自手機擺脫機械按鍵進入觸屏時代以來，“更大屏幕”便成為了產業界孜孜不倦追求的永恒命題，產業界開始了不斷提高屏占比的探索，并向“終極全面屏”發起了沖擊，在這其中，便以HIAA極致開孔、屏下攝像、極窄邊框為主要突破點。

此次SID DW2021上，維信諾以HIAA極致開孔、InV see Pro屏下攝像解決方案，展示了在“終極全面屏”上兩個向度的創新突破：保留前置開孔時，將孔邊框降低至極限；將攝像頭至于屏幕下方時，全面提高顯示與拍照平衡的屏幕綜合性能。

終極全面

HIAA極致開孔

基于創新設計的TFT陣列結構和OLED器件，維信諾HIAA極致開孔不僅可使HIAA孔邊框尺寸降低至極限，其中盲孔方案低至0.1mm，通孔方案低至0.3mm，更可使“變化開孔孔徑時，保持孔邊框不變”。

不同陣列結構設計對“開孔孔徑vs孔邊框變化”的影響

其中，HIAA通孔方案通過孔區陣列膜層優化、創新隔離柱結構等封裝工藝優化，著力于提升封裝可靠性；而HIAA盲孔方案，則通過創新設計的PI襯底、孔區陣列、陰極膜層、模組物料等結構，大幅提高盲孔區的透過率，以保障前置攝像頭的拍攝效果。

終極全面

InVseePro屏下攝像解決方案

InV see Pro屏下攝像解決方案，是在InV see全球首創的“一驅多”陣列設計基礎上，進一步提高像素密度，同時擴大透光通道，使顯示效果和屏幕透過率的完美平衡再次升級。

維信諾擁有屏下攝像技術實現量產的關鍵底層專利，全球首創“一驅多”陣列設計思路，即“1個子像素驅動電路同時驅動其他同色子像素”，簡化透明區布線設計，極大增加透過率，使屏下攝像技術的量產成為可能。該技術是“屏下攝像”最為關鍵的底層專利技術，是現有工藝條件下突破量產的必由之路。

維信諾InV see Pro屏下攝像創新方案專利池覆蓋陣列設計、OLED、像素排布、材料、驅動等多個屏下攝像核心領域。維信諾于2007年開始PMOLED透明屏研究，奠定了屏下攝像初步探索方向，并在AMOLED時代繼續創新衍生，目前已歷經多次技術及工藝創新迭代。

除了上述可量產方案，維信諾同樣致力于更多“屏下”創新技術的探索。目前，通過特殊工藝設計，透明區940nm波段透過率已達到45%以上。未來，該技術還將覆蓋屏下光學傳感器全模組，復合的光學傳感器模組對不同波長的透過率、控制衍射等要求更為復雜，也為AMOLED創新提出了更多挑戰，維信諾將以深厚的AMOLED技術積淀和持續探索創新的實力，推出更多提升人類視覺享受的AMOLED創新解決方案。

對于未來創新視界，此次SID DW2021上，維信諾也展示了Micro-LED自主創新的研究成果——TFT背板、巨量轉移、驅動算法及模組形態，這些技術將共同組成維信諾Micro-LED新型顯示量產解決方案，敬請期待……

原文標題：維信諾@SID DW2021丨極致全面·探索未來

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責任編輯：haq