媒體消息稱，長江存儲不僅計劃大幅擴產(chǎn)，并準備加快技術(shù)開發(fā)進程。

日前，有媒體報道稱，消息人士透露，長江存儲計劃到2021年下半年將存儲芯片的月產(chǎn)量提高一倍至10萬片晶圓，并準備最早將于2021年年中試產(chǎn)第一批192層3D NAND閃存芯片，不過為確保量產(chǎn)芯片質(zhì)量，該計劃有可能會被推遲至今年下半年。

報道引述消息人士之言指出，長江存儲自2020年第三季度以來一直忙于引進和安裝必要的生產(chǎn)設(shè)備與擴大生產(chǎn)。目前長江存儲生產(chǎn)64層和128層3D NAND閃存芯片，日后將逐步增加后者的比例。

對于上述消息，全球半導體觀察向長江存儲求證，長江存儲方面表示不予置評。

長江存儲的3D NAND技術(shù)進程

回顧長江存儲的發(fā)展歷程，其已在短短3年時間內(nèi)實現(xiàn)了從32層到64層再到128層的跨越。

2016年7月，長江存儲由紫光集團聯(lián)合大基金等共同出資成立，為國家存儲器基地項目的實施主體。2016年12月，長江存儲一期工廠正式破土動工；2017年9月，長江存儲一期工廠實現(xiàn)提前封頂，同年10月，長江存儲在武漢新芯12英寸集成電路制造工廠的基礎(chǔ)上，通過自主研發(fā)和國際合作相結(jié)合的方式，成功設(shè)計并制造了中國首批3D NAND閃存芯片。

從技術(shù)開發(fā)的時間點來看，2017年7月，長江存儲32層3D NAND閃存設(shè)計完成；2017年11月，長江存儲32層3D NAND閃存實現(xiàn)首次流片。2018年4月，長江存儲生產(chǎn)機臺進場安裝，項目進入量產(chǎn)準備階段；2018年第三季度，長江存儲32層3D NAND閃存實現(xiàn)量產(chǎn)。

在量產(chǎn)32層3D NAND閃存的同時，長江存儲也在加速64層3D NAND閃存開發(fā)進度。2018年8月，長江存儲64層3D NAND閃存實現(xiàn)首次流片，同時推出其全新NAND架構(gòu)Xtacking?。

2019年9月，長江存儲宣布正式量產(chǎn)基于Xtacking? 架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存，這是中國首款64層3D NAND閃存，亦是全球首款基于Xtacking?架構(gòu)設(shè)計并實現(xiàn)量產(chǎn)的閃存產(chǎn)品。

2020年4月，長江存儲正式宣布，其128層QLC 3D NAND閃存研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產(chǎn)品上通過驗證，還同時發(fā)布了128層512Gb TLC（3 bit/cell）規(guī)格閃存芯片。

從64層越級跳過96層3D NAND技術(shù)，直接攻下128層3D NAND技術(shù)，長江存儲迅速拉近其與三星、SK海力士、美光等國際大廠的距離，對于中國存儲器產(chǎn)業(yè)而言是一個重大突破。
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