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關于DDR3和FPGA部分的20個設計規范總結

FPGA之家 ? 來源:ZYNQ公眾號 ? 作者:一顆理智松 ? 2021-05-03 11:18 ? 次閱讀

DQ0-7 八根線必須連到同一T塊(也稱為字節組)上,一旦分在一起,這個字節組就不能放地址線和控制線了,只能放數據線。

每組數據線對應的DQS必須連到N6,N7上,也就是QBC或者是DBC上

字節組的N1和N12不能使用作為數據線,并且如果這個字節組放了其他數據線,則N1,N12相當于廢掉,地址線和控制線也不能放。

DM信號必須位于與其相對應的DQ所在的字節組的N0引腳上

當然如果禁用DM,N0可以用于其他DQ,但是不能給地址線和控制線,

如果禁用DM,必須將其在PCB上拉低,

x4作為半個字節,必須成對使用,比如半個字節,一個字節,兩個字節,四個字節 分別對應DQ0-3 DQ0-7 DQ0-15 DQ0-31

如果是用四片DDR,必然會用到3個bank,三個bank必須連續,地址線控制線bank必須位于中間bank,

地址線和控制線必須位于同一bank中,并且,可以位于那一個字節通道的13個引腳的任何一個。

對于RDIMM和UDIMM的雙插槽配置,cs,odt,cke和ck端口寬度加倍。

ck對必須位于地址/控制字節通道中的任何PN對上

RESET_N可以位于任何引腳,且IO標準為SSTL15 復位的時候應該是拉低,加電期間保持高電平。加個4.7K下拉電阻,

DDR使用的IObank必須在同一列中,64 65 66這樣

支持接口最大是80位寬,五個DDR同時存在 對DIMM無效

不允許跳著bank使用DDR,比如使用64 66bank

并且有一個晶振輸出放在地址線控制線bank的GCIO引腳上,而且必須是差分時鐘

在UG571中指出,如果某一bank用于連接存儲芯片,要將其VREF引腳連接1k電阻再到GND

如果字節組被設置用于存儲IO那么不能將系統復位分配給字節N0和N6

給DDR ip核的時鐘輸入必須是差分時鐘。

以上均屬于個人拙見,不保證正確,僅供參考。

原文標題:總結了20個DDR3和FPGA部分的設計規范

文章出處:【微信公眾號:FPGA之家】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

責任編輯:haq

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原文標題:總結了20個DDR3和FPGA部分的設計規范

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