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芯片失效分析的意義及主要服務項目

芯片逆向 ? 來源:芯片逆向 ? 作者:李明陽 ? 2021-10-15 11:46 ? 次閱讀

芯片失效分析服務簡介

一般來說,集成電路在研制、生產和使用過程中失效不可避免,隨著人們對產品質量和可靠性要求的不斷提高,失效分析工作也顯得越來越重要,通過芯片失效分析,可以幫助集成電路設計人員找到設計上的缺陷、工藝參數的不匹配或設計與操作中的不當等問題。

具體來說,失效分析的意義主要表現在以下幾個方面:

1. 失效分析是確定芯片失效機理的必要手段;

2. 失效分析為有效的故障診斷提供了必要的信息;

3. 失效分析為設計工程師不斷改進或者修復芯片的設計,使之與設計規范更加吻合提供必要的反饋信息;

4. 失效分析可以評估不同測試向量的有效性,為生產測試提供必要的補充,為驗證測試流程優化提供必要的信息基礎。

北京致芯科技網失效分析的常用方法大致分為硬方法和軟方法兩種,在實際失效分析過程中,我們綜合運用兩種方法來提供分析服務。其中,硬方法主要指使用光電顯微鏡等硬件設備來檢查和確定失效原因,從而改進工藝過程。軟方法是主要是指利用電子設計自動化工具軟件進行失效分析的方法。

我們失效分析主要服務項目包括:

1、芯片開封:去除IC封膠, 同時保持芯片功能的完整無損, 保持 die, bond pads, bond wires乃至lead-frame不受損傷, 為下一步芯片失效分析實驗做準備。

2、SEM 掃描電鏡 / EDX成分分析:包括材料結構分析/缺陷觀察、元素組成常規微區分析、精確測量元器件尺寸等等。

3、探針測試:以微探針快捷方便地獲取IC內部電信號。

鐳射切割:以微激光束切斷線路或芯片上層特定區域。

4、EMMI偵測:EMMI微光顯微鏡是一種效率極高的失效分錯析工具, 提供高靈敏度非破壞性的故障定位方式,可偵測和定位非常微弱的發光(可見光及近紅外光), 由此捕捉各種元件缺陷或異常所產生的漏電流可見光。

5、OBIRCH應用(鐳射光束誘發阻抗值變化測試):OBIRCH常用于芯片內部高阻抗及低阻抗分析,線路漏電路徑分析。利用OBIRCH方法,可以有效地對電路中缺陷定位,如線條中的空洞、通孔下的空洞。通孔底部高阻區等;也能有效的檢測短路或漏電,是發光顯微技術的有力補充。

6、LG液晶熱點偵測:利用液晶感測到IC漏電處分子排列重組,在顯微鏡下呈現出不同于其它區域的斑狀影像, 找尋在實際分析中困擾設計人員的漏電區域(超過10mA之故障點)。

7、定點/非定點芯片研磨。

8、去金球:移除植于液晶驅動芯片 Pad上的金凸塊, 保持Pad完好無損, 以利后續分析或rebonding。

9、X-Ray 無損偵測:檢測IC封裝中的各種缺陷如層剝離、爆裂、空洞以及打線的完整性,PCB制程中可能存在的缺陷如對齊不良或橋接,開路、短路或不正常連接的缺陷,封裝中的錫球完整性。

10、SAM (SAT)超聲波探傷

可對IC封裝內部結構進行非破壞性檢測, 有效檢出因水氣或熱能所造成的各種破壞如:晶元面脫層;錫球、晶元或填膠中的裂縫;封裝材料內部的氣孔;各種孔洞如晶元接合面、錫球、填膠等處的孔洞。

編輯:jq

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原文標題:芯片失效分析服務簡介

文章出處:【微信號:zhixinkeji2015,微信公眾號:芯片逆向】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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