以聲音和文字為核心的數據通信時代已經過去，我們迎來了海量數據流通的5G和大數據時代，與之相應，大容量存儲設備的重要性與日俱增。因此，閃存在第四次工業革命的大環境中占據一席之地，可以說是時代發展的必然趨勢。

一直以來，三星以其高性能和高質量的產品及解決方案，保持著較為靠前的市場地位。三星于2002年全球范圍內實現1Gb（千兆比特）NAND閃存量產，在全球閃存市場有著極高占有率，又于2013年實現3D V-NAND閃存量產，再次譜寫新的歷史。

化局限為機會！

超越精微局限，開啟3D存儲芯片時代

▲ 三星的1Gb NAND閃存（左），2Gb NAND閃存（右）

憑借先進的技術，三星于上世紀90年代不斷強化其在DRAM存儲市場上的影響力，2000年以來又開始在閃存領域陸續取得成果。繼1999年開發出1Gb NAND閃存以來，三星分別于2002年開發出2Gb，2003年開發出4Gb，2004年開發出8Gb，2005年開發出16Gb， 2006年開發出32Gb， 2007年開發出64Gb閃存，不斷提升容量。

※CTF（Charge Trap Flash） ：將多孔（Trap）氮化物（N）作為絕緣體，在孔內填入電荷來區分0與1的方式。用絕緣體氮化物替代原本導體浮柵的存儲方式，從根源上杜絕鄰近單元間的串擾問題。 與此同時，三星在微電子工程的地位也得到強化。其分別于2002年成功開發出90納米，2003年開發70納米，2005年開發50納米，2006年開發40納米，2007年甚至突破當時公認的技術局限，成功開發出30納米級別的芯片。

▲ 浮柵技術、CTF技術和3D V-NAND技術對比

一方面，三星于2006年突破了普遍應用的浮柵技術的局限，開創CTF（Charge Trap Flash） NAND技術，實現40nm 32Gb NAND閃存的商用化。

然而隨著精微化和量化程度的提升，CTF NAND技術也遭遇了其技術瓶頸。自引入10nm級別制程的128Gb閃存問世以來，存儲數據的單元越來越小，相鄰單元的間隔也越來越小，因電子遷移而引起的干涉現象也變得日益嚴重。

▲ 三星于2013年實現量產3D V-NAND閃存

為解決這一問題，三星于2013年8月量產3D垂直閃存，突破了芯片精微技術的局限。自此，3D集成技術得以商用，存儲芯片從平面過渡到立體，拉開了3D立體芯片時代的序幕，這在當時成為了震撼全球的熱點新聞。

與此前的平面NAND相比，應用了三星獨家技術“3D圓柱形CTF（3D Charge Trap Flash）單元結構”和“3D垂直疊層工程技術”的V-NAND，具有速度更快、耗電更低、耐久度更強的三重優勢，可以對控制閥門中存儲的電荷實現更為高效穩定的管理。不同于在平面上制造精微電路并水平排布單元的平面閃存，3D垂直閃存的結構是在豎直方向進行單元疊層的方式。這可以看作是三星通過單元結構和工程創新，來突破存儲集成度限制的三星NAND閃存技術的結晶。此后在太字節（TB）時代中占據主導地位的大容量閃存量產技術，也就此得到保障，從這一點來說，這項技術也有著重大的意義。

文章出處：【微信公眾號：三星半導體和顯示官方】

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