不開(kāi)光刻工藝，更離不開(kāi)光刻膠材料。光刻工藝耗費(fèi)的成本占總成本的35%，和硅片本身的成本比例（38%）差不多，耗費(fèi)的時(shí)間更是達(dá)到總工藝的一半，是半導(dǎo)體生產(chǎn)的最關(guān)鍵環(huán)節(jié)。

其中，光刻膠及其輔助材料耗費(fèi)的成本占比并不高，分別是5%和7%，但其中的關(guān)鍵性、重要性，不能用材料價(jià)值來(lái)衡量。其技術(shù)難點(diǎn)在于精密度，比如在晶圓片上涂膠時(shí)，誤差不能超過(guò)0.01微米（約10納米），膠體每升含有的金屬雜質(zhì)必須少于0.1微克，顆粒個(gè)數(shù)更是幾乎不能有。

而且光刻膠的研究需要昂貴的曝光機(jī)，光刻過(guò)程需要***等設(shè)備，荷蘭ASML***一臺(tái)高達(dá)1億美元，1年僅能制作20幾臺(tái)。光刻膠的分類(lèi)和技術(shù)趨勢(shì)光刻膠的分類(lèi)很多，按照顯示效果，可分為前面提到的正性和負(fù)性光刻膠；按照化學(xué)結(jié)構(gòu)分類(lèi)，可分為光聚合型、光分解型、光交聯(lián)型和化學(xué)放大型。

但筆者認(rèn)為，比較重要的是按曝光波長(zhǎng)分類(lèi)，因?yàn)檫@體現(xiàn)了加工的分辨率，也反映出未來(lái)光刻膠的技術(shù)趨勢(shì)。按照曝光波長(zhǎng)分類(lèi)，可分為：紫外光刻膠（300~450nm）深紫外光刻膠（160~280nm）極紫外光刻膠（EUV，13.5nm）電子束光刻膠離子束光刻膠X射線光刻膠通常來(lái)說(shuō)，波長(zhǎng)越短，加工分辨率越佳，所以隨著芯片制程工藝的不斷進(jìn)步，對(duì)光刻膠分辨率的要求也越來(lái)越高，從微米級(jí)到現(xiàn)在納米級(jí)的蝕刻，甚至將來(lái)可能到原子級(jí)的蝕刻。

總體上，光刻膠的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)是波長(zhǎng)越來(lái)越短。因此，我們可以對(duì)光刻膠的分類(lèi)做個(gè)總結(jié)。

從上圖可以看出，光刻膠的三大應(yīng)用場(chǎng)景是PCB、面板和半導(dǎo)體。用于PCB、顯示面板的光刻膠，分辨率要求并不高，紫外全譜即可搞定。“卡脖子”的地方在半導(dǎo)體領(lǐng)域，g線、i線光刻膠用于350納米以上的波長(zhǎng)，屬于紫外光刻膠；ArF、KrF光刻膠用于22-150納米波長(zhǎng)；22納米以下要用到EUV，屬于極紫外光刻膠。

以上的g線、i線、ArF、KrF等，是光刻膠不同產(chǎn)品類(lèi)型的名稱，無(wú)需對(duì)名稱意義做過(guò)多深究，只需記住它們的名字，即可對(duì)照各企業(yè)的產(chǎn)品線，了解它們的技術(shù)水平。接下來(lái)重點(diǎn)講一下半導(dǎo)體領(lǐng)域要用到的光刻膠產(chǎn)品類(lèi)型。

（1）g線、i線光刻膠g線、i線光刻膠誕生于20世紀(jì)80年代，由近代德國(guó)科學(xué)家約瑟夫·弗勞恩霍夫命名。

當(dāng)時(shí)的半導(dǎo)體制程還不那么先進(jìn)，主流工藝在800-1200納米之間，波長(zhǎng)436納米的光刻光源即夠用。到了90年代，制程進(jìn)步到350-500納米，相應(yīng)地要用到更短的波長(zhǎng)，即365納米的光源。

剛好，436納米和365納米分別是高壓汞燈中能量最高、波長(zhǎng)最短的兩個(gè)譜線，而高壓汞燈的技術(shù)已經(jīng)成熟。

所以，用于500納米以上尺寸半導(dǎo)體工藝的g線，以及用于350-500納米之間工藝的i線光刻膠，被廣泛應(yīng)用，因?yàn)榉直媛室蟛桓撸@兩種光刻膠都可用于6寸晶圓片，以及平板顯示等較大面積的電子產(chǎn)品的制作。

