在幾大閃存原廠的主力從96層升級到128/144層之后,美光、SK海力士之前推出了176層的3D閃存,現(xiàn)在鎧俠、西數(shù)也加入這一陣營,推出了162層3D閃存。
各大廠商的3D閃存技術(shù)并不一樣,所以堆棧的層數(shù)也不同,鎧俠、西數(shù)使用的BiCS技術(shù),堆棧層數(shù)并不是最高的,但是存儲密度不錯,這次162層相比之前的112層閃存提升了10%的密度。
這樣一來,從112層提高到162層使得芯片的面積減少了40%,在同樣的300mm晶圓上可以多生產(chǎn)70%的容量,直接大幅降低了閃存成本。
除了產(chǎn)能、成本上的改善,鎧俠的162層閃存還改進了架構(gòu),將控制電路放置于存儲陣列下方,不僅減少了核心面積,還提高了性能,工作速度2.4倍提升,延遲減少了10%,IO性能提升了66%,實現(xiàn)了性能、容量雙重提升。
鎧俠并沒有公布162層3D閃存的量產(chǎn)時間,預(yù)期是要到2022年了,可能會在鎧俠、西數(shù)位于日本四日市的新建工廠量產(chǎn)。
2020年10越低,為了滿足日益增長的5G需求,鎧俠宣布將投資1萬億日元,約合95億美元,在日本四日市再建一座3D閃存工廠,占地面積超過40000平方米,建成后將成為旗下最大的閃存工廠,也是該公司第七座閃存廠。
責編AJX
-
閃存
+關(guān)注
關(guān)注
16文章
1849瀏覽量
116091 -
西數(shù)
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
69瀏覽量
16247 -
鎧俠
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
110瀏覽量
8090
發(fā)布評論請先 登錄
鎧俠發(fā)布業(yè)內(nèi)首款面向生成式AI應(yīng)用的245.76 TB NVMe固態(tài)硬盤

鎧俠第九代 BiCS FLASH? 512Gb TLC 存儲器開始送樣
鎧俠雙軸技術(shù)戰(zhàn)略,研發(fā)超級SSD

鎧俠與閃迪發(fā)布下一代3D閃存技術(shù),實現(xiàn)4.8Gb/s NAND接口速度

評論