一般32位單片機的內部FALSH是不支持字節操作的，有的可以按字節讀取，但是不能按字節寫入。

而且，一般單片機內部FALSH擦除的最小單位都是頁，如果向某頁中的某個位置寫入數據，恰好這個位置的前面存了其他數據，那么就必須把這頁擦除，存的其他數據也會丟失。

實際上就是說內部的FALSH不好做改寫的操作，如果有很多數據需要存放，最好是分頁存儲。這也是FALSH與E2PROM最大的區別，后者支持按字節操作且無需擦除，即使某一個地址寫壞了，也不影響其他地址。

下面介紹一種方法讓內部FLASH“支持”字節操作，且同一頁的其他數據不受影響。

方法原理很簡單，下面簡單介紹下原理：

1.根據要寫入地址，計算出該地址位于哪一頁；

2.讀出整個頁，存入緩存BUF；

3.將要寫入的數據按位置更新到BUF中；

4.擦除該頁；

5.寫入整個BUF。

可以看出這種方法弊端很明顯：

1.耗時長 每次寫都要讀整個BUF，然后還要先把數據存到BUF里，然后再寫入整個BUF；

2.FALSH擦寫次數增加，降低使用壽命；

下面給出測試代碼：

#include

#include

#include //C語言標準庫

#include “flash.h”

#define USER_FLASH_START_ADDR 0x01070000 //FLASH最后兩個扇區 供用戶使用

u32tou8 u32data;//定義一個聯合體

//==================================================================================

// 獲取某個地址所在的頁首地址

// addr:FLASH地址

// 返回：該地址所在的頁 共128頁（0~127）

//==================================================================================

unsigned int FLASH_GetFlashPage（unsigned int addr）

{

if （IS_FLASH_ADDRESS（addr））

{

return （addr&（~0xFFF））;//清0低12位就是該頁的起始地址

}

}

//==================================================================================

// 從FLASH中讀取 一個字（32位）

// addr：讀取地址

// 返回： 讀到的字數據

//備注： 地址為4字節對齊

//==================================================================================

unsigned int FLSAH_ReadWord（unsigned int addr）

{

return （*（unsigned int *）addr）;

}

//==================================================================================

//從FLASH指定地址 讀取數據

//備注： 讀取數據類型為32位 讀取地址為4字節對齊

//==================================================================================

void FLASH_Read（unsigned int ReadAddr，unsigned char *pBuffer，unsigned int NumToRead）

{

unsigned int i;

u32tobyte cache;

for（i=0; iRO = 0;//去掉所有扇區寫保護

//==================================================================================

// 判斷寫入地址是否非法 起始地址或者結束地址不在FALSH范圍內則退出

//==================================================================================

if（！（IS_FLASH_ADDRESS（startaddr）&& IS_FLASH_ADDRESS（endaddr））） return FLASH_ERROR_PG;

while（startaddr remain）//需要寫入的數據量大于緩沖buf剩余字節數

{

for（i=index;i《4096;i++）//將需要寫入FALSH的數據寫入緩沖buff

{

buffer［i］=*（pBuffer++）;

}

NumToWrite-=remain;//需要寫入的數據長度-本次已經寫入的數據長度

startaddr+=remain;//地址向后偏移本次寫入的字節數

}

else

{

for（i=index;i

其中還有個聯合體的定義：typedef union

{

unsigned int data;

unsigned char buf［4］;

}

u32tou8;FLASH_ErasePage、FLASH_ProgramWord、IS_FLASH_ADDRESS 這三個都是單片機FLASH的庫函數各家單片機不同，但功能基本相同，這里不再提供源碼。最后提供以下兩個FLASH接口即可：FLASH_Write（unsigned int WriteAddr，unsigned char *pBuffer，unsigned int NumToWrite）;

FLASH_Read（unsigned int ReadAddr，unsigned char *pBuffer，unsigned int NumToRead）演示：1.為方便查看結果，測試從0x1070FFC的位置開始寫入數據，FLASH地址分布如下圖所示：這里展示了FLASH連續兩頁的地址，首先將這兩頁全部擦除。

2.接著從1070FFC的位置開始寫入56個1，這樣就保證了數據跨越了1頁。unsigned char write［］= {“1111111111111111111111111111111111111111111111111111111111111111111111111111111111111”};

FLASH_Write（0x01070FFC，write，sizeof（write））;

注意：最后的00是因為字符串的結尾字符是“/0”3.緊接著，在0x1070FFE位置寫入新的字符串，也要保證寫入長度跨越1頁。unsigned char write2［］={“23456789”};

FLASH_Write（0x01070FFE，write2，sizeof（write2））;

可以看出，0x1070FFE~0x1071006的位置被寫入了新的字節，但這兩頁的其他位置數據保持不變。總結：1、實際使用時，如果不是受限于成本或者FLASH大小，不建議這樣讀寫內部FLASH，以為stm32內部FLASH也就10W次壽命，這樣頻繁擦寫會大大降低FLASH壽命。2、如果保存的數據不多，建議每個數據都單獨存1頁，這樣不用考慮擦除時會把其他數據也一并擦除。版權聲明：本文為博主原創文章，遵循 CC 4.0 BY-SA 版權協議，轉載請附上原文出處鏈接和本聲明。本文鏈接：https://blog.csdn.net/qq_24835087/article/details/103541322審核編輯：何安