因?yàn)閕線光刻膠還可以用于8寸晶圓片，所以目前市場(chǎng)需求依然旺盛。

（2）ArF、KrF光刻膠到了90年代末，半導(dǎo)體制程工藝發(fā)展到350納米以下，g線和i線光刻膠已經(jīng)無(wú)法滿足這樣的需求，于是出現(xiàn)了適用于248納米波長(zhǎng)光源的KrF光刻膠，和193納米波長(zhǎng)光源的ArF光刻膠。

它們都屬于深紫外光刻膠，和g線、i線有質(zhì)的區(qū)別。隨后的20年里，ArF光刻膠一直是半導(dǎo)體制程領(lǐng)域性能最可靠，使用最廣泛的光刻光源。在21世紀(jì)以后，在浸沒(méi)光刻、多重光刻等新技術(shù)的輔助下，ArF光刻系統(tǒng)突破了此前65nm分辨率的瓶頸，在45nm到10nm之間的半導(dǎo)體制程工藝中，ArF光刻技術(shù)仍然得到了最廣泛的應(yīng)用。

目前，境外晶圓廠主流工藝是14納米，中國(guó)大陸晶圓代工龍頭中芯國(guó)際的制程是28納米，雖然三星和臺(tái)積電已有10納米以下工藝技術(shù)，但尚未大規(guī)模應(yīng)用。

因?yàn)榭梢悦嫦虍?dāng)前主流的制程工藝，可用于8寸和12寸晶圓片，ArF光刻膠是市場(chǎng)需求的主流，占比約45%。KrF則多用于8寸晶圓片。

（3）EUV也就是極紫外光刻膠，使用波長(zhǎng)為13.5納米的紫外光，可以用于10納米以下的先進(jìn)制程，但目前EUV***只有荷蘭ASML能制造。

在當(dāng)下這個(gè)2020年，正處于EUV光刻技術(shù)誕生，已經(jīng)流行20年之久的KrF、ArF光刻膠即將面臨技術(shù)變革的時(shí)期。當(dāng)前，富士膠片、信越化學(xué)、住友化學(xué)3家日本龍頭公司合計(jì)申請(qǐng)了EUV光刻膠80%以上的專利，其中，JSR和東京TOK有向市場(chǎng)供貨的能力。

市場(chǎng)規(guī)模及未來(lái)前景2019年全球光刻膠市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)近90億美元，自2010年至今CAGR約5.4%。預(yù)計(jì)該市場(chǎng)未來(lái)3年仍將以年均5%的速度增長(zhǎng)，至2022年全球光刻膠市場(chǎng)規(guī)模將超過(guò)100億美元。

其中，按下游用途不同，可分為面板光刻膠、PCB光刻膠、半導(dǎo)體光刻膠和其他光刻膠，這4種分類(lèi)的市場(chǎng)占比幾乎相同，平分各約25%的市場(chǎng)份額。

從中國(guó)大陸的角度看，本土光刻膠供應(yīng)規(guī)模年化增長(zhǎng)率11%，高于全球平均5%的增速。2019年中國(guó)光刻膠市場(chǎng)本土企業(yè)銷(xiāo)售規(guī)模約70億元，全球占比約10%，但仍然以低端的PCB光刻膠為主（占比94%），平板顯示、半導(dǎo)體用光刻膠占比極低（分別是3%、2%），供給需求失衡嚴(yán)重。

在以下3種動(dòng)力的驅(qū)使下，光刻膠還會(huì)繼續(xù)保持高速增長(zhǎng)：市場(chǎng)因素：5G、新能源汽車(chē)等新興產(chǎn)業(yè)本身的需求拉動(dòng)。政治因素：***勢(shì)在必行。產(chǎn)業(yè)鏈因素：晶圓制造產(chǎn)能持續(xù)向中國(guó)大陸轉(zhuǎn)移，目前中國(guó)大陸是僅次于中國(guó)臺(tái)灣、韓國(guó)的第三大生產(chǎn)基地，但增長(zhǎng)率遠(yuǎn)超前兩者。

在以上3種力量的疊加下，國(guó)內(nèi)光刻膠市場(chǎng)規(guī)模將于2020年達(dá)到176億元，增速在10-15%。

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