自手機(jī)擺脫機(jī)械按鍵進(jìn)入觸屏?xí)r代以來(lái)，“更大屏幕”便成為了產(chǎn)業(yè)界孜孜不倦追求的永恒命題，產(chǎn)業(yè)界開(kāi)始了不斷提高屏占比的探索，并向“終極全面屏”發(fā)起了沖擊，在這其中，便以HIAA極致開(kāi)孔、屏下攝像、極窄邊框?yàn)橹饕黄泣c(diǎn)。

此次SID DW2021上，維信諾以HIAA極致開(kāi)孔、InV see Pro屏下攝像解決方案，展示了在“終極全面屏”上兩個(gè)向度的創(chuàng)新突破：保留前置開(kāi)孔時(shí)，將孔邊框降低至極限；將攝像頭至于屏幕下方時(shí)，全面提高顯示與拍照平衡的屏幕綜合性能。

終極全面

HIAA極致開(kāi)孔

基于創(chuàng)新設(shè)計(jì)的TFT陣列結(jié)構(gòu)和OLED器件，維信諾HIAA極致開(kāi)孔不僅可使HIAA孔邊框尺寸降低至極限，其中盲孔方案低至0.1mm，通孔方案低至0.3mm，更可使“變化開(kāi)孔孔徑時(shí)，保持孔邊框不變”。

不同陣列結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)對(duì)“開(kāi)孔孔徑vs孔邊框變化”的影響

其中，HIAA通孔方案通過(guò)孔區(qū)陣列膜層優(yōu)化、創(chuàng)新隔離柱結(jié)構(gòu)等封裝工藝優(yōu)化，著力于提升封裝可靠性；而HIAA盲孔方案，則通過(guò)創(chuàng)新設(shè)計(jì)的PI襯底、孔區(qū)陣列、陰極膜層、模組物料等結(jié)構(gòu)，大幅提高盲孔區(qū)的透過(guò)率，以保障前置攝像頭的拍攝效果。

終極全面

InVseePro屏下攝像解決方案

InV see Pro屏下攝像解決方案，是在InV see全球首創(chuàng)的“一驅(qū)多”陣列設(shè)計(jì)基礎(chǔ)上，進(jìn)一步提高像素密度，同時(shí)擴(kuò)大透光通道，使顯示效果和屏幕透過(guò)率的完美平衡再次升級(jí)。

維信諾擁有屏下攝像技術(shù)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的關(guān)鍵底層專利，全球首創(chuàng)“一驅(qū)多”陣列設(shè)計(jì)思路，即“1個(gè)子像素驅(qū)動(dòng)電路同時(shí)驅(qū)動(dòng)其他同色子像素”，簡(jiǎn)化透明區(qū)布線設(shè)計(jì)，極大增加透過(guò)率，使屏下攝像技術(shù)的量產(chǎn)成為可能。該技術(shù)是“屏下攝像”最為關(guān)鍵的底層專利技術(shù)，是現(xiàn)有工藝條件下突破量產(chǎn)的必由之路。

維信諾InV see Pro屏下攝像創(chuàng)新方案專利池覆蓋陣列設(shè)計(jì)、OLED、像素排布、材料、驅(qū)動(dòng)等多個(gè)屏下攝像核心領(lǐng)域。維信諾于2007年開(kāi)始PMOLED透明屏研究，奠定了屏下攝像初步探索方向，并在AMOLED時(shí)代繼續(xù)創(chuàng)新衍生，目前已歷經(jīng)多次技術(shù)及工藝創(chuàng)新迭代。

除了上述可量產(chǎn)方案，維信諾同樣致力于更多“屏下”創(chuàng)新技術(shù)的探索。目前，通過(guò)特殊工藝設(shè)計(jì)，透明區(qū)940nm波段透過(guò)率已達(dá)到45%以上。未來(lái)，該技術(shù)還將覆蓋屏下光學(xué)傳感器全模組，復(fù)合的光學(xué)傳感器模組對(duì)不同波長(zhǎng)的透過(guò)率、控制衍射等要求更為復(fù)雜，也為AMOLED創(chuàng)新提出了更多挑戰(zhàn)，維信諾將以深厚的AMOLED技術(shù)積淀和持續(xù)探索創(chuàng)新的實(shí)力，推出更多提升人類視覺(jué)享受的AMOLED創(chuàng)新解決方案。

對(duì)于未來(lái)創(chuàng)新視界，此次SID DW2021上，維信諾也展示了Micro-LED自主創(chuàng)新的研究成果——TFT背板、巨量轉(zhuǎn)移、驅(qū)動(dòng)算法及模組形態(tài)，這些技術(shù)將共同組成維信諾Micro-LED新型顯示量產(chǎn)解決方案，敬請(qǐng)期待……

原文標(biāo)題：維信諾@SID DW2021丨極致全面·探索未來(lái)

